安邦三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SS8050W 编号：C2836073

封装：SOT-323

品牌：CBI(创基)

Y1(Y1表示丝印)

数据手册

50+
￥0.1274
500+
￥0.1005
3000+
￥0.0833
6000+
￥0.0744
24000+
￥0.0666
51000+
￥0.0624

有货

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型号：KTA1504S-Y-RTK/P 编号：C69747

封装：SOT-23

品牌：KEC

特性：优异的hFE线性度：hFE(0.1mA) / hFE(2mA) = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与KTC3875S互补。应用：通用应用开关应用

数据手册

20+
￥0.1348
200+
￥0.1067
600+
￥0.0911
3000+
￥0.0726
9000+
￥0.0645

有货

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型号：BC817-16,215 编号：C126908

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。

数据手册

20+
￥0.1403
200+
￥0.1106
600+
￥0.0941
3000+
￥0.0842
9000+
￥0.0756
21000+
￥0.071

有货

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型号：MMBTA06 1GM 编号：C46956353

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该SOT-23封装NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格，其放大倍数可在100至400之间调节，适用于高压、中等电流环境下的精密放大与开关应用，是电子设备电路设计的理想半导体元件。

20+
￥0.1479
200+
￥0.1167
600+
￥0.0994
3000+
￥0.089
9000+
￥0.08

有货

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型号：S8050 编号：C717453

封装：TO-92

品牌：LGE(鲁光)

特性：与S8550互补。集电极电流：IC = 0.5A

数据手册

20+
￥0.1532
200+
￥0.1208
1000+
￥0.0979
2000+
￥0.0871
10000+
￥0.0777
20000+
￥0.0726

有货

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型号：PXT8050 编号：C5189267

封装：SOT-89

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V 200-350 NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A

数据手册

10+
￥0.15381 ￥0.1709
100+
￥0.12222 ￥0.1358
300+
￥0.10467 ￥0.1163
1000+
￥0.08775 ￥0.0975
5000+
￥0.07857 ￥0.0873
10000+
￥0.07371 ￥0.0819

有货

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型号：MMBTA92 编号：C181173

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：与MMBTA42互补。高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。表面贴装器件

数据手册

20+
￥0.154565 ￥0.1627
200+
￥0.11685 ￥0.123
600+
￥0.095855 ￥0.1009
3000+
￥0.09082 ￥0.0956
9000+
￥0.079895 ￥0.0841
21000+
￥0.0741 ￥0.078

有货

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型号：SS8550 编号：C717456

封装：TO-92

品牌：LGE(鲁光)

数据手册

20+
￥0.1578
200+
￥0.1227
1000+
￥0.1016
2000+
￥0.0899
10000+
￥0.0797
20000+
￥0.0742

有货

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型号：BC857BS,115-JSM 编号：C53114045

封装：SOT-363

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：300@2mA,5V

20+
￥0.1747
200+
￥0.137
600+
￥0.1161
3000+
￥0.1035

有货

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型号：BC548B 编号：C713615

封装：TO-92

品牌：LGE(鲁光)

特性：高电压。与BC556、BC557、BC558互补

数据手册

20+
￥0.1801
200+
￥0.145
1000+
￥0.1088
2000+
￥0.0971
10000+
￥0.0869
20000+
￥0.0814

有货

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型号：SS8050 编号：C2836478

封装：SOT-89

品牌：CBI(创基)

Y1(Y1表示丝印) hFE:160-300

数据手册

20+
￥0.1821
200+
￥0.1448
1000+
￥0.1154
2000+
￥0.103
10000+
￥0.0923
20000+
￥0.0865

有货

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型号：MMBTA56(RANGE:100-400) 编号：C8519

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

丝印2GM

数据手册

20+
￥0.1872
200+
￥0.1521
600+
￥0.1326
3000+
￥0.1176

有货

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型号：2SA1586-GR,LF 编号：C6380449

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。高电压：VCEO = -50V。高集电极电流：IC = -150mA（最大值）。高hFE：hFE = 70至400。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。音频通用放大器应用

