蓝箭三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PBSS4120T,215 编号：C455069

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN BISS晶体管采用SOT23塑料封装，提供超低的VcEsat和RcEsat参数。PNP互补型号为PBSS5120T。

数据手册

5+
￥0.8548
50+
￥0.6949
150+
￥0.6149
500+
￥0.5328 ￥0.555
3000+
￥0.48672 ￥0.507
6000+
￥0.46368 ￥0.483

有货

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型号：DMMT3906W-7-F 编号：C151567

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。一对本质匹配的 PNP 晶体管。电流增益（hFE）匹配度为 2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为 2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

数据手册

5+
￥0.8554
50+
￥0.6906
150+
￥0.6081
500+
￥0.5463
3000+
￥0.4968
6000+
￥0.4721

有货

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型号：KSP44BU 编号：C232817

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCEO = KSP44: 400 V；KSP45: 350 V

数据手册

5+
￥1.209592 ￥1.2868
50+
￥0.949212 ￥1.0098
150+
￥0.837634 ￥0.8911
1000+
￥0.64672 ￥0.688
2000+
￥0.584774 ￥0.6221
5000+
￥0.54755 ￥0.5825

有货

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型号：PZTA42T1G 编号：C82085

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：与PZTA92T1G互补。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.2422
50+
￥0.9877
150+
￥0.8786
1000+
￥0.6448
2000+
￥0.5842
5000+
￥0.5478

有货

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型号：FMMT720TA 编号：C15332

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.2424
50+
￥1.0047
150+
￥0.9029
500+
￥0.7758
3000+
￥0.6456
6000+
￥0.6116

有货

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型号：BCX55-16,115 编号：C426792

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN中功率晶体管采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

5+
￥1.2651
50+
￥1.0132
150+
￥0.9053
1000+
￥0.747482 ￥0.7706
2000+
￥0.689379 ￥0.7107
5000+
￥0.654459 ￥0.6747

有货

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型号：BCP56,115 编号：C22239

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

NPN中功率晶体管，采用中功率SOT223 (SC-73)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

5+
￥1.2858
50+
￥1.0331
150+
￥0.9249
1000+
￥0.74981 ￥0.773
2000+
￥0.691513 ￥0.7129
5000+
￥0.656496 ￥0.6768

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型号：FCX495TA 编号：C150457

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 0.5A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：低损耗功率开关

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5+
￥1.7373
50+
￥1.4313
150+
￥1.3001
1000+
￥0.912
2000+
￥0.8392

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型号：ZX5T1951GTA 编号：C155516

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -6A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < -95mV 最大值 @ -1A。 RCE(sat) = 40mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A 以实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。 DC-DC 模块

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