美丽微三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXTP25020BFHTA 编号：C672075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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￥1.484 ￥2.12
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￥1.309 ￥1.87
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￥1.232 ￥1.76
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￥1.141 ￥1.63
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￥1.099 ￥1.57
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￥1.078 ￥1.54

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型号：2SAR554RTL 编号：C962667

封装：SOT-346

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适用于中功率驱动器。低VCE(sat)：VCE(sat)= -400mV（最大值）（IC/IB = -500mA/-25mA）。应用：低频放大器。高速开关

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￥1.5603
50+
￥1.2528
150+
￥1.121
500+
￥0.9566

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型号：BC868-25,115 编号：C549548

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥1.5972
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￥1.2913
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￥1.1602
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￥0.956736 ￥0.9966
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￥0.886848 ￥0.9238
5000+
￥0.844896 ￥0.8801

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型号：FCX491ATA 编号：C155278

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。IC = 1A 高连续电流。低饱和电压 V(sat) < 500mV @ 1A。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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￥1.6164
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￥1.4181
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￥1.3332
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￥1.2272

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型号：MJD32CQ 编号：C20602014

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级为1。应用：通用放大器和低速开关应用

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￥1.73
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￥1.31
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￥1.26
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￥1.23

有货

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型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

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￥1.7738
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￥1.4074
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￥1.2504
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￥1.0089

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型号：FZT955 编号：C52200675

封装：SOT-223

品牌：Leiditech(雷卯电子)

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￥1.8653
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￥1.4621
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￥1.2893
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￥1.0737
2500+
￥0.9777

有货

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型号：MOT13009DA 编号：C51934030

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

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￥1.8678
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￥1.4847
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￥1.3206
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￥1.1158
2000+
￥1.0246

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型号：PBSS5540Z,115 编号：C426845

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4540Z。

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￥1.951
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￥1.6123
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￥1.4672
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￥1.09858 ￥1.1564
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￥1.02201 ￥1.0758
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￥0.97603 ￥1.0274

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型号：ZXTC2062E6TA 编号：C444407

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN + PNP组合。 BVCEO > 20 (-20)V。 BVEBO > 7 (-7)。连续集电极电流 IC = 4 (-3.5)A。 VCE(sat) < 50 (-65)mV @ 1A。 RCE(sat) = 35 (54)mΩ。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。电机驱动

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￥1.9713
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￥1.4007
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￥1.035

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型号：BF723,115 编号：C70014

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP 高压晶体管，采用 SOT223 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。NPN 互补型号：BF722

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￥2.0097
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￥1.6248
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￥1.4599
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￥1.203936 ￥1.2541
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￥1.115904 ￥1.1624
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￥1.063104 ￥1.1074

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型号：KTD1414-U/PF 编号：C17701480

封装：TO-220

品牌：KEC

特性：高直流电流增益：在VCE = 2V、IC = 1A时，hFE = 2000（最小值）。应用：开关应用。锤式驱动器

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￥1.5288 ￥1.56
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￥1.4602 ￥1.49
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￥1.421 ￥1.45

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型号：PMBTA45,215 编号：C456136

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN高压、低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBHV9050T

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￥2.171
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￥0.9673

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型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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￥2.3597
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￥1.9099
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￥1.7171

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型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

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￥1.5134

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型号：2SD1623T-TD-E 编号：C604966

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

2SD1623 是一款双极晶体管，50V 2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于高电流开关应用。

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￥2.53
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￥1.97
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￥1.73
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￥1.43
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￥1.22

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型号：PMP5201Y,115 编号：C553005

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。SOT666 和 SOT363 (SC-88) 封装中的晶体管内部完全隔离。

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￥1.5326 ￥1.58
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￥1.3386 ￥1.38

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型号：PBSS4112PANP,115 编号：C551888

封装：DFN2020-6

品牌：Nexperia(安世)

NPN/PNP 低 VCEsat 小信号 (BISS) 晶体管，采用无铅中功率 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装塑料封装。NPN/NPN 互补型号为 PBSS4112PAN，PNP/PNP 互补型号为 PBSS5112PAP。

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型号：2STF2360 编号：C128669

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换PNP功率晶体管

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型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。

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￥1.7
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￥1.46

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型号：STN9360 编号：C155571

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

高压快速切换PNP功率晶体管

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￥2.9814
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￥2.5429
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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

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￥3.01
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￥2.29
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￥2.12

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型号：BFU550XAR 编号：C2802650

封装：SOT-143-4

品牌：NXP(恩智浦)

NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SCT143B封装，适用于高速、低噪声应用。适用于高达2 GHz的小信号到中功率应用。

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￥3.12
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￥2.49
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￥2.22
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￥1.692 ￥1.88
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￥1.557 ￥1.73
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￥1.476 ￥1.64

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型号：OSA13009-1 编号：C20607955

封装：TO-3PNT

品牌：OSEN(欧芯)

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￥3.173 ￥3.34
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￥2.5555 ￥2.69
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￥2.2515 ￥2.37
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￥1.938 ￥2.04
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￥1.7575 ￥1.85
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￥1.6625 ￥1.75

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型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

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1+
￥3.29
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￥2.62
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￥2.33
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￥1.97
500+
￥1.81

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型号：D209L 编号：C20607957

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高开关速度。低正向压降。高效低功耗。大电流浪涌能力强。应用：电子镇流器。开关电源

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￥3.3725 ￥3.55
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￥2.717 ￥2.86
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￥2.3845 ￥2.51
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￥2.0615 ￥2.17
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￥1.8715 ￥1.97
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￥1.767 ￥1.86

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型号：KTC4370A-Y-U/PF 编号：C125308

封装：TO-220IS

品牌：KEC

特性：高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。与KTA1659/A互补

数据手册

1+
￥3.58
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￥2.85
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￥2.54
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￥2.0425 ￥2.15
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￥1.881 ￥1.98
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￥1.786 ￥1.88

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型号：3DD13009AN 编号：C162359

封装：TO-3PN

品牌：华润华晶

3DD13009AN是硅NPN型功率开关晶体管，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。

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1+
￥4.07
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￥3.32
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￥2.77
90+
￥2.4
510+
￥2.17

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

数据手册

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￥4.16
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￥3.45
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￥3.09
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￥2.74
500+
￥2.53
1000+
￥2.42

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型号：STIP3055 编号：C49206896

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

15A 60V互补硅功率晶体管

1+
￥4.4
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￥3.53
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￥3.1
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￥2.67
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￥2.42
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