安森美三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSV40201LT1G 编号：C417286

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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5+
￥1.0052
50+
￥0.7985
150+
￥0.71

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型号：SBC847BDW1T1G 编号：C232475

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

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5+
￥1.4645
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￥1.1712
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￥1.0455

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型号：NSS40200LT1G 编号：C232571

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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5+
￥1.5095
50+
￥1.2323
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￥1.1135

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型号：NSS40300MZ4T1G 编号：C242269

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低VCE(sat)晶体管是表面贴装器件，具有超低饱和电压 (VCE(sat)) 和高电流增益能力。专为低压、高速开关应用而设计，在这些应用中，经济高效的能源控制非常重要。

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1+
￥2.1476 ￥3.64
10+
￥1.4161 ￥2.89
30+
￥1.0062 ￥2.58
100+
￥0.8502 ￥2.18
500+
￥0.78 ￥2
1000+
￥0.741 ￥1.9

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型号：NSV1C201LT1G 编号：C604347

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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1+
￥2.54
10+
￥2.01
30+
￥1.79
100+
￥1.5
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

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型号：BF720T1G 编号：C327478

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于通用放大器和开关应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于中等功率表面贴装应用。

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1+
￥2.56
10+
￥2.05
30+
￥1.83

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型号：NSS1C200LT1G 编号：C232619

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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1+
￥2.82
10+
￥2.27
30+
￥2.03

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型号：MJD41CT4G 编号：C50614

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD41C (NPN) 和 MJD42C (PNP) 为互补器件。

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1+
￥4.51
10+
￥3.6
30+
￥3.14
100+
￥2.68
500+
￥2.41
1000+
￥2.27

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型号：PZTA56 编号：C184654

封装：SOT-223-4L

品牌：onsemi(安森美)

PNP 通用放大器此器件适合收集器电流高达 300 mA 的通用放大器应用。

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1+
￥4.68
10+
￥3.81
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￥3.37
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￥2.94

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型号：BD139G 编号：C233736

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该中等功率 NPN 塑料晶体管系列使用互补或准互补电路，适合用作音频放大器和驱动器。

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1+
￥5.2
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￥4.21
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￥3.71

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型号：NSV40302PDR2G 编号：C604350

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

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