ADI三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DZT5551Q-13 编号：C674404

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥1.8491
50+
￥1.4963
150+
￥1.3451
500+
￥1.1565

有货

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型号：FZT955 编号：C52200675

封装：SOT-223

品牌：Leiditech(雷卯电子)

5+
￥1.8653
50+
￥1.4621
150+
￥1.2893
500+
￥1.0737
2500+
￥0.9777

有货

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型号：MOT13009DA 编号：C51934030

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

5+
￥1.8678
50+
￥1.4847
150+
￥1.3206
500+
￥1.1158
2000+
￥1.0246

有货

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型号：PBSS5540Z,115 编号：C426845

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4540Z。

数据手册

5+
￥1.951
50+
￥1.6123
150+
￥1.4672
1000+
￥1.09858 ￥1.1564
2000+
￥1.02201 ￥1.0758
5000+
￥0.97603 ￥1.0274

有货

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型号：ZXTC2062E6TA 编号：C444407

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN + PNP组合。 BVCEO > 20 (-20)V。 BVEBO > 7 (-7)。连续集电极电流 IC = 4 (-3.5)A。 VCE(sat) < 50 (-65)mV @ 1A。 RCE(sat) = 35 (54)mΩ。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。电机驱动

数据手册

5+
￥1.9713
50+
￥1.5719
150+
￥1.4007
500+
￥1.1872
3000+
￥1.0921
6000+
￥1.035

有货

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型号：MJE13009-2 编号：C42404752

封装：TO-220

品牌：KTP(科泰普)

NPN晶体管，适用于开关稳压器和电机控制。

5+
￥2.11774 ￥2.2292
50+
￥1.66288 ￥1.7504
150+
￥1.46794 ￥1.5452
500+
￥1.22474 ￥1.2892
2500+
￥1.11644 ￥1.1752
5000+
￥1.05146 ￥1.1068

有货

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型号：PMBTA45,215 编号：C456136

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN高压、低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBHV9050T

数据手册

5+
￥2.171
50+
￥1.7154
150+
￥1.5201
500+
￥1.2765
3000+
￥1.0324
6000+
￥0.9673

有货

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型号：FMMT620TA 编号：C74081

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。连续集电极电流 IC = 1.5A。低等效导通电阻 RCE(SAT) = 90mΩ。功耗 625mW。 hFE 高达 5A 时仍有高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

数据手册

5+
￥2.3496
50+
￥1.9265
150+
￥1.7451
500+
￥1.5189

有货

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型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥2.3597
50+
￥1.9099
150+
￥1.7171

有货

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型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

数据手册

5+
￥2.5014
50+
￥1.9982
150+
￥1.7825
500+
￥1.5134

有货

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型号：PMP5201Y,115 编号：C553005

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。SOT666 和 SOT363 (SC-88) 封装中的晶体管内部完全隔离。

数据手册

1+
￥2.59
10+
￥2.07
30+
￥1.85
100+
￥1.5326 ￥1.58
500+
￥1.4065 ￥1.45
1000+
￥1.3386 ￥1.38

有货

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型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.3
30+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.55
1000+
￥1.46

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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

1+
￥3.01
10+
￥2.65
30+
￥2.47
100+
￥2.29
500+
￥2.18
1000+
￥2.12

有货

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型号：BFU550XAR 编号：C2802650

封装：SOT-143-4

品牌：NXP(恩智浦)

NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SCT143B封装，适用于高速、低噪声应用。适用于高达2 GHz的小信号到中功率应用。

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.49
30+
￥2.22
100+
￥1.692 ￥1.88
500+
￥1.557 ￥1.73
1000+
￥1.476 ￥1.64

有货

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型号：OSA13009-1 编号：C20607955

封装：TO-3PNT

品牌：OSEN(欧芯)

1+
￥3.173 ￥3.34
10+
￥2.5555 ￥2.69
30+
￥2.2515 ￥2.37
90+
￥1.938 ￥2.04
450+
￥1.7575 ￥1.85
900+
￥1.6625 ￥1.75

