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价格(含税)

库存

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NPN晶体管高功率增益宽带低噪声

型号：BFG520/XR-A 编号：C51927820

封装：SOT-143R

品牌：Slkor(萨科微)

芯片具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤模块中的高频放大器等产品。

5+
￥0.7148
50+
￥0.5694
150+
￥0.4967
500+
￥0.4421

有货

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NPN 电流:25mA 电压:20V

型号：BFS20W,115 编号：C549729

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT323（SC - 70）塑料封装的NPN中频晶体管。

数据手册

5+
￥0.7201
50+
￥0.5854
150+
￥0.518
500+
￥0.4488 ￥0.4675
3000+
￥0.410016 ￥0.4271
6000+
￥0.390624 ￥0.4069

有货

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低频功率放大器 PNP 电流:1A 电压:50V

型号：2SB1691WL-TL-E 编号：C37648318

封装：SOT-23-3

品牌：SPTECH(深圳质超)

3D打印机喷绘机专用三极管

5+
￥0.782705 ￥0.8239
50+
￥0.623105 ￥0.6559
150+
￥0.543305 ￥0.5719
500+
￥0.483455 ￥0.5089
3000+
￥0.414675 ￥0.4365
6000+
￥0.390735 ￥0.4113

有货

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PNP 电流:2A 电压:40V

型号：NSV40200LT1G 编号：C364881

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥0.7969
50+
￥0.7075
150+
￥0.6692
500+
￥0.4852
3000+
￥0.4639
6000+
￥0.4511

有货

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BCX71H-JSM

型号：BCX71H-JSM 编号：C53113843

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE)：140@2mA,5V

5+
￥0.8078
50+
￥0.6434
150+
￥0.5612
500+
￥0.4996
3000+
￥0.4503

有货

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PNP 电流:2.5A 电压:12V

型号：FMMT717TA 编号：C500779

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -2.5A。峰值脉冲电流 IcM = -10A。低饱和电压，例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ，等效导通电阻低。功率耗散 625mW。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

5+
￥0.9988
50+
￥0.7943
150+
￥0.7067
500+
￥0.5973

有货

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NPN 电流:2A 电压:40V

型号：NSS40201LT1G 编号：C145175

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.0768
50+
￥0.8257
150+
￥0.718
500+
￥0.5837
3000+
￥0.5239
6000+
￥0.488

有货

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NPN 电流:2.5A 电压:20V

型号：FMMT618TA 编号：C500762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用：DC-DC 模块。栅极驱动器

数据手册

5+
￥1.0854
50+
￥0.8722
150+
￥0.7809
500+
￥0.6668
3000+
￥0.5466

有货

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SOT-223 塑料封装晶体管

型号：CZT31C 编号：C2875434

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与CZT32C互补，适用于高达3.0A的功率放大器应用

数据手册

5+
￥1.1236
50+
￥0.8968
150+
￥0.7996
500+
￥0.6783

有货

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NPN 电流:1A 电压:60V

型号：PBSS4160DS,115 编号：C456126

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN低VCEsat晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对：PBSS5160DS

数据手册

5+
￥1.1559
50+
￥0.9267
150+
￥0.8285
500+
￥0.684723 ￥0.7059
3000+
￥0.627299 ￥0.6467
6000+
￥0.595483 ￥0.6139

有货

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3A 60V

型号：2SD2391 编号：C49236587

封装：SOT-89-3L

品牌：SPTECH(深圳质超)

特性：小尺寸封装：SOT89-3L。大最大电流：IC = 3A。低集电极到发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.15V max.(at IC / IB = 0.5A / 0.05A)。高功率耗散：PC = 2W。与2SB1561为互补对

5+
￥1.19776 ￥1.2608
50+
￥0.948765 ￥0.9987
150+
￥0.84208 ￥0.8864
1000+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
5000+
￥0.61408 ￥0.6464

有货

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8A 80V

型号：MJD44H11T4G-CN 编号：C49006717

封装：TO-252

品牌：ChipNobo(无边界)

封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):1000mA 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 20W

5+
￥1.21248 ￥1.5156
50+
￥0.95824 ￥1.1978
150+
￥0.84936 ￥1.0617
500+
￥0.71344 ￥0.8918
2500+
￥0.65288 ￥0.8161
5000+
￥0.61656 ￥0.7707

有货

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PNP 电流:100mA 电压:65V

型号：BCM856BSH 编号：C458150

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管，采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。晶体管内部完全隔离。

数据手册

5+
￥1.279824 ￥1.4064
50+
￥0.936441 ￥1.1561
150+
￥0.744648 ￥1.0488
500+
￥0.649579 ￥0.9149
3000+
￥0.607263 ￥0.8553
6000+
￥0.581916 ￥0.8196

有货

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BFS20,215-JSM

型号：BFS20,215-JSM 编号：C53114277

封装：SOT-323

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：25mA 集射极击穿电压(Vceo)：20V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：40@7mA,10V

5+
￥1.5176
50+
￥1.2022
150+
￥1.067
500+
￥0.8983
3000+
￥0.8232

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：DXT5551P5-13 编号：C5260571

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SO7223小43%，比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达2.25W。集电极-发射极击穿电压（BVCEO）> 160V。集电极电流（Io(sch)） = 0.6A。无铅，符合RoHS标准。应用：电信线路驱动器

