npn三极管_厂家_价格_品牌_库存

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10+
￥0.3362
100+
￥0.2738
300+
￥0.2426
1000+
￥0.2088
5000+
￥0.1901

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型号：2SC3356-R25 编号：C963377

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

大尺寸，遥控器专用芯片R25

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10+
￥0.380715 ￥0.4479
100+
￥0.296735 ￥0.3491
300+
￥0.25466 ￥0.2996
3000+
￥0.236725 ￥0.2785
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￥0.211565 ￥0.2489
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￥0.1989 ￥0.234

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型号：BC846S,115 编号：C133184

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOT363（SC - 88）塑料六引脚封装的NPN双晶体管。

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10+
￥0.4466
100+
￥0.3515
300+
￥0.304
3000+
￥0.265617 ￥0.2683
6000+
￥0.237402 ￥0.2398
9000+
￥0.223245 ￥0.2255

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型号：CZT5551 编号：C189433

封装：SOT-223

特性：高电压：适用于高电压放大器应用

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10+
￥0.472
100+
￥0.3808
300+
￥0.3352
2500+
￥0.301

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型号：D882(RANGE:200-400) 编号：C111881

封装：SOT-89-3L

特性：功率耗散

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10+
￥0.4821
100+
￥0.3981
300+
￥0.3561
1000+
￥0.2896

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型号：2SC2383-O 编号：C358548

封装：TO-92LM

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-92LM 塑封封装 NPN 半导体三极管。

5+
￥0.5338
50+
￥0.4161
150+
￥0.3572
500+
￥0.3131
2500+
￥0.2777
5000+
￥0.2601

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型号：MMBTH10LT1G 编号：C16204

封装：SOT-23

特性：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

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5+
￥0.5455
50+
￥0.4269
150+
￥0.3676
500+
￥0.3232
3000+
￥0.2796

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型号：2SD1802T 编号：C962558

封装：TO-252

品牌：SHIKUES(时科)

特性：采用FBET、MBIT工艺。大电流容量和宽安全工作区。低集电极-发射极饱和电压。快速开关速度

5+
￥0.789165 ￥0.8307
50+
￥0.6346 ￥0.668
150+
￥0.557365 ￥0.5867
500+
￥0.49932 ￥0.5256
2500+
￥0.400045 ￥0.4211
5000+
￥0.376865 ￥0.3967

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型号：PHE13003C,412 编号：C256388

封装：TO-92

品牌：WeEn(瑞能)

高电压、高速、平面钝化 NPN 功率开关晶体管，采用 SOT54 (TO-92) 塑料封装。

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5+
￥0.9374
50+
￥0.7499
150+
￥0.6561
1000+
￥0.5858

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型号：LBTN560Z4TZHG 编号：C5273334

封装：SOT-223

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流能力。高集电极电流增益。由于发热少，效率高。所需印刷电路板 (PCB) 面积更小。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

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5+
￥1.0021
50+
￥0.7969
150+
￥0.709
500+
￥0.5993
2500+
￥0.526
4000+
￥0.4967

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型号：2SD1760Q 编号：C19269139

封装：TO-252-2L

特性：低VCE(sat)，VCE(sat) = 0.5V（典型值）(IC / IB = 2A / 0.2A)。与2SB1184互补

5+
￥1.0473
50+
￥0.8281
150+
￥0.7341
500+
￥0.6169
2500+
￥0.5647

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型号：KSE350G-JSM 编号：C18188743

封装：TO-126F

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为高压和通用应用而设计。

5+
￥1.07604 ￥1.1956
50+
￥0.93429 ￥1.0381
150+
￥0.87354 ￥0.9706
1000+
￥0.79776 ￥0.8864
2000+
￥0.76401 ￥0.8489
5000+
￥0.74376 ￥0.8264

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型号：MJD122(MS) 编号：C22365381

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD122，采用表面贴装TO-252(DPAK)，MJD122达林顿晶体管适用于各种需要大电流驱动的应用场景，如电源开关、电机驱动、LED驱动、音频放大器以及各类功率控制电路。

5+
￥1.095635 ￥1.1533
50+
￥0.856235 ￥0.9013
150+
￥0.753635 ￥0.7933
500+
￥0.62567 ￥0.6586
2500+
￥0.56867 ￥0.5986
5000+
￥0.53447 ￥0.5626

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型号：PBSS4330X,135 编号：C551926

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN低VcEsat晶体管，采用SOT89塑料封装。

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5+
￥1.174338 ￥1.7793
50+
￥0.987728 ￥1.7638
150+
￥0.806564 ￥1.7534
500+
￥0.801826 ￥1.7431

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型号：CXT3904TR-HXY 编号：C46682488

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流IC，能够在40V的集电极-发射极电压下工作，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益HFE在100到300之间，使得它在信号放大方面表现出色。此外，该三极管的特征频率FT达到300MHz，确保了在高频应用中的稳定性和效率。此款三极管特别适合于通讯设备、消费电子等领域，为需要高灵敏度和快速响应的应用提供支持。

5+
￥1.21545 ￥1.3505
50+
￥0.96282 ￥1.0698
150+
￥0.85455 ￥0.9495
1000+
￥0.71937 ￥0.7993
2000+
￥0.65925 ￥0.7325
5000+
￥0.62316 ￥0.6924

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型号：DMMT5551-7-F 编号：C445514

封装：SOT-26

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于低功率放大和开关。本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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5+
￥1.2337
50+
￥0.9748
150+
￥0.8639
500+
￥0.7254
3000+
￥0.6638

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型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

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5+
￥1.428
50+
￥1.1356
150+
￥1.0103
500+
￥0.854
2500+
￥0.7844

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型号：FCX493TA 编号：C151570

封装：SOT-89

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

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5+
￥1.4301
50+
￥1.1396
150+
￥1.0151
1000+
￥0.7498
2000+
￥0.6806

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型号：MJD31T4G 编号：C184041

封装：TO-252(DPAK)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

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5+
￥1.504
50+
￥1.3185
150+
￥1.239
500+
￥1.0071
2500+
￥0.963
5000+
￥0.9365

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型号：MJD31C-13 编号：C435909

封装：DPAK-3

特性：BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准

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5+
￥1.6238
50+
￥1.3035
150+
￥1.1663
500+
￥0.995
2500+
￥0.9188

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型号：NSS1C201LT1G 编号：C152544

封装：SOT-23

低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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5+
￥1.8738
50+
￥1.4723
150+
￥1.3002
500+
￥1.0855
3000+
￥0.9876
6000+
￥0.9302

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型号：STN851 编号：C133359

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换NPN功率晶体管

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5+
￥2.5446
50+
￥1.9866
150+
￥1.7475
1000+
￥1.4492
2000+
￥1.3163

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型号：MJE182G 编号：C27681

封装：TO-225-3

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

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5+
￥2.733
50+
￥2.1509
150+
￥1.9014
500+
￥1.4461
2500+
￥1.3075
5000+
￥1.2244

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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

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1+
￥2.93
10+
￥2.27
30+
￥1.99
100+
￥1.64
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

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型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

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1+
￥3.71
10+
￥2.88
30+
￥2.52
100+
￥2.07
500+
￥1.88
1000+
￥1.76

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型号：PBSS4160QAZ 编号：C458173

封装：DFN1010-3

品牌：Nexperia(安世)

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1+
￥3.84
10+
￥3.18
30+
￥2.85
100+
￥2.4192 ￥2.52
500+
￥2.2368 ￥2.33
1000+
￥2.1312 ￥2.22

有货

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型号：MJE15032G 编号：C134071

封装：TO-220