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首页 > 热门关键词 > 三极管
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特性:BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 连续集电极电流 IC = 600mA。 低饱和电压(最大150mV @ 10mA)。 hFE在高达50mA时指定,以实现高增益保持。 互补PNP类型:DZT5401。应用:高压放大应用。 高压开关应用
数据手册
  • 5+

    ¥1.0282
  • 50+

    ¥0.9064
  • 150+

    ¥0.8542
  • 500+

    ¥0.789
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 IC = -1A,高连续电流。 ICM = -2A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ,低等效导通电阻。 互补 NPN 型:FMM1491A。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0599
    • 50+

      ¥0.848
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      ¥0.6438
    • 3000+

      ¥0.5933
  • 有货
  • NPN/PNP通用晶体管对,采用非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 5+

      ¥1.1298
    • 50+

      ¥0.8966
    • 150+

      ¥0.7967
    • 500+

      ¥0.672
    • 3000+

      ¥0.5887
    • 6000+

      ¥0.5553
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2148
    • 50+

      ¥0.9762
    • 150+

      ¥0.8739
    • 500+

      ¥0.7463
    • 3000+

      ¥0.6118
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于音频放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中,适用于中等功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2971
    • 50+

      ¥1.0149
    • 150+

      ¥0.8939
    • 1000+

      ¥0.718
    • 2000+

      ¥0.6508
    • 5000+

      ¥0.6105
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.3167 ¥2.09
    • 10+

      ¥0.9805 ¥1.85
    • 30+

      ¥0.7482 ¥1.74
    • 100+

      ¥0.6923 ¥1.61
    • 500+

      ¥0.6665 ¥1.55
    • 1000+

      ¥0.6536 ¥1.52
  • 有货
  • PNP/PNP 匹配双晶体管,采用小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.328
    • 50+

      ¥1.0456
    • 150+

      ¥0.9246
    • 500+

      ¥0.7736
    • 2500+

      ¥0.7063
    • 5000+

      ¥0.666
  • 有货
  • 是硅外延平面PNP晶体管,安装在Jedec SOT-32塑料封装中,适用于采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器。互补NPN类型为BD135、BD137和BD139。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.34984 ¥1.436
    • 50+

      ¥1.06386 ¥1.2665
    • 150+

      ¥0.883412 ¥1.1938
    • 500+

      ¥0.816294 ¥1.1031
    • 2500+

      ¥0.786398 ¥1.0627
    • 5000+

      ¥0.76849 ¥1.0385
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -400V。 高连续集电极电流 IC = -150mA。 峰值脉冲电流 ICM = -500mA。 功耗 500mW。 高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。 互补 NPN 类型:FMMT458。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件(FMMT558Q)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3968
    • 50+

      ¥1.1196
    • 150+

      ¥1.0008
    • 500+

      ¥0.8525
  • 有货
  • PNP (hFE):60
    • 5+

      ¥1.4184 ¥1.576
    • 50+

      ¥1.12356 ¥1.2484
    • 150+

      ¥0.9972 ¥1.108
    • 500+

      ¥0.83952 ¥0.9328
    • 2500+

      ¥0.76932 ¥0.8548
    • 5000+

      ¥0.7272 ¥0.808
  • 有货
  • NPN/NPN 匹配双晶体管,采用超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 无铅表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP/PNP 互补型号:BCM857QAS
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4207
    • 50+

      ¥1.1148
    • 150+

      ¥0.9836
    • 500+

      ¥0.82
    • 2500+

      ¥0.7472
    • 5000+

      ¥0.7034
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -12V。 连续集电极电流 IC = -2.5A。 峰值脉冲电流 IcM = -10A。 低饱和电压,例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。 在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ,等效导通电阻低。 功率耗散 625mW。应用:栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4301
    • 50+

      ¥1.1086
    • 150+

      ¥0.9708
    • 500+

      ¥0.7988
    • 3000+

      ¥0.7223
  • 有货
  • 此款MJD127T4G,采用表面贴装TO-252(DPAK),由于其稳定的电流驱动能力,MJD127T4G适用于多种功率驱动场合,包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。
    • 5+

      ¥1.494 ¥1.66
    • 50+

      ¥1.305 ¥1.45
    • 150+

      ¥1.224 ¥1.36
    • 500+

      ¥1.125 ¥1.25
    • 2500+

      ¥1.08 ¥1.2
    • 5000+

      ¥1.053 ¥1.17
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):25mA 集射极击穿电压(Vceo):20V 耗散功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE):40@7mA,10V
    • 5+

