数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：UMB3NTN 编号：C79628

封装：SOT-363(UMT6)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个DTA143T芯片封装在EMT6、UMT6或SMT6中。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将安装成本和面积减半。应用：逆变器。接口

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5+
￥0.3019
50+
￥0.2955
150+
￥0.2912
500+
￥0.2869

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型号：PUMD9,115-JSM 编号：C53114101

封装：SOT-363

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

10+
￥0.3029
100+
￥0.2413
300+
￥0.2105
3000+
￥0.1874
6000+
￥0.1689
9000+
￥0.1596

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型号：MMUN2238LT1G 编号：C327504

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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5+
￥0.3099
50+
￥0.3022
150+
￥0.2971

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型号：PDTA114EU,115 编号：C126005

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

PNP电阻式晶体管,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

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20+
￥0.3389
200+
￥0.2855
600+
￥0.2558
3000+
￥0.238
9000+
￥0.2225
21000+
￥0.2142

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型号：DTC115EET1G 编号：C890584

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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10+
￥0.3496
100+
￥0.2797
300+
￥0.2448

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型号：DDTA114ECA-7-F 编号：C444412

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型（DDTC）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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63000+
￥0.1122
189000+
￥0.107525
567000+
￥0.10472
756000+
￥0.10285

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型号：LMUN5114DW1T1G 编号：C2887402

封装：SOT-363

品牌：LRC(乐山无线电)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。在SOT-363封装中容纳了两个BRT器件，非常适合对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用。

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10+
￥0.3539
100+
￥0.2819
300+
￥0.2459
3000+
￥0.2189

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型号：UMB11NTN 编号：C123066

封装：SOT-363(UMT6)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个DTA114E芯片封装在EMT、UMT或SMT中。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将贴装成本和面积减半。应用：逆变器。接口

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20+
￥0.372973
30+
￥0.359659
100+
￥0.346332
500+
￥0.295099
1000+
￥0.28281

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型号：DTC143ZM3T5G 编号：C896206

封装：SOT-723-3

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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5+
￥0.3682
50+
￥0.3606
150+
￥0.3556

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型号：MMUN2116LT1G 编号：C232611

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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96000+
￥0.10128
288000+
￥0.09706
864000+
￥0.094528
1152000+
￥0.09284

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型号：DDTC144VCA-7-F 编号：C5245900

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

10+
￥0.4079
100+
￥0.3252
300+
￥0.2839

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型号：UMG9NTR 编号：C510061

封装：SOT-353-5

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个DTC114E芯片采用EMT、UMT或SMT封装。可将安装成本和面积减半。应用：逆变器。接口

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10+
￥0.4373
100+
￥0.3413
300+
￥0.2933

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型号：PUMH10-JSM 编号：C53113842

封装：SOT-363

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：100@10mA,5V

10+
￥0.4384
100+
￥0.3492
300+
￥0.3046
3000+
￥0.2712
6000+
￥0.2444
9000+
￥0.231

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型号：PUMH10,115-JSM 编号：C53114021

封装：SOT-363

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：100@10mA,5V

10+
￥0.4384
100+
￥0.3492
300+
￥0.3046
3000+
￥0.2712
6000+
￥0.2444
9000+
￥0.231

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型号：DTC123JMT2L 编号：C703614

封装：SC-105AA

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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5+
￥0.4558
50+
￥0.3557
150+
￥0.3057

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型号：UMD10N 编号：C2910249

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：一个封装中包含DTC123J芯片和DTA123J芯片。可使用SOT-363自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，无干扰。可将贴装成本和面积减半

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5+
￥0.4718
50+
￥0.3758
150+
￥0.3278

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型号：DTA143ECA-TP 编号：C668908

封装：SOT-23

品牌：MCC(美微科)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得简单。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅表面处理/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）

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