数据手册

5+
￥1.5454
50+
￥1.3513
150+
￥1.2682
500+
￥1.109
2500+
￥1.0628
5000+
￥1.0351

有货

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高压开关晶体管 PNP 电流:0.5A 电压:400V

型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

数据手册

5+
￥1.6226
50+
￥1.3135
150+
￥1.181
1000+
￥1.0158
2000+
￥0.9422

有货

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NPN 电流:45mA 电压:4V

型号：BFP740H6327 编号：C439776

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是宽带 NPN RF 异质结双极晶体管 (HBT)

数据手册

5+
￥1.6612
50+
￥1.3087
150+
￥1.1577
500+
￥0.9692

有货

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NPN 电流:3A 电压:60V

型号：2STF1360 编号：C128670

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换NPN功率晶体管

数据手册

5+
￥1.7013
50+
￥1.3487
150+
￥1.1975
500+
￥1.009

有货

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PNP 电流:3A 电压:60V

型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.7738
50+
￥1.4074
150+
￥1.2504
1000+
￥1.0089

有货

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NPN 电流:500mA 电压:300V

型号：MJE340G 编号：C5296719

封装：TO-126

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三极管@@MJE340 MJE340STU 340

数据手册

5+
￥1.806235 ￥1.9013
50+
￥1.423195 ￥1.4981
150+
￥1.259035 ￥1.3253
1000+
￥1.031415 ￥1.0857
2000+
￥0.940215 ￥0.9897
5000+
￥0.8854 ￥0.932

有货

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hfe=120~390 NPN 电流:1.5A 电压:160V

型号：2SD2211T100R 编号：C79649

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高击穿电压（BVCEO = 160V）。低集电极输出电容（典型值：在VCB = 10V时为20pF）。高过渡频率（fr = 80MHz）。与2SB1275 / 2SB1236A互补

数据手册

5+
￥2.0271
50+
￥1.636
150+
￥1.4684
1000+
￥0.9725
2000+
￥0.8794
5000+
￥0.8235

有货

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NPN 电流:12A 电压:400V

型号：MJE13009-2 编号：C42404752

封装：TO-220

品牌：KTP(科泰普)

NPN晶体管，适用于开关稳压器和电机控制。

5+
￥2.11774 ￥2.2292
50+
￥1.66288 ￥1.7504
150+
￥1.46794 ￥1.5452
500+
￥1.22474 ￥1.2892
2500+
￥1.11644 ￥1.1752
5000+
￥1.05146 ￥1.1068

有货

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PNP 电流:8A 电压:80V

型号：LBTP880DPTUG 编号：C5273355

封装：TO-252

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：引脚成型，适用于塑料套管中的表面贴装应用。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

数据手册

5+
￥2.1297
50+
￥1.7015
150+
￥1.518
500+
￥1.289
2500+
￥1.187
5000+
￥1.1258

有货

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车规级 NPN 电流:3A 电压:100V

型号：MJD31CQ 编号：C2942580

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。后缀为“Q”的产品符合AEC-Q101标准。应用：通用放大器。低速开关应用

5+
￥2.2702
50+
￥1.8081
150+
￥1.6101
500+
￥1.363

有货

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NPN 5A 50V

型号：2SC5886A(T6L1,NQ) 编号：C5156044

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (Ic = 0.5 A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22 V (最大值)。高速开关：tf = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

5+
￥2.3575
50+
￥1.8787
150+
￥1.6735
500+
￥1.4175

有货

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PNP 电流:4A 电压:100V

型号：MJE253G 编号：C127879

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。

数据手册

5+
￥2.3614
50+
￥1.8707
150+
￥1.6603
500+
￥1.2531
2500+
￥1.1363
5000+
￥1.0662

有货

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MJD45H11

型号：MJD45H11 编号：C51886700

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

1+
￥2.38
10+
￥1.85
30+
￥1.63
100+
￥1.35
500+
￥1.22
1000+
￥1.15

有货

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NPN 电流:8A 电压:120V

型号：MJE15028 编号：C480196

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序·设计用于音频放大器中的高频驱动器。

数据手册

1+
￥2.394 ￥2.52
10+
￥2.1375 ￥2.25
50+
￥1.9 ￥2
100+
￥1.7765 ￥1.87
500+
￥1.7005 ￥1.79
1000+
￥1.653 ￥1.74

有货

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NPN 电流:4A 电压:400V

型号：PHE13005,127 编号：C78890

封装：TO-220AB

品牌：WeEn(瑞能)

高电压、高速 NPN 平面钝化功率开关晶体管，采用 SOT78 塑料封装，适用于高频电子照明镇流器应用。

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2
30+
￥1.74
100+
￥1.42
500+
￥1.28
1000+
￥1.19

有货

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互补型中功率晶体管 NPN+PNP 电流:1.5A 电压:30V

型号：ZXTC2045E6TA 编号：C84408

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

采用先进的制程能力来实现这款高性能器件。SOT26 封装将 NPN 和 PNP 晶体管相结合，为目标应用提供了紧凑的解决方案。

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.14
30+
￥1.93
100+
￥1.65
500+
￥1.37
1000+
￥1.3

有货

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