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首页 > 热门关键词 > 安邦三极管
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符合条件商品:共18933
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高击穿电压、集电极-发射极饱和电压低。
  • 5+

    ¥0.494095 ¥0.5201
  • 50+

    ¥0.389215 ¥0.4097
  • 150+

    ¥0.336775 ¥0.3545
  • 1000+

    ¥0.304 ¥0.32
  • 2000+

    ¥0.272555 ¥0.2869
  • 5000+

    ¥0.256785 ¥0.2703
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4986
    • 50+

      ¥0.393
    • 150+

      ¥0.3402
    • 1000+

      ¥0.3006
    • 2000+

      ¥0.2689
  • 有货
  • PNP外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5027
    • 50+

      ¥0.4022
    • 150+

      ¥0.352
    • 500+

      ¥0.3144
    • 2000+

      ¥0.2842
    • 4000+

      ¥0.2692
  • 有货
  • 特性:高电流输出高达 3A。 低饱和电压。应用:音频功率放大器。 DC-DC 转换器
    • 5+

      ¥0.503
    • 50+

      ¥0.3974
    • 150+

      ¥0.3446
    • 1000+

      ¥0.2808
    • 2000+

      ¥0.2491
    • 5000+

      ¥0.2332
  • 有货
  • PNP外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5219
    • 50+

      ¥0.4089
    • 150+

      ¥0.3523
    • 500+

      ¥0.31
    • 2500+

      ¥0.276
    • 5000+

      ¥0.2591
  • 有货
  • 特性:高集电极电流-低集电极-发射极饱和电压。 封装:SOT-223。 模塑料,UL 可燃性分类等级 94V-0。 引脚:雾锡电镀引脚,可根据 MIL-STD-202 方法 208 焊接
    • 5+

      ¥0.527
    • 50+

      ¥0.4166
    • 150+

      ¥0.3614
    • 1000+

      ¥0.32
    • 2000+

      ¥0.2869
    • 5000+

      ¥0.2703
  • 有货
  • 特性:用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5368
    • 50+

      ¥0.436
    • 150+

      ¥0.3856
    • 500+

      ¥0.3478
    • 2500+

      ¥0.2882
    • 5000+

      ¥0.273
  • 有货
  • 特性:小型扁平封装。 高击穿电压。 出色的直流电流增益线性度
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5672
    • 50+

      ¥0.4568
    • 150+

      ¥0.4016
    • 1000+

      ¥0.3602
    • 2000+

      ¥0.3271
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5876
    • 50+

      ¥0.458
    • 150+

      ¥0.3932
    • 500+

      ¥0.3446
    • 2500+

      ¥0.3057
    • 5000+

      ¥0.2863
  • 有货
  • NPN 开关晶体管,采用 SOT23 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6136
    • 50+

      ¥0.501
    • 150+

      ¥0.4447
    • 500+

      ¥0.382375 ¥0.4025
    • 3000+

      ¥0.350265 ¥0.3687
    • 6000+

      ¥0.33421 ¥0.3518
  • 有货
  • 该器件适用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6362
    • 50+

      ¥0.5085
    • 150+

      ¥0.4447
    • 500+

      ¥0.3969
    • 2000+

      ¥0.3463
    • 4000+

      ¥0.3271
  • 有货
  • NPN外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.656
    • 50+

      ¥0.5206
    • 150+

      ¥0.4529
    • 500+

      ¥0.4022
    • 2500+

      ¥0.3616
    • 5000+

      ¥0.3413
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。该器件采用 TO-92 封装,适用于中等功率应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.67
    • 50+

      ¥0.5222
    • 150+

      ¥0.4482
    • 1000+

      ¥0.3805
    • 2000+

      ¥0.3362
  • 有货
  • 特性:低饱和电压。 高速开关。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。应用:驱动器
    • 5+

      ¥0.6725
    • 50+

      ¥0.5472
    • 150+

      ¥0.4845
    • 500+

      ¥0.4375
    • 2500+

      ¥0.4
    • 5000+

      ¥0.3812
  • 有货
  • 芯片具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤模块中的高频放大器等产品。
    • 5+

      ¥0.7148
    • 50+

      ¥0.5694
    • 150+

      ¥0.4967
    • 500+

      ¥0.4421
  • 有货
  • 采用SOT323(SC - 70)塑料封装的NPN中频晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7201
    • 50+