      ¥1.5176
    • 50+

      ¥1.2022
    • 150+

      ¥1.067
    • 500+

      ¥0.8983
    • 3000+

      ¥0.8232
  • 有货
  • 此款MJD41CT4G达林顿三极管,它具备比普通单个三极管更大的电流驱动能力,采用表面贴装TO-252(DPAK),广泛应用在功率放大器、电机驱动、继电器驱动、开关电路以及各种需要高电流输出的应用场合
    • 5+

      ¥1.539 ¥1.71
    • 50+

      ¥1.35 ¥1.5
    • 150+

      ¥1.269 ¥1.41
    • 500+

      ¥1.125 ¥1.25
    • 2500+

      ¥1.08 ¥1.2
    • 5000+

      ¥1.053 ¥1.17
  • 有货
  • PNP硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5647
    • 50+

      ¥1.2129
    • 150+

      ¥1.0621
    • 500+

      ¥0.874
    • 2400+

      ¥0.7903
  • 有货
  • 低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 35+

      ¥2.344011
    • 50+

      ¥1.87488
    • 150+

      ¥1.562126
    • 500+

      ¥1.291266
    • 3000+

      ¥1.090936
    NPN 高压晶体管,采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号:BF021-Q
    • 5+

      ¥1.7268
    • 50+

      ¥1.3727
    • 150+

      ¥1.2209
    • 500+

      ¥1.0316
    • 2500+

      ¥0.9473
    • 4000+

      ¥0.8967
  • 有货
    • 3+

      ¥1.7439
    • 30+

      ¥1.442
    • 90+

      ¥1.3127
    • 300+

      ¥1.1512
    • 1500+

      ¥1.0794
    • 3000+

      ¥1.0362
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -60V。 IC = -3A,高连续电流。 ICM = -6A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。 互补 NPN 型:FZT651。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8599
    • 50+

      ¥1.4926
    • 150+

      ¥1.3351
    • 1000+

      ¥1.093
  • 有货
  • 电压:400V 电流:12A NPN型三极管
    • 5+

      ¥1.8678
    • 50+

      ¥1.4847
    • 150+

      ¥1.3206
    • 500+

      ¥1.1158
    • 2000+

      ¥1.0246
  • 有货
  • 采用小型SOT457(SC - 74)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0408
    • 50+

      ¥1.65
    • 150+

      ¥1.4825
    • 500+

      ¥1.2735
    • 3000+

      ¥1.1804
    • 6000+

      ¥1.1245
  • 有货
  • 特性:设计用于通用放大器和低速开关应用。 电气特性与MJD3055相似。 直流电流增益指定为10安培
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3374
    • 50+

      ¥1.8586
    • 150+

      ¥1.6534
    • 500+

      ¥1.3974
  • 有货
  • 低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4493
    • 50+

      ¥1.8949
    • 150+

      ¥1.6573
    • 1000+

      ¥1.3608
    • 2000+

      ¥1.2288
    • 5000+

      ¥1.1496
  • 有货
  • MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP);MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.48
    • 50+

      ¥1.9578
    • 150+

      ¥1.734
    • 500+

      ¥1.2971
    • 2500+

      ¥1.1728
    • 5000+

      ¥1.0982
  • 有货
  • 采用先进的工艺能力和封装设计,以最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6112 ¥2.72
    • 10+

      ¥2.0812 ¥2.42
    • 30+

      ¥1.7328 ¥2.28
    • 100+

      ¥1.6112 ¥2.12
    • 500+

      ¥1.558 ¥2.05
    • 1000+

      ¥1.52 ¥2
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V,IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。 比 SO1223 小 43%,比 TO252 小 60%。 最大高度仅 1.1mm。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用:电机驱动。 使用射极跟随器的电压调节器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.66 ¥2.8
    • 10+

      ¥2.1845 ¥2.57
    • 30+

      ¥1.845 ¥2.46
    • 100+

      ¥1.7625 ¥2.35
    • 500+

      ¥1.71 ¥2.28
    • 1000+

      ¥1.6875 ¥2.25
  • 有货
  • 特性:采用FBET和MBIT工艺。 集电极-发射极饱和电压低。 超小封装,便于终端产品小型化。 允许的功率耗散高。 电流容量大。 高速开关。应用:继电器驱动器。 灯驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.67
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 该 NPN 双极功率晶体管用于高电压通用型应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.19
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.23
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
  • NPN外延硅晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.24
    • 10+

      ¥2.54
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.51
  • 有货
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