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首页 > 热门关键词 > npn三极管
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NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
数据手册
  • 10+

    ¥0.2505
  • 100+

    ¥0.1987
  • 300+

    ¥0.1728
  • 3000+

    ¥0.1389
  • 6000+

    ¥0.1234
  • 9000+

    ¥0.1156
  • 有货
  • NPN 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。 此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2654
    • 100+

      ¥0.2141
    • 300+

      ¥0.1884
    • 3000+

      ¥0.1691
    • 6000+

      ¥0.1537
    • 9000+

      ¥0.146
  • 有货
  • 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1.3W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.28291 ¥0.2978
    • 100+

      ¥0.227525 ¥0.2395
    • 300+

      ¥0.19988 ¥0.2104
    • 1000+

      ¥0.172235 ¥0.1813
    • 5000+

      ¥0.15561 ¥0.1638
    • 10000+

      ¥0.147345 ¥0.1551
  • 有货
  • MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用,采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中,此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2977
    • 100+

      ¥0.2363
    • 300+

      ¥0.2056
    • 1000+

      ¥0.1825
    • 5000+

      ¥0.1641
  • 有货
  • 特性:VCE = 50V。 IC = 2A。 fT = 100MHz @ VCE = 10V, IC = 50mA, f = 100MHz。 低饱和电压
    • 10+

      ¥0.3064
    • 100+

      ¥0.244
    • 300+

      ¥0.2128
    • 3000+

      ¥0.1777
    • 6000+

      ¥0.159
    • 9000+

      ¥0.1497
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 63-160 BK NPN,Vceo=80V,Ic=1A,hfe=63~160
    数据手册
    • 10+

      ¥0.308574 ¥0.3318
    • 100+

      ¥0.246078 ¥0.2646
    • 300+

      ¥0.21483 ¥0.231
    • 1000+

      ¥0.190092 ¥0.2044
    • 5000+

      ¥0.171306 ¥0.1842
    • 10000+

      ¥0.161913 ¥0.1741
  • 有货
  • 通用小信号放大器(50V,150mA)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.313
    • 200+

      ¥0.2495
    • 600+

      ¥0.2142
    • 3000+

      ¥0.1631
  • 有货
  • 特性:高集电极电流-低集电极-发射极饱和电压。 封装:SOT-223。 模塑料,UL 可燃性分类等级 94V-0。 引脚:雾锡电镀引脚,可根据 MIL-STD-202 方法 208 焊接
    • 5+

      ¥0.527
    • 50+

      ¥0.4166
    • 150+

      ¥0.3614
    • 1000+

      ¥0.32
    • 2000+

      ¥0.2869
    • 5000+

      ¥0.2703
  • 有货
  • 该器件适用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6677
    • 50+

      ¥0.5337
    • 150+

      ¥0.4667
    • 500+

      ¥0.4165
    • 2000+

      ¥0.3634
    • 4000+

      ¥0.3433
  • 有货
  • 先进的工艺能力实现了高电流增益保持,使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.808896 ¥1.2639
    • 50+

      ¥0.61425 ¥1.1375
    • 150+

      ¥0.476696 ¥1.0834
    • 500+

      ¥0.446952 ¥1.0158
    • 3000+

      ¥0.433708 ¥0.9857
    • 6000+

      ¥0.425744 ¥0.9676
  • 有货
  • 特性:与MJD32C互补。应用:线性和开关工业应用
    • 5+

      ¥0.842935 ¥0.8873
    • 50+

      ¥0.671935 ¥0.7073
    • 150+

      ¥0.586435 ¥0.6173
    • 500+

      ¥0.52231 ¥0.5498
    • 2500+

      ¥0.481745 ¥0.5071
    • 5000+

      ¥0.456 ¥0.48
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A,可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9655
    • 50+

      ¥0.7638
    • 150+

      ¥0.663
    • 500+

      ¥0.5873
    • 2500+

      ¥0.5268
    • 5000+

      ¥0.4966
  • 有货
  • 特性:高过渡频率
    • 5+

      ¥0.9751
    • 50+

      ¥0.7634
    • 150+

      ¥0.6727
    • 500+

      ¥0.5595
  • 有货
  • 采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN高压晶体管。PNP互补型号:MMBTA92。
    • 5+

