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描述

价格(含税)

库存

操作

100-300 NPN 电流:200mA 电压:305V

型号：A42(RANGE:100-300) 编号：C24233

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高击穿电压

数据手册

10+
￥0.4135
100+
￥0.3396
300+
￥0.3026
1000+
￥0.2594

有货

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hfe=120~270 NPN 电流:2A 电压:50V

型号：2SC4672(RANGE:120-270) 编号：C24213

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低饱和电压。出色的hFE特性，与2SA1797互补

数据手册

10+
￥0.4254
100+
￥0.3476
300+
￥0.3087
1000+
￥0.2715

有货

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NPN 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847BFA-7B 编号：C155299

封装：DFN-3(0.8x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。集电极电流高：IC = 100mA。功率耗散：PD = 435mW。封装占地面积0.48mm²，比SOT23小16倍。封装高度0.4mm，可减少板外轮廓。互补PNP型BC857BFA。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。有单独数据手册的汽车兼容部件（BC847BFAQ）

数据手册

5+
￥0.4264 ￥1.04
50+
￥0.284332 ￥0.9172
150+
￥0.181566 ￥0.8646
500+
￥0.167769 ￥0.7989
2500+
￥0.161637 ￥0.7697
5000+
￥0.157941 ￥0.7521

有货

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hfe=100~200 NPN 电流:200mA 电压:400V

型号：A44(RANGE:100-200) 编号：C24231

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高击穿电压

数据手册

10+
￥0.4297
100+
￥0.3448
300+
￥0.3023
1000+
￥0.2616

有货

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1A 60V

型号：2SD1616AG 编号：C51886210

封装：SOT-89-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：消费电子。电压开关。高直流电流增益

10+
￥0.4467
100+
￥0.3517
300+
￥0.3042
1000+
￥0.2685

有货

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NPN 电流:1A 电压:60V

型号：DSS4160TQ-7-HXY 编号：C47506931

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO，适用于需要中等功率处理能力的应用。其直流电流增益HFE范围为100至300，能够满足不同设计对放大效率的需求。此外，该三极管的过渡频率FT为150MHz，确保了在高频工作环境下仍能保持稳定性能，适合于无线通信设备、家用电器及各类消费电子产品中的信号放大与开关应用。通过其出色的参数配置，此三极管支持高效稳定的电路运作，是实现复杂电子设计的重要组件。

5+
￥0.47565 ￥0.5285
50+
￥0.37881 ￥0.4209
150+
￥0.33048 ￥0.3672
500+
￥0.29421 ￥0.3269
3000+
￥0.26514 ￥0.2946
6000+
￥0.25065 ￥0.2785

有货

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hfe=120~240 NPN 电流:2A 电压:50V

型号：2SC2655-TA(RANGE:120-240) 编号：C57618

封装：TO-92-3

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低饱和电压：VCEsat = 0.5V（最大值）（IC = 1A）。高速开关时间：tsg = 1μs（典型值）。与2SA1020互补

数据手册

5+
￥0.4873
50+
￥0.3865
150+
￥0.3361
500+
￥0.2983
2000+
￥0.2681

有货

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NPN高频低噪声晶体管 NPN 电流:50mA 电压:9V

型号：2SC4901 编号：C781326

封装：SOT-323

品牌：Slkor(萨科微)

2SC4901是超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声特性和大动态范围的特点。采用SOT-323封装，适用于高密度表面贴片安装，主要用于VHF，UHF，CATV等高频低噪声宽带放大器。

数据手册

5+
￥0.5184
50+
￥0.4176
150+
￥0.3672
500+
￥0.3294
3000+
￥0.2619
6000+
￥0.2468

有货

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NPN 电流:1A 电压:80V

型号：BCX56-16 编号：C713686

封装：SOT-89

品牌：LGE(鲁光)

特性：用于AF驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。互补类型：BCX51...BCX53(PNP)

数据手册

5+
￥0.5479
50+
￥0.4423
150+
￥0.3895
1000+
￥0.3334
2000+
￥0.3017
5000+
￥0.2859

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：KSP2222ABU 编号：C896748

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

NPN外延硅晶体管

数据手册

5+
￥0.6093
50+
￥0.4749
150+
￥0.4077
1000+
￥0.3573
2000+
￥0.317
5000+
￥0.2968

有货

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3A 30V

型号：D882M-Y 编号：C49438145

封装：TO-252-2L

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型:NPN 集电极电流:3A 集射极击穿电压:30V 耗散功率:1.25 放大倍数:160-320

5+
￥0.6182
50+
￥0.4934
150+
￥0.431
500+
￥0.3842

有货

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160-320 SOT-223 塑料封装晶体管

型号：D882(RANGE:160-320) 编号：C65836

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：功率耗散：1.5W。低集电极-发射极饱和电压

数据手册

5+
￥0.6259
50+
￥0.5025
150+
￥0.4408
500+
￥0.3945

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：2N3904TFR 编号：C258185

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

该器件设计为通用放大器和开关。作为开关，其有用动态范围扩展至 100 mA；作为放大器，扩展至 100 MHz。

数据手册

5+
￥0.8023
50+
￥0.6411
150+
￥0.5606
500+
￥0.5001
2000+
￥0.435

有货

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NPN 电流:500mA 电压:45V

型号：SBC817-40LT3G 编号：C232648

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.8475
50+
￥0.8258
150+
￥0.8114
500+
￥0.7969

有货

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NPN 电流:2A 电压:50V

型号：2SC2873-Y(TE12L,ZC 编号：C396015

封装：TO-243AA

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE(sat)最大0.5V（IC = 1A）。高速开关时间：tSTG典型值为1.0μs。小型扁平封装，PC = 1.0至2.0W（安装在陶瓷基板上）。与2SA1213互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

