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首页 > 热门关键词 > npn三极管
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操作
NPN 电流:1A 电压:40V
型号：PMMT491A,215 编号：C282567
封装：SOT-23
品牌：Nexperia(安世)
NPN BISS(小信号突破)晶体管,采用SOT23塑料封装。PNP组件:PMMT591A。
数据手册

  • 5+

    ￥0.7423

  • 50+

    ￥0.6038

  • 150+

    ￥0.5345

  • 500+

    ￥0.463296 ￥0.4826

  • 3000+

    ￥0.421632 ￥0.4392

  • 6000+

    ￥0.40176 ￥0.4185
  • 有货
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    NPN 50mA 4.5V
    型号：BFP 460 H6327 编号：C534095
    封装：SOT-343-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是用于互补无线解决方案的稳健、灵活、小型且可靠的设备。第8代射频晶体管可提供市场上最佳的噪声系数（NF），在应用中测得为0.6dB，可提高系统灵敏度，增强抗干扰能力，使信号收发更稳定可靠。产品组合丰富，提供多种不同封装和器件特性供客户选择。提供具有竞争力的交货周期（≤6周），确保供应安全，对客户发货日期和供应绩效的承诺始终超过行业标准2%。现场故障率平均<0.1PPM，质量和可靠性高。拥有全球现场应用工程和销售团队，提供专业灵活的设计支持和销售服务
    数据手册

    • 5+

      ￥0.744396 ￥1.4596

    • 50+

      ￥0.527752 ￥1.2872

    • 150+

      ￥0.376123 ￥1.2133

    • 500+

      ￥0.347572 ￥1.1212

    • 3000+

      ￥0.334831 ￥1.0801

    • 6000+

      ￥0.327205 ￥1.0555
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:4.5A 电压:20V
    型号：ZXTN618MATA 编号：C460290
    封装：DFN-3(2x2)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 20V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 150mV）。 RSAT = 47mΩ，低等效导通电阻。 hFE 高达 6A 时指定，高电流增益保持。 低外形，高度 0.0mm，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7779

    • 50+

      ￥0.638

    • 150+

      ￥0.5781

    • 500+

      ￥0.5033

    • 3000+

      ￥0.47

    • 6000+

      ￥0.45
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=160~320 NPN 电流:3A 电压:30V
    型号：2SD882L-P-T60-K 编号：C71140
    封装：TO-126
    品牌：UTC(友顺)
    特性：高电流输出可达 3A。 低饱和电压。 与 2SB772 互补。应用：音频功率放大器。 DC-DC 转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.778

    • 50+

      ￥0.6292

    • 200+

      ￥0.5548

    • 400+

      ￥0.499

    • 2400+

      ￥0.4543
  • 有货
    • 立即购买
    NPN TO-252塑料封装晶体管
    型号：MJD31C 编号：C49446794
    封装：TO-252
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MJD32C互补。应用：线性和开关工业应用

    • 5+

      ￥0.8257

    • 50+

      ￥0.6577

    • 150+

      ￥0.5737

    • 500+

      ￥0.5107

    • 2500+

      ￥0.4603

    • 5000+

      ￥0.4351
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+PNP 电流:1A 电压:230V
    型号：2SC4793-OSEN 编号：C20607869
    封装：TO-220F
    品牌：OSEN(欧芯)
    特性：高效率，低偏差。 输入阻抗小，功耗低。 抗高温、高湿。 稳定性好，可靠性高。应用：功率放大器应用。 驱动级放大器的应用

    • 5+

      ￥0.84265 ￥0.887

    • 50+

      ￥0.66481 ￥0.6998

    • 150+

      ￥0.57589 ￥0.6062

    • 500+

      ￥0.5092 ￥0.536

    • 2000+

      ￥0.45581 ￥0.4798

    • 5000+

      ￥0.429115 ￥0.4517
  • 有货
    • 立即购买
    NPN通用晶体管
    型号：TPLBTN560Y3T1G 编号：C51939655
    封装：SOT-89-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：消费电子。 电压开关。 高速开关

    • 5+

      ￥0.957904 ￥1.2604

    • 50+

      ￥0.747232 ￥0.9832

    • 150+

      ￥0.656944 ￥0.8644

    • 1000+

      ￥0.544312 ￥0.7162

    • 2000+

      ￥0.494152 ￥0.6502

    • 5000+

      ￥0.46398 ￥0.6105
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:350V
    型号：FMMT6517TA 编号：C155518
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 350V。 集电极电流高：Ic = 500mA。 功耗：350mW。 hFE为15（Ic = 100mA时）。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 符合AEC-Q101高可靠性标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9956