      ¥1.0051
    • 50+

      ¥0.8707
    • 150+

      ¥0.8035
    • 500+

      ¥0.7531
    • 3000+

      ¥0.696
    • 6000+

      ¥0.6758
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 连续集电极电流 IC = 600mA。 低饱和电压(最大150mV @ 10mA)。 hFE在高达50mA时指定,以实现高增益保持。 互补PNP类型:DZT5401。应用:高压放大应用。 高压开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0282
    • 50+

      ¥0.9064
    • 150+

      ¥0.8542
    • 500+

      ¥0.789
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2148
    • 50+

      ¥0.9762
    • 150+

      ¥0.8739
    • 500+

      ¥0.7463
    • 3000+

      ¥0.6118
  • 有货
  • NPN 双极晶体管适用于音频放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中,适用于中等功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2971
    • 50+

      ¥1.0149
    • 150+

      ¥0.8939
    • 1000+

      ¥0.718
    • 2000+

      ¥0.6508
    • 5000+

      ¥0.6105
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.3167 ¥2.09
    • 10+

      ¥0.9805 ¥1.85
    • 30+

      ¥0.7482 ¥1.74
    • 100+

      ¥0.6923 ¥1.61
    • 500+

      ¥0.6665 ¥1.55
    • 1000+

      ¥0.6536 ¥1.52
  • 有货
  • NPN/NPN 匹配双晶体管,采用超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 无铅表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP/PNP 互补型号:BCM857QAS
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4207
    • 50+

      ¥1.1148
    • 150+

      ¥0.9836
    • 500+

      ¥0.82
    • 2500+

      ¥0.7472
    • 5000+

      ¥0.7034
  • 有货
  • 此款MJD41CT4G达林顿三极管,它具备比普通单个三极管更大的电流驱动能力,采用表面贴装TO-252(DPAK),广泛应用在功率放大器、电机驱动、继电器驱动、开关电路以及各种需要高电流输出的应用场合
    • 5+

      ¥1.539 ¥1.71
    • 50+

      ¥1.35 ¥1.5
    • 150+

      ¥1.269 ¥1.41
    • 500+

      ¥1.125 ¥1.25
    • 2500+

      ¥1.08 ¥1.2
    • 5000+

      ¥1.053 ¥1.17
  • 有货
  • 低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 21000+

      ¥0.96642
    • 42000+

      ¥0.94185
    • 63000+

      ¥0.90909
    • 126000+

      ¥0.89271
    NPN 高压晶体管,采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号:BF021-Q
    • 5+

      ¥1.7268
    • 50+

      ¥1.3727
    • 150+

      ¥1.2209
    • 500+

      ¥1.0316
    • 2500+

      ¥0.9473
    • 4000+

      ¥0.8967
  • 有货
  • 采用小型SOT457(SC - 74)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0408
    • 50+

      ¥1.65
    • 150+

      ¥1.4825
    • 500+

      ¥1.2735
    • 3000+

      ¥1.1804
    • 6000+

      ¥1.1245
  • 有货
  • 采用先进的工艺能力和封装设计,以最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6112 ¥2.72
    • 10+

      ¥2.0812 ¥2.42
    • 30+

      ¥1.7328 ¥2.28
    • 100+

      ¥1.6112 ¥2.12
    • 500+

      ¥1.558 ¥2.05
    • 1000+

      ¥1.52 ¥2
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V,IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。 比 SO1223 小 43%,比 TO252 小 60%。 最大高度仅 1.1mm。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用:电机驱动。 使用射极跟随器的电压调节器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.66 ¥2.8
    • 10+

      ¥2.1845 ¥2.57
    • 30+

      ¥1.845 ¥2.46
    • 100+

      ¥1.7625 ¥2.35
    • 500+

      ¥1.71 ¥2.28
    • 1000+

      ¥1.6875 ¥2.25
  • 有货
  • 特性:采用FBET和MBIT工艺。 集电极-发射极饱和电压低。 超小封装,便于终端产品小型化。 允许的功率耗散高。 电流容量大。 高速开关。应用:继电器驱动器。 灯驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.67
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • NPN 双极功率晶体管用于高电压通用型应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.19
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.23
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
  • NPN外延硅晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.24
    • 10+

      ¥2.54
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.51
  • 有货
  • 设计用于线路操作音频输出放大器、开关电源驱动器和其他开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.71
    • 10+

      ¥2.96
    • 30+

      ¥2.58
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥1.98
    • 1000+

      ¥1.87
  • 有货
  • 低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.72
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.27
    • 500+

      ¥2.01
    • 1000+

      ¥1.9
  • 有货
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