      ¥0.5854
    • 150+

      ¥0.518
    • 500+

      ¥0.4488 ¥0.4675
    • 3000+

      ¥0.410016 ¥0.4271
    • 6000+

      ¥0.390624 ¥0.4069
  • 有货
  • 3D打印机 喷绘机专用三极管
    • 5+

      ¥0.782705 ¥0.8239
    • 50+

      ¥0.623105 ¥0.6559
    • 150+

      ¥0.543305 ¥0.5719
    • 500+

      ¥0.483455 ¥0.5089
    • 3000+

      ¥0.414675 ¥0.4365
    • 6000+

      ¥0.390735 ¥0.4113
  • 有货
  • 低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7969
    • 50+

      ¥0.7075
    • 150+

      ¥0.6692
    • 500+

      ¥0.4852
    • 3000+

      ¥0.4639
    • 6000+

      ¥0.4511
  • 有货
  • 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 耗散功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE):140@2mA,5V
    • 5+

      ¥0.8078
    • 50+

      ¥0.6434
    • 150+

      ¥0.5612
    • 500+

      ¥0.4996
    • 3000+

      ¥0.4503
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -12V。 连续集电极电流 IC = -2.5A。 峰值脉冲电流 IcM = -10A。 低饱和电压,例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。 在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ,等效导通电阻低。 功率耗散 625mW。应用:栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9988
    • 50+

      ¥0.7943
    • 150+

      ¥0.7067
    • 500+

      ¥0.5973
  • 有货
  • 低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0768
    • 50+

      ¥0.8257
    • 150+

      ¥0.718
    • 500+

      ¥0.5837
    • 3000+

      ¥0.5239
    • 6000+

      ¥0.488
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0854
    • 50+

      ¥0.8722
    • 150+

      ¥0.7809
    • 500+

      ¥0.6668
    • 3000+

      ¥0.5466
  • 有货
  • 特性:与CZT32C互补,适用于高达3.0A的功率放大器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1236
    • 50+

      ¥0.8968
    • 150+

      ¥0.7996
    • 500+

      ¥0.6783
  • 有货
  • 采用SOT457(SC - 74)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN低VCEsat晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对:PBSS5160DS
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1559
    • 50+

      ¥0.9267
    • 150+

      ¥0.8285
    • 500+

      ¥0.684723 ¥0.7059
    • 3000+

      ¥0.627299 ¥0.6467
    • 6000+

      ¥0.595483 ¥0.6139
  • 有货
  • 特性:小尺寸封装:SOT89-3L。 大最大电流:IC = 3A。 低集电极到发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.15V max.(at IC / IB = 0.5A / 0.05A)。 高功率耗散:PC = 2W。 与2SB1561为互补对
    • 5+

      ¥1.19776 ¥1.2608
    • 50+

      ¥0.948765 ¥0.9987
    • 150+

      ¥0.84208 ¥0.8864
    • 1000+

      ¥0.70889 ¥0.7462
    • 2000+

      ¥0.64961 ¥0.6838
    • 5000+

      ¥0.61408 ¥0.6464
  • 有货
  • 封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):1000mA 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 20W
    • 5+

      ¥1.21248 ¥1.5156
    • 50+

      ¥0.95824 ¥1.1978
    • 150+

      ¥0.84936 ¥1.0617
    • 500+

      ¥0.71344 ¥0.8918
    • 2500+

      ¥0.65288 ¥0.8161
    • 5000+

      ¥0.61656 ¥0.7707
  • 有货
  • PNP/PNP 匹配双晶体管,采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。晶体管内部完全隔离。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.279824 ¥1.4064
    • 50+

      ¥0.936441 ¥1.1561
    • 150+

      ¥0.744648 ¥1.0488
    • 500+

      ¥0.649579 ¥0.9149
    • 3000+

      ¥0.607263 ¥0.8553
    • 6000+

      ¥0.581916 ¥0.8196
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):25mA 集射极击穿电压(Vceo):20V 耗散功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE):40@7mA,10V
    • 5+

      ¥1.5176
    • 50+

      ¥1.2022
    • 150+

      ¥1.067
    • 500+

      ¥0.8983
    • 3000+

      ¥0.8232
  • 有货
  • 特性:比SO7223小43%,比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率高达2.25W。 集电极-发射极击穿电压(BVCEO)> 160V。 集电极电流(Io(sch)) = 0.6A。 无铅,符合RoHS标准。应用:电信线路驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5454
    • 50+

      ¥1.3513
    • 150+

      ¥1.2682
    • 500+

      ¥1.109
    • 2500+

      ¥1.0628
    • 5000+

      ¥1.0351
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用:高压开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6226
    • 50+

      ¥1.3135
    • 150+

      ¥1.181
    • 1000+

      ¥1.0158
    • 2000+

      ¥0.9422
  • 有货
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