    • 50+

      ￥0.8089

    • 150+

      ￥0.7155

    • 500+

      ￥0.6455
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1.5A 电压:20V
    型号：ZXTN26020DMFTA 编号：C461825
    封装：DFN-3(1.4x1.1)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：高增益低饱和压降NPN晶体管。 极低的集电极发射极饱和电阻。 高脉冲峰值电流能力。 连续集电极电流额定值为1.5A。 超小表面贴装封装。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0757

    • 50+

      ￥0.9591

    • 150+

      ￥0.9092

    • 500+

      ￥0.8469
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:3A 电压:50V
    型号：LBSS4350SZ4TZHG 编号：C5273328
    封装：SOT-223
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度。 大电流容量和宽安全工作区。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1108

    • 50+

      ￥0.8891

    • 150+

      ￥0.794

    • 500+

      ￥0.6754
  • 有货
    • 立即购买
    功放管 NPN+PNP 电流:1.5A 电压:150V
    型号：C2073 编号：C20607878
    封装：TO-220AB
    品牌：OSEN(欧芯)
    特性：高效率，低偏差。 输入阻抗小，功耗低。 抗高温、高湿。 稳定性好，可靠性高。应用：音频放大器。 开关应用

    • 5+

      ￥1.12461 ￥1.1838

    • 50+

      ￥0.88521 ￥0.9318

    • 150+

      ￥0.78261 ￥0.8238

    • 500+

      ￥0.654645 ￥0.6891

    • 2000+

      ￥0.597645 ￥0.6291

    • 5000+

      ￥0.563445 ￥0.5931
  • 有货
    • 立即购买
    2SC5866TLR
    型号：2SC5866TLR 编号：C213435
    封装：SC-96
    品牌：ROHM(罗姆)
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1308

    • 50+

      ￥0.8788

    • 150+

      ￥0.7708

    • 500+

      ￥0.6361
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:230V
    型号：2SC4793 编号：C2920868
    封装：TO-220F-3
    品牌：minos(迈诺斯)
    特性：与2SA1837互补。 高集电极电压：VCEO = 230V（最小值）
    数据手册

    • 1+

      ￥1.145205 ￥1.3473

    • 10+

      ￥0.944945 ￥1.1117

    • 50+

      ￥0.72811 ￥0.8566

    • 100+

      ￥0.62101 ￥0.7306

    • 500+

      ￥0.573325 ￥0.6745

    • 1000+

      ￥0.54468 ￥0.6408
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:3A 电压:30V
    型号：NST489AMT1G 编号：C889760
    封装：TSOP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1742 ￥2.06

    • 10+

      ￥0.8366 ￥1.78

    • 30+

      ￥0.6179 ￥1.67

    • 100+

      ￥0.5624 ￥1.52

    • 500+

      ￥0.5365 ￥1.45

    • 1000+

      ￥0.5217 ￥1.41
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:3A 电压:20V
    型号：DNLS320E-13 编号：C144152
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电阻：在3A时，RCE(SAT) = 80mΩ。 高直流电流增益：在IC = 2A时，hF > 400。 有互补PNP类型。 适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 无铅设计/符合RoHS标准。 环保器件
    数据手册

    • 1+

      ￥1.344 ￥2.1

    • 10+

      ￥0.999 ￥1.85

    • 30+

      ￥0.7656 ￥1.74

    • 100+

      ￥0.7084 ￥1.61

    • 500+

      ￥0.682 ￥1.55

    • 1000+

      ￥0.6688 ￥1.52
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:50mA 电压:11V
    型号：BFS17NTA 编号：C526479
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：3.2GHz单位增益，适用于RF开关应用。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：RF开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3635

    • 50+

      ￥1.2025

    • 150+

      ￥1.1335

    • 500+

      ￥1.0474
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:8A 电压:80V
    型号：MJD44H11T4G-DW 编号：C49195056
    封装：TO-252
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度。 互补型号为MJD44H11。 标记：MJD44H11。应用：功率放大器。 开关电路

    • 5+

      ￥1.382

    • 50+

      ￥1.0947

    • 150+

      ￥0.9716

    • 500+

      ￥0.818
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=180~450 NPN 电流:2A 电压:50V
    型号：2SCR553PT100 编号：C184967
    封装：SOT-89
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低饱和电压，典型值 VCE(sat) = 350 mV（最大值）(IC / IB = 700 mA / 35 mA)。 高速开关。应用：低频放大器。 高速开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4133

    • 50+

      ￥1.1402

    • 150+

      ￥1.0231

    • 1000+

      ￥0.7708

    • 2000+

      ￥0.7057
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:6A 电压:100V
    型号：MJD122T4G(MS) 编号：C22365380
    封装：TO-252
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款MJD122T4G，采用表面贴装TO-252(DPAK)，MJD122达林顿晶体管适用于各种需要大电流驱动的应用场景，如电源开关、电机驱动、LED驱动、音频放大器以及各类功率控制电路。