数据手册

5+
￥0.9365
50+
￥0.7494
150+
￥0.6558
1000+
￥0.4975
2000+
￥0.4414

有货

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NPN 电流:3A 电压:100V

型号：TIP31C 编号：C963401

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于中功率线性开关应用

数据手册

5+
￥0.99704 ￥1.2463
50+
￥0.73904 ￥0.9238
150+
￥0.65264 ￥0.8158
500+
￥0.54488 ￥0.6811
2000+
￥0.49688 ￥0.6211
5000+
￥0.468 ￥0.585

有货

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NPN 电流:1A 电压:80V

型号：BC63916-D74Z 编号：C900813

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

NPN 中等功率晶体管

数据手册

5+
￥1.0061
50+
￥0.8723
150+
￥0.8149
500+
￥0.7434

有货

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NPN 电流:2A 电压:32V 档位180-390

型号：2SD1758 编号：C2910340

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：VCE(sat) = 0.5V（典型值）（IC / IB = 2A / 0.2A）

数据手册

5+
￥1.0325
50+
￥0.8108
150+
￥0.7157
500+
￥0.5971

有货

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NPN 电流:4.5A 电压:20V

型号：ZXTN25020BFHTA 编号：C526803

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计，最大限度地提高了这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

5+
￥1.044638 ￥1.6849
50+
￥0.772668 ￥1.4859
150+
￥0.588252 ￥1.4006
500+
￥0.543564 ￥1.2942
3000+
￥0.523698 ￥1.2469
6000+
￥0.51177 ￥1.2185

有货

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SOT-223 塑料封装晶体管

型号：CZT31C 编号：C2875434

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与CZT32C互补，适用于高达3.0A的功率放大器应用

数据手册

5+
￥1.065
50+
￥0.8381
150+
￥0.7409
500+
￥0.6196

有货

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NPN 电流:500mA 电压:60V

型号：BCV71 编号：C890255

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

BCV71 NPN通用放大器。该器件专为集电极电流达300 mA的通用应用而设计。

数据手册

5+
￥1.0919
50+
￥0.8464
150+
￥0.7412
500+
￥0.6099

有货

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NPN 电流:2A 电压:40V

型号：NSS40201LT1G 编号：C145175

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.1687
50+
￥0.9217
150+
￥0.8159
500+
￥0.6838
3000+
￥0.625
6000+
￥0.5897

有货

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NPN 电流:3A 电压:20V

型号：DNLS320E-13 编号：C144152

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电阻：在3A时，RCE(SAT) = 80mΩ。高直流电流增益：在IC = 2A时，hF > 400。有互补PNP类型。适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。环保器件

数据手册

1+
￥1.197 ￥2.1
10+
￥0.8695 ￥1.85
30+
￥0.6438 ￥1.74
100+
￥0.5957 ￥1.61
500+
￥0.5735 ￥1.55
1000+
￥0.5624 ￥1.52

有货

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3A 60V

型号：DXT651 编号：C49236792

封装：SOT-89-3L

品牌：SPTECH(深圳质超)

特性：小尺寸封装：SOT89-3L。大最大电流：IC = 3A。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.3V 最大（在 IC / IB = 0.5A / 0.05A 时）。高功率耗散：PC = 1W。与 DXT751 互补配对

5+
￥1.19776 ￥1.2608
50+
￥0.948765 ￥0.9987
150+
￥0.84208 ￥0.8864
1000+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
5000+
￥0.61408 ￥0.6464

有货

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NPN 电流:90mA 电压:12V

型号：BFR93AWH6327 编号：C151481

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于集电极电流在5 mA至30 mA、频率高达2 GHz的低失真放大器和振荡器。

数据手册

5+
￥1.257
50+
￥1.0051
150+
￥0.8972
500+
￥0.7625

有货

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NPN 电流:45mA 电压:4V

型号：BFP740H6327 编号：C439776

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是宽带 NPN RF 异质结双极晶体管 (HBT)

数据手册

5+
￥1.5019
50+
￥1.1642
150+
￥1.0195
500+
￥0.8389

有货

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NPN 电流:1.5A 电压:400V

型号：PHD13003C,126 编号：C256387

封装：TO-92

品牌：WeEn(瑞能)

高电压，高速，平面钝化 NPN 功率开关晶体管，在 SOT54 塑料封装中集成了反并联发射极-集电极二极管

数据手册

5+
￥1.5053
50+
￥1.1575
150+
￥1.0085
500+
￥0.8225
2000+
￥0.7397

有货

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NPN 电流:3A 电压:40V

型号：DJT4031N-13 编号：C460711

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动化组装工艺。有互补PNP类型（DJT4030P）。低集电极-发射极饱和电压。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.510595 ￥1.5901
50+
￥1.21074 ￥1.4244
150+
￥1.01505 ￥1.3534
500+
￥0.9486 ￥1.2648
2500+
￥0.91905 ￥1.2254
5000+
￥0.901275 ￥1.2017

有货

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NPN 电流:1A 电压:80V

型号：NSVBCP56-10T3G 编号：C895147

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些NPN硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

数据手册

5+
￥1.6019
50+
￥1.2609
150+
￥1.1147
500+
￥0.9324
2500+
￥0.8512

有货

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NPN 电流:6A 电压:60V

型号：LBTN660Z4TZHG 编号：C5273335

封装：SOT-223

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力

数据手册

5+
￥1.616
50+
￥1.274
150+
￥1.1275
500+
￥0.9446
2500+
￥0.8632
4000+
￥0.8143

有货

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