安森美三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSS20601CF8T1G 编号：C889747

封装：SMD-8P,3.2x1.6mm

品牌：onsemi(安森美)

低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件，具有超低饱和电压 (VCE(sat)) 和高电流增益能力。设计用于低压、高速开关应用，其中经济高效的能源控制很重要。

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￥7.12
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型号：2SA2125-TD-H 编号：C898914

封装：SOT-89-3

品牌：onsemi(安森美)

2SA2125/2SC5964 是一款双极晶体管，(-)50V，(-)3A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于 DC-DC 转换器应用。

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型号：NJVMJB45H11T4G 编号：C604160

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极功率晶体管适用于通用功率放大和开关，比如开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的输出或驱动器级。MJB44H11 (NPN) 和 MJB45H11 (PNP) 为互补器件。

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型号：MMPQ3906 编号：C904283

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该设备设计用于集电极电流为10 μA至100 mA的通用放大器和开关应用。源自工艺66。

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型号：NSV40302PDR2G 编号：C604350

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

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型号：MJF3055G 编号：C154827

封装：TO-220FP

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管专为通用放大器和开关应用而设计。

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型号：NJL1302DG 编号：C464247

封装：TO-264-5

品牌：onsemi(安森美)

ThermalTrak系列器件旨在消除音频放大器应用中的热平衡滞后时间和偏置调整。它们还可以在其他应用中用作晶体管芯片保护器件。

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型号：MJL4281AG 编号：C223587

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

MJL4281A 和 MJL4302A 双极互补音频功率晶体管适用于大功率音频。

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型号：SBC848BLT1G 编号：C894282

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

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型号：BC847AWT1G 编号：C232537

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适合低功率表面贴装应用。

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单价：
￥0.1296 / 个

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型号：BC847BDW1T1G 编号：C82368

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

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型号：BC807-25WT1G 编号：C232534

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：onsemi(安森美)

特性：S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准

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单价：
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型号：SHN1B01FDW1T1G 编号：C894313

封装：SC-74-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：高电压和高电流：VCEO = 50V，IC = 200mA。高hFE：hFE = 200-400。湿度敏感度等级：1。 ESD评级: -人体模型：3A。 -机器模型：C。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准

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