    • 5+

      ￥1.5691

    • 50+

      ￥1.2163

    • 150+

      ￥1.0651

    • 500+

      ￥0.8765

    • 2500+

      ￥0.7925

    • 5000+

      ￥0.742
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:2A 电压:20V
    型号：NSS20201LT1G 编号：C150046
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6161

    • 50+

      ￥1.2734

    • 150+

      ￥1.1265

    • 500+

      ￥0.8752

    • 3000+

      ￥0.7936

    • 6000+

      ￥0.7446
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-223 塑料封装晶体管
    型号：CZT122 编号：C3031885
    封装：SOT-223
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与CZT127互补。 硅功率达林顿晶体管。 适用于低速开关和放大器应用
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6355

    • 50+

      ￥1.3028

    • 150+

      ￥1.1603

    • 500+

      ￥0.9824
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：PZT3904T1G 编号：C232396
    封装：SOT-223
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7373

    • 50+

      ￥1.3757

    • 150+

      ￥1.2207

    • 1000+

      ￥1.0274
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：FMB2222A 编号：C241828
    封装：SSOT-6
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件用于需要最高 500 mA 集极电流的中等功率放大器和开关。源自 Process 19。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7546

    • 50+

      ￥1.3849

    • 150+

      ￥1.2264

    • 500+

      ￥1.0287
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:2A 电压:70V
    型号：ZXTN26070CV-7 编号：C460144
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO = 70V。 IC = 2.0A 连续电流。 ICM = 5A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VLow(sat) < 30mV @ 100mA。 Rsat = 130mΩ 低等效导通电阻。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 1+

      ￥1.8126 ￥3.18

    • 10+

      ￥1.363 ￥2.9

    • 30+

      ￥1.0175 ￥2.75

    • 100+

      ￥0.9657 ￥2.61

    • 500+

      ￥0.8991 ￥2.43

    • 1000+

      ￥0.8806 ￥2.38
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:300V
    型号：MJD340-13 编号：C443830
    封装：DPAK-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 300V。 高连续集电极电流：IC = 0.5A。 峰值脉冲电流：ICM = 0.75A。 适用于功率开关或放大应用。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8952

    • 50+

      ￥1.5063

    • 150+

      ￥1.3396

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      ￥1.1316
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    NPN 电流:800mA 电压:30V
    型号：2SC5344-Y 编号：C22388874
    封装：TO-92
    品牌：LGE(鲁光)
    特性：音频功率放大器应用。 高hFE：hFE = 100-320。 与2SA1981互补

    • 1+

      ￥1.91

    • 10+

      ￥1.67

    • 30+

      ￥1.57

    • 100+

      ￥1.44

    • 500+

      ￥1.38
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    NPN 电流:7A 电压:200V
    型号：BU406 编号：C81221
    封装：TO-220-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    NPN400V7A大功率晶体管，常用于加湿器等
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    • 5+

      ￥1.989

    • 50+

      ￥1.5909

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      ￥1.4202

    • 500+

      ￥1.2073
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    NPN 电流:6A 电压:100V
    型号：TIP41C 编号：C20606463
    封装：TO-263
    品牌：YFW(佑风微)

    • 5+

      ￥2.0088 ￥2.232

    • 50+

      ￥1.58337 ￥1.7593

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    • 800+

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      ￥0.98352 ￥1.0928
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    NPN 电流:5A 电压:50V
    型号：ZXTN2031FTA 编号：C92166
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 50V。 BVCEV > 80V 正向阻断电压。 IC = 5A 高连续集电极电流。 ICM = 12A 峰值集电极电流。 低饱和电压，VCE(SAT) < 40mV @1A。 RCE(SAT) = 24mΩ 低等效导通电阻。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电机驱动
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    • 1+

      ￥2.02

    • 10+

      ￥1.44

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    • 100+

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      ￥0.69

    • 1000+

      ￥0.6
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    NPN硅外延平面晶体管，用于功率开关和放大器应用
    型号：MJD31C 编号：C49823466
    封装：TO-252
    品牌：Huixin(慧芯)
    晶体管类型：NPN，集电极电流：3A，集射极击穿电压：100V，耗散功率：1.56W，适用于线性及开关应用。

    • 5+

      ￥2.026904 ￥2.3033

    • 50+

      ￥1.60556 ￥1.8245

    • 150+

      ￥1.424984 ￥1.6193

    • 500+

      ￥1.199704 ￥1.3633

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      ￥1.039192 ￥1.1809
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