有货

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型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.62
30+
￥2.33
100+
￥1.97
500+
￥1.81

有货

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型号：D209L 编号：C20607957

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高开关速度。低正向压降。高效低功耗。大电流浪涌能力强。应用：电子镇流器。开关电源

1+
￥3.3725 ￥3.55
10+
￥2.717 ￥2.86
30+
￥2.3845 ￥2.51
90+
￥2.0615 ￥2.17
450+
￥1.8715 ￥1.97
900+
￥1.767 ￥1.86

有货

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型号：MJD42CT4G 编号：C26194

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD41C (NPN) 和 MJD42C (PNP) 为互补器件。

数据手册

1+
￥3.52
10+
￥2.85
30+
￥2.52
100+
￥2.18
500+
￥1.98
1000+
￥1.88

有货

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型号：KTC4370A-Y-U/PF 编号：C125308

封装：TO-220IS

品牌：KEC

特性：高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。与KTA1659/A互补

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥2.85
50+
￥2.54
100+
￥2.0425 ￥2.15
500+
￥1.881 ￥1.98
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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型号：FZT651QTA 编号：C526627

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

1+
￥3.92
10+
￥3.24
30+
￥2.9
100+
￥2.56
500+
￥2.36
1000+
￥2.25

有货

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.45
30+
￥3.09
100+
￥2.74
500+
￥2.53
1000+
￥2.42

有货

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型号：STIP3055 编号：C49206896

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

15A 60V互补硅功率晶体管

1+
￥4.4
10+
￥3.53
30+
￥3.1
90+
￥2.67
450+
￥2.42
900+
￥2.28

有货

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型号：2SA1943 编号：C22378644

封装：TO-3PL

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高效率，低偏差。小输入阻抗，低功耗。抗高温、高湿。稳定性好，可靠性高。应用：音频放大器。开关应用

1+
￥4.662 ￥6.66
10+
￥3.857 ￥5.51
25+
￥3.409 ￥4.87
100+
￥2.912 ￥4.16
400+
￥2.688 ￥3.84
800+
￥2.59 ￥3.7

有货

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型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

数据手册

1+
￥4.82
10+
￥3.9
30+
￥3.44
100+
￥2.98
500+
￥2.45
1000+
￥2.31

有货

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型号：ZTX853 编号：C78831

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。连续电流：4A。峰值电流：高达10A。极低的饱和电压。总功率（Ptot）：1.2W

数据手册

1+
￥4.94
10+
￥4.02
30+
￥3.56
100+
￥3.11
500+
￥2.83
1000+
￥2.69

有货

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型号：PZTA44,115 编号：C14746

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223（SC73）表面贴装器件塑料封装的NPN高压晶体管。

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.16
30+
￥3.73
100+
￥3.168 ￥3.3
500+
￥2.9184 ￥3.04
1000+
￥2.7936 ￥2.91

有货

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型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.18
30+
￥3.7
100+
￥3.22
500+
￥2.9
1000+
￥2.75

有货

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型号：MJD31CRLG 编号：C233747

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

数据手册

1+
￥5.16
10+
￥3.8223 ￥4.11
30+
￥2.9714 ￥3.58
100+
￥2.5398 ￥3.06
500+
￥2.2825 ￥2.75
1000+
￥2.1497 ￥2.59

有货

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型号：PHPT60410PYX 编号：C6147419

封装：SC-100(SOT-669)

品牌：Nexperia(安世)

PNP 高功率双极晶体管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑料封装。NPN 互补型号为 PHPT60410NY。

1+
￥5.52
10+
￥5.42
30+
￥5.35
100+
￥5.0688 ￥5.28

有货

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型号：FZT951QTA 编号：C460221

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 IC =-5A 高连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-140 mV @-1 A。 RCE(SAT) = 55 mΩ 低等效导通电阻。 hFE 规定至-10A 以实现高增益保持。互补 NPN 类型：FZT851。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.83
30+
￥4.42
100+
￥4.02
500+
￥3.66

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