安邦三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SC4672(RANGE:120-270) 编号：C24213

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低饱和电压。出色的hFE特性，与2SA1797互补

数据手册

10+
￥0.4055
100+
￥0.3277
300+
￥0.2888
1000+
￥0.2516

有货

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型号：NSVMMBT5401LT3G 编号：C896839

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.416409 ￥0.5271
50+
￥0.369009 ￥0.4671
150+
￥0.345309 ￥0.4371
500+
￥0.327534 ￥0.4146
2500+
￥0.313314 ￥0.3966
5000+
￥0.306125 ￥0.3875

有货

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型号：DMMT3904W-7-F 编号：C155305

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA高集电极电流。一对本质匹配的NPN晶体管。电流增益（HFE）匹配度为2%。基极-发射极电压（VBE）匹配度为2mV。在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用：电流镜。差分和仪表放大器

数据手册

10+
￥0.419
100+
￥0.3375
300+
￥0.2967
3000+
￥0.2661

有货

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型号：PZT3904 编号：C189432

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低电压和低电流。与PZT3906互补。适用于通用放大器和开关应用

数据手册

10+
￥0.4272
100+
￥0.3446
300+
￥0.3033
2500+
￥0.2638

有货

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型号：2SC2713-BL,LF 编号：C2880441

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用。

数据手册

10+
￥0.4353
100+
￥0.3393
300+
￥0.2913
3000+
￥0.2553

有货

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型号：EMT1T2R 编号：C507458

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个2SA1037AK芯片封装在EMT、UMT或SMT中。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将安装成本和面积减半。应用：通用小信号放大器

数据手册

10+
￥0.4434
100+
￥0.3563
300+
￥0.3127
1000+
￥0.2801
5000+
￥0.2539

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型号：DSS4160TQ-7-HXY 编号：C47506931

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具有1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO，适用于需要中等功率处理能力的应用。其直流电流增益HFE范围为100至300，能够满足不同设计对放大效率的需求。此外，该三极管的过渡频率FT为150MHz，确保了在高频工作环境下仍能保持稳定性能，适合于无线通信设备、家用电器及各类消费电子产品中的信号放大与开关应用。通过其出色的参数配置，此三极管支持高效稳定的电路运作，是实现复杂电子设计的重要组件。

5+
￥0.47565 ￥0.5285
50+
￥0.37881 ￥0.4209
150+
￥0.33048 ￥0.3672
500+
￥0.29421 ￥0.3269
3000+
￥0.26514 ￥0.2946
6000+
￥0.25065 ￥0.2785

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型号：2SC554 编号：C19267708

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低饱和电压。高速开关

10+
￥0.4875
100+
￥0.3952
300+
￥0.3491
1000+
￥0.3145

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型号：2SA1163-BL,LF 编号：C2929210

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -120V。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与2SC2713互补。应用：音频通用放大器应用

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5+
￥0.4904
50+
￥0.3823
150+
￥0.3282
500+
￥0.2877

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型号：BFR540 编号：C50087709

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；集电极-发射极击穿电压：BVCEO = 12V，集电极电流：IC = 120mA，耗散功率：PC = 500mW，特征频率：fT = 9GHz，封装形式：SOT23