npn三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SBCP56-16T3G 编号：C895180

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些NPN硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

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5+
￥2.3569
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￥1.8858
150+
￥1.6839
500+
￥1.432

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型号：PBSS4540Z,115 编号：C513117

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBSS5540Z。

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￥2.68
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￥2.16
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￥1.94
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￥1.6032 ￥1.67
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￥1.488 ￥1.55
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￥1.4208 ￥1.48

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型号：DXT2011P5-13 编号：C155259

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。最大高度仅 1.1mm。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。使用射极跟随器的电压调节器

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￥2.8
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￥2.57
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￥2.46
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￥2.35
500+
￥2.28
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￥2.25

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型号：MD1802FX 编号：C2688667

封装：ISOWATT-218FX

品牌：ST(意法半导体)

标清CRT显示器的高压NPN功率晶体管

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￥2.8224 ￥4.48
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￥2.0882 ￥3.94
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￥1.5781 ￥3.67
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￥1.4663 ￥3.41
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￥1.3975 ￥3.25
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￥1.3588 ￥3.16

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型号：MJE13005 编号：C2907591

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

设计用于感应电路中的高压、高速、功率开关控制，特别适用于115V和220V开关模式的应用，如开关调节器、逆变器、电机控制、电磁阀/继电器驱动器和偏转电路。

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￥2.8595 ￥3.01
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￥2.242 ￥2.36
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￥1.976 ￥2.08
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￥1.6435 ￥1.73
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￥1.4915 ￥1.57
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￥1.406 ￥1.48

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型号：ZXTN25040DFHTA 编号：C155357

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < 55mV @ 1A。RCE(sat) = 35mΩ。hFE 特性高达 10A。高 hFE 最小值 300 @ 1A。应用：MOSFET 栅极驱动器。电源开关

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￥3.2
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￥2.53
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￥2.25
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￥1.89
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￥1.73

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型号：MJD31CT4 编号：C2969834

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

低压NPN功率晶体管

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1+
￥3.32
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￥2.64
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￥2.34
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￥1.97
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￥1.81
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￥1.71

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型号：NJVNJD2873T4G 编号：C266789

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

专为高增益音频放大器应用而设计。

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￥4.23
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￥3.3
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￥2.91
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￥2.41
500+
￥2.19
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￥2.06

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型号：MN1526 编号：C47148337

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

高品质功放三极管，电流15A，耐压230V、功率150W

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￥4.465 ￥4.7
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￥3.6195 ￥3.81
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￥3.2015 ￥3.37
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￥2.7835 ￥2.93
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￥2.5365 ￥2.67
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￥2.4035 ￥2.53

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型号：OSA1943 编号：C20607868

封装：TO-3PL

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高效率，低偏差。输入阻抗小，功耗低。抗高温、高湿。稳定性好，可靠性高。应用：音频放大器。开关应用

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￥4.5125 ￥4.75
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￥4.0755 ￥4.29
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￥3.8285 ￥4.03
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￥3.5625 ￥3.75
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￥3.439 ￥3.62
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￥3.382 ￥3.56

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型号：FZT849TA 编号：C154747

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 30V。高连续集电极电流：IC = 7A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。功率耗散：PD = 3W。极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。极低的饱和电压。互补PNP型FZT949。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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￥5.26
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￥4.38
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￥3.95
100+
￥3.51

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型号：2SC4793 编号：C2907782

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序·功率放大器的应用程序。·驱动级放大器的应用

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￥6.023 ￥6.34
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￥4.8545 ￥5.11
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￥4.2655 ￥4.49
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￥3.686 ￥3.88
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￥3.3345 ￥3.51
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￥3.154 ￥3.32

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型号：NJW21194G 编号：C47148335

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

高品质功放三极管，电流16A，耐压250V、功率200W

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￥6.137 ￥6.46
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￥5.111 ￥5.38
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￥4.5505 ￥4.79
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￥3.914 ￥4.12
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￥3.629 ￥3.82
900+
￥3.496 ￥3.68

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型号：MJL1302AG 编号：C47148338

封装：TO-3PL

品牌：OSEN(欧芯)

高品质功放三极管，电流16A，耐压250V、功率200W

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￥7.163 ￥7.54
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￥5.966 ￥6.28
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￥5.301 ￥5.58
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￥4.56 ￥4.8
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￥4.2275 ￥4.45
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￥4.085 ￥4.3

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型号：NTE2428-HXY 编号：C46682464

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备1A的集电极电流（IC）能力，适合于需要中等功率处理的应用场景。其集电极-发射极击穿电压（VCEO）为80V，确保在高电压环境下的可靠性与稳定性。直流电流增益（HFE）范围在180至390之间，使得它非常适合用于信号放大需求较高的电路设计中。此外，该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，能够支持高频操作，适用于如无线通信设备、音频处理以及其他对信号纯净度和传输速度有较高要求的电子装置中。

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￥9.135 ￥10.15
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￥6.93 ￥7.7
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￥6.057 ￥6.73
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￥5.67 ￥6.3
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￥5.499 ￥6.11

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型号：2SC3998 编号：C5280553

封装：TO-3PL

品牌：XCH(旭昌辉)

高速、高击穿电压

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1+
￥10.112 ￥12.8
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￥8.453 ￥10.7
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￥7.4102 ￥9.38
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￥6.3437 ￥8.03

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型号：MJ15003G-JSM 编号：C49206640

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

MJ15003/MJ15004 功率晶体管 20A 140V 250W

1+
￥10.72
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￥9.06
25+
￥8.02

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型号：2N5685 编号：C2907949

封装：TO-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

·设计用于高功率放大器和开关电路的应用

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￥11.5235 ￥12.13
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￥9.8515 ￥10.37
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￥8.626 ￥9.08
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￥7.5525 ￥7.95
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￥7.068 ￥7.44
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￥6.859 ￥7.22

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型号：WGC3998 编号：C22369082

封装：TO-264

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。

1+
￥11.925 ￥15.9
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￥11.325 ￥15.1
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￥10.965 ￥14.62
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￥10.4325 ￥13.91
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￥10.3575 ￥13.81

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型号：MJL21194G 编号：C223627

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

MJL21193 和 MJL21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。

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1+
￥29.21
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￥25.12
30+
￥22.69
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￥20.23
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￥19.1
1000+
￥18.59

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型号：SSM2212RZ-R7 编号：C207512

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

音频双通道匹配NPN晶体管

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1+
￥57.03
10+
￥48.95
30+
￥44.03

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型号：BC846A 编号：C49023422

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

(hFE):180@2mA,5V

50+
￥0.02928 ￥0.0366
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￥0.02856 ￥0.0357
3000+
￥0.02808 ￥0.0351
6000+
￥0.0276 ￥0.0345

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型号：S9018 编号：C556176

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

特性：AM/FM放大器，FM/VHF调谐器的本地振荡器。高电流增益带宽积

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50+
￥0.03616 ￥0.0904
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￥0.02836 ￥0.0709
3000+
￥0.02404 ￥0.0601
6000+
￥0.02144 ￥0.0536
24000+
￥0.0192 ￥0.048
51000+
￥0.01796 ￥0.0449

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型号：PMBT2222A-HXY 编号：C46682380

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）具有0.6A的集电极电流（IC）和40V的最大集电极-发射极电压（VCEO），适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益（HFE）范围为100至300，保证了信号放大的稳定性和效率。此外，该三极管的过渡频率（FT）达到300MHz，展示了它在高频应用中的卓越性能。这种特性使得它非常适合于通信设备、音频放大器及其他要求高速响应和精确放大的电子装置中，是构建高效能电路的理想元件选择。