三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXTN2020FTA 编号：C460288

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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￥3.69
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型号：BFQ19SH6327 编号：C150924

封装：SOT-89-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于天线和电信系统中的低噪声、低失真宽带放大器，工作频率高达1.5 GHz，集电极电流范围为10 mA至70 mA。

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型号：FZT788BTA 编号：C141330

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -15V。BVCBO > -15V。IC = -3A 高连续电流。hFE > 300 @ -2A 和低饱和电压。极低的等效导通电阻 RCE(sat) 93mΩ @ -3A。互补 NPN 类型。应用：闪光灯转换器。电池供电电路

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型号：MJD44H11-1G 编号：C5439

封装：TO-251(IPAK)

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用电源和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

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￥4.02
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型号：FZT658TA 编号：C99122

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。高连续电流：IC = 500mA。峰值脉冲电流：ICM = 1A。低饱和电压：VCE(sat) < 250mV @ 50mA。高电流增益保持：hFE > 40（指定至200mA）。互补PNP类型：FZT758。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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￥4.25
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型号：PHE13005,127 编号：C78890

封装：TO-220AB

品牌：WeEn(瑞能)

高电压、高速 NPN 平面钝化功率开关晶体管，采用 SOT78 塑料封装，适用于高频电子照明镇流器应用。

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型号：ZTX853 编号：C78831

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。连续电流：4A。峰值电流：高达10A。极低的饱和电压。总功率（Ptot）：1.2W

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型号：FZT849TA 编号：C154747

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 30V。高连续集电极电流：IC = 7A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。功率耗散：PD = 3W。极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。极低的饱和电压。互补PNP型FZT949。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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￥5.08
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￥3.58
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型号：MJE13007G 编号：C897088

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

MJE/MJF13007 针对下降时间至关重要的高电压、高速电源开关直感电路而设计。此类器件适用于开关稳压器、逆变器、电机控制、电磁阀/继电器驱动器和反射电路等 115 和 220 V 开关模式应用。

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￥5.72
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型号：2SC5200 编号：C22378645

封装：TO-3PL

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高效率，低偏差。输入阻抗小，功耗低。抗高温、高湿。稳定性好，可靠性高。应用：音频放大器。开关应用

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￥6.1
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型号：2SA1746(3PML) 编号：C52174932

封装：TO-3PML

品牌：SPTECH(深圳质超)

三极管 PNP -70V -12A 60W -55~150℃ 应用领域：专为斩波稳压器、开关设备及通用型应用设计

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￥6.137 ￥6.46
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型号：PBHV9560ZX 编号：C551781

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用中功率 SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 PNP 高压、低 VCEsat 小信号突破（BISS）晶体管。互补 NPN 型：PBHV8560Z

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￥6.2
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型号：MJE15034G 编号：C150091

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

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型号：MP1526 编号：C47148336

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

高品质功放三极管，电流15A，耐压230V、功率150W

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￥6.41
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型号：BC846S-QX 编号：C7507678

封装：TSSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

NPN双晶体管采用非常小的SOT363 (SC-88)塑料六引脚封装。

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￥7.2
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￥5.94
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型号：WGC6920 编号：C22369078

封装：TO-264

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。

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型号：WGC5453 编号：C22369080

封装：TO-264

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。

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￥11.925 ￥15.9
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￥11.325 ￥15.1
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￥10.965 ￥14.62
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型号：PBSS305NX,115 编号：C551853

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT89（SC - 62/TO - 243）小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。互补PNP型：PBSS305PX

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￥12.99
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￥10.62
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￥10.1
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￥9.92

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型号：TIP35C 编号：C41363

封装：TO-247AC-3

品牌：ST(意法半导体)

互补功率晶体管

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1+
￥13.65
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30+
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型号：NJW21194G 编号：C150233

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。

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￥23.36
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￥19.87
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￥15.71
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型号：FJL6920TU 编号：C512904

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

NPN型三重扩散平面硅晶体管

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￥23.7
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￥20.33
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￥15.38
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型号：NTE2312-HXY 编号：C47502956

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，具备8A的集电极电流（IC）能力和高达400V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），确保在高电压环境下稳定运行。其直流电流增益（HFE）为10，适用于需要中等放大能力的电路。该三极管的过渡频率（FT）达到4MHz，表明它能在高频条件下有效工作。整体而言，这款三极管非常适合于构建要求严格的电源管理及信号处理电路，满足对精度和稳定性有较高要求的应用场景。