美丽微三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：S9013 编号：C909749

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

NPN 电流:500mA 耐压:25V (hFE):400@50mA,1V

数据手册

50+
￥0.04784 ￥0.0598
500+
￥0.03792 ￥0.0474
3000+
￥0.02984 ￥0.0373
6000+
￥0.02656 ￥0.0332
30000+
￥0.02368 ￥0.0296
45000+
￥0.02216 ￥0.0277

有货

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型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

数据手册

1+
￥4.82
10+
￥3.9
30+
￥3.44
100+
￥2.98
500+
￥2.45

有货

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型号：ZTX853 编号：C78831

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。连续电流：4A。峰值电流：高达10A。极低的饱和电压。总功率（Ptot）：1.2W

数据手册

1+
￥4.94
10+
￥4.02
30+
￥3.56
100+
￥3.11
500+
￥2.83
1000+
￥2.69

有货

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型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.18
30+
￥3.7
100+
￥3.22
500+
￥2.9
1000+
￥2.75

有货

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型号：MJD31CRLG 编号：C233747

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

数据手册

1+
￥5.16
10+
￥3.8223 ￥4.11
30+
￥2.9714 ￥3.58
100+
￥2.5398 ￥3.06
500+
￥2.2825 ￥2.75
1000+
￥2.1497 ￥2.59

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型号：PHPT60410PYX 编号：C6147419

封装：SC-100(SOT-669)

品牌：Nexperia(安世)

PNP 高功率双极晶体管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑料封装。NPN 互补型号为 PHPT60410NY。

1+
￥5.52
10+
￥5.42
30+
￥5.35
100+
￥5.0688 ￥5.28

有货

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型号：FZT956TA 编号：C144161

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.56
30+
￥4.04
100+
￥3.53
500+
￥3.22
1000+
￥3.06

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型号：FZT951QTA 编号：C460221

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 IC =-5A 高连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-140 mV @-1 A。 RCE(SAT) = 55 mΩ 低等效导通电阻。 hFE 规定至-10A 以实现高增益保持。互补 NPN 类型：FZT851。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.83
30+
￥4.42
100+
￥4.02
500+
￥3.66

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型号：STD2805T4 编号：C672201

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该器件采用“基极岛”布局，运用 PNP 平面技术制造。由此制成的晶体管具有极高的增益性能，同时饱和电压极低。

1+
￥6.58
10+
￥5.35
30+
￥4.73
100+
￥4.12
500+
￥3.76

有货

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型号：PBHV9115T,215 编号：C282550

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23（TO - 263AB）小尺寸表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP型高压、低VCEsat晶体管。与之互补的NPN型晶体管为PBHV8115T。

数据手册

1+
￥7.29
10+
￥6.03
30+
￥5.34
100+
￥4.55
500+
￥4.21
1000+
￥4.05

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型号：MJL21193G 编号：C47148332

封装：TO-3PL

品牌：OSEN(欧芯)

高品质功放三极管，电流16A，耐压250V、功率200W

1+
￥9.6425 ￥10.15
10+
￥8.208 ￥8.64
25+
￥7.315 ￥7.7
100+
￥6.3935 ￥6.73
450+
￥5.985 ￥6.3
900+
￥5.8045 ￥6.11

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型号：TTA1943(Q) 编号：C282420

封装：TO-3P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TTA1943适用于功率放大器应用。高集电极电压：VCEO = -230 V (rΩ min)，与TTC5200互补，推荐用于100 W高保真音频放大器输出级。

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1+
￥10.4
10+
￥8.76
30+
￥7.86
100+
￥6.59

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型号：WGC5453 编号：C22369080

封装：TO-264

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。

1+
￥11.925 ￥15.9
10+
￥11.325 ￥15.1
25+
￥10.965 ￥14.62
100+
￥10.605 ￥14.14
500+
￥10.4325 ￥13.91
1000+
￥10.3575 ￥13.81

有货

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型号：FJL6920TU 编号：C512904

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

NPN型三重扩散平面硅晶体管

数据手册

1+
￥21.81
10+
￥18.44
25+
￥16.44
100+
￥14.42
375+
￥13.48
1125+
￥13.06

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型号：NJW3281G 编号：C328094

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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1+
￥22.89
10+
￥19.67
30+
￥17.76
90+
￥15.83
510+
￥14.93
990+
￥14.53

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型号：NTE2312-HXY 编号：C47502956

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，具备8A的集电极电流（IC）能力和高达400V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），确保在高电压环境下稳定运行。其直流电流增益（HFE）为10，适用于需要中等放大能力的电路。该三极管的过渡频率（FT）达到4MHz，表明它能在高频条件下有效工作。整体而言，这款三极管非常适合于构建要求严格的电源管理及信号处理电路，满足对精度和稳定性有较高要求的应用场景。