10+
￥0.1898
100+
￥0.1678
300+
￥0.1568
3000+
￥0.1265
6000+
￥0.1199
9000+
￥0.1166

有货

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型号：2SC3356 编号：C2926197

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

放大倍数125-250 100MA电流

数据手册

20+
￥0.1946
200+
￥0.154
600+
￥0.1315
3000+
￥0.118
9000+
￥0.1063
21000+
￥0.0999

有货

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型号：MMDT2222A 编号：C7603394

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：有互补PNP类型

20+
￥0.1992
200+
￥0.1533
600+
￥0.1278
3000+
￥0.1125
9000+
￥0.0992
21000+
￥0.0921

有货

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型号：SS8050-TA(RANGE:160-300) 编号：C80297

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：功率耗散：Ta = 25℃时为1W；Tc = 25℃时为2W

数据手册

20+
￥0.2252
200+
￥0.1812
600+
￥0.1568
2000+
￥0.1421

有货

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型号：SMMBT3906LT1G 编号：C232578

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2436
100+
￥0.1943
300+
￥0.1696
3000+
￥0.1511
6000+
￥0.1363
9000+
￥0.1289

有货

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型号：BC857S 编号：C49190743

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。超小型表面贴装封装。应用：低功率放大和开关

20+
￥0.2489
200+
￥0.1954
600+
￥0.1657
3000+
￥0.1479

有货

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型号：MMBT2222LT1G 编号：C43496

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2505
100+
￥0.1987
300+
￥0.1728
3000+
￥0.1389
6000+
￥0.1234
9000+
￥0.1156

有货

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型号：MMBT5089LT1G 编号：C232556

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2654
100+
￥0.2141
300+
￥0.1884
3000+
￥0.1691
6000+
￥0.1537
9000+
￥0.146

有货

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型号：FMMT593-6AF 编号：C49363373

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

特性：PNP低等效电阻

10+
￥0.2771
100+
￥0.2171
300+
￥0.1871
3000+
￥0.1646
6000+
￥0.1466
9000+
￥0.1375

有货

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型号：BCX54-16 编号：C5204763

封装：SOT-89

品牌：TWGMC(迪嘉)

集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：1.3W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V

数据手册

10+
￥0.28291 ￥0.2978
100+
￥0.227525 ￥0.2395
300+
￥0.19988 ￥0.2104
1000+
￥0.172235 ￥0.1813
5000+
￥0.15561 ￥0.1638
10000+
￥0.147345 ￥0.1551

有货

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型号：MBT3904DW1T3G 编号：C896759

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用，采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中，此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2977
100+
￥0.2363
300+
￥0.2056
1000+
￥0.1825
5000+
￥0.1641

有货

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型号：FMMT619 编号：C20416646

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：VCE = 50V。 IC = 2A。 fT = 100MHz @ VCE = 10V, IC = 50mA, f = 100MHz。低饱和电压

10+
￥0.3064
100+
￥0.244
300+
￥0.2128
3000+
￥0.1777
6000+
￥0.159
9000+
￥0.1497

有货

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型号：BCX56 编号：C5205284

封装：SOT-89

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 63-160 BK NPN,Vceo=80V,Ic=1A,hfe=63~160

数据手册

10+
￥0.308574 ￥0.3318
100+
￥0.246078 ￥0.2646
300+
￥0.21483 ￥0.231
1000+
￥0.190092 ￥0.2044
5000+
￥0.171306 ￥0.1842
10000+
￥0.161913 ￥0.1741

有货

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型号：2SC4081T106R 编号：C111700

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：ROHM(罗姆)

通用小信号放大器（50V，150mA）

数据手册

20+
￥0.313
200+
￥0.2495
600+
￥0.2142
3000+
￥0.1631

有货

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型号：BCP53 编号：C5345975

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该SOT-223封装PNP型三极管，具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流，放大倍数范围63至250，适用于中高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计，是工业控制、电源管理等领域的重要半导体组件。

数据手册

10+
￥0.313596 ￥0.3372
100+
￥0.260028 ￥0.2796
300+
￥0.233244 ￥0.2508
1000+
￥0.189348 ￥0.2036
5000+
￥0.173259 ￥0.1863
10000+
￥0.165261 ￥0.1777

有货

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型号：HFMMT493TA 编号：C42389328

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款三极管（BJT）属于NPN型，其集电极电流最大值IC为1A，能够承受的最大集射极电压VCEO为100V，具备较高的电流增益HFE范围，在100至300之间。该器件还具有较快的特征频率FT，达到了150MHz，表明其在高频电路中有着良好的性能表现。此三极管适用于多种高频放大及开关应用场合，如消费电子产品中的信号放大或高速数字电路等。