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适用于各类中高耐压、低电流应用场景,是您电子项目的优质三极管之选。
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    ¥0.0432 ¥0.048
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    ¥0.0333 ¥0.037
  • 3000+

    ¥0.02781 ¥0.0309
  • 6000+

    ¥0.02448 ¥0.0272
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    ¥0.0216 ¥0.024
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    ¥0.02007 ¥0.0223
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 100+

      ¥0.0494
    • 1000+

      ¥0.0392
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      ¥0.0335
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      ¥0.0301
  • 有货
  • 特性:与S9012互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.051775 ¥0.0545
    • 500+

      ¥0.040185 ¥0.0423
    • 3000+

      ¥0.03591 ¥0.0378
    • 6000+

      ¥0.03211 ¥0.0338
    • 24000+

      ¥0.02869 ¥0.0302
    • 51000+

      ¥0.02698 ¥0.0284
  • 有货
  • SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0528
    • 500+

      ¥0.0453
    • 3000+

      ¥0.0411
    • 6000+

      ¥0.0386
    • 24000+

      ¥0.0365
    • 51000+

      ¥0.0353
  • 有货
  • 特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压
    数据手册
    • 5+

      ¥0.060135 ¥0.0633
    • 50+

      ¥0.0475 ¥0.05
    • 150+

      ¥0.040565 ¥0.0427
    • 500+

      ¥0.036385 ¥0.0383
    • 3000+

      ¥0.03078 ¥0.0324
    • 6000+

      ¥0.02888 ¥0.0304
  • 有货
  • 集电极电流(IC):600mA 集射极击穿电压(VCEO):40V 耗散功率(pd):200mW 直流电流增益(hfE): 300@1V,10mA 特征频率(fT):300HZ 集电极截止电流(Icbo) :100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @50mA,5mA 射基极击穿电压(Vebo):6V 工作温度:-55℃~+155℃@(Tj)
    • 50+

      ¥0.0661
    • 500+

      ¥0.051
    • 3000+

      ¥0.0426
    • 6000+

      ¥0.0376
    • 24000+

      ¥0.0332
    • 51000+

      ¥0.0308
  • 有货
  • 放大倍数200-300 1.5A电流
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0671
    • 500+

      ¥0.0531
    • 3000+

      ¥0.0417
    • 6000+

      ¥0.037
    • 24000+

      ¥0.033
    • 51000+

      ¥0.0308
  • 有货
  • 特性:作为互补类型,推荐使用NPN晶体管S9013。 外延平面芯片结构
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0761
    • 200+

      ¥0.0583
    • 600+

      ¥0.0484
    • 3000+

      ¥0.043
    • 9000+

      ¥0.0378
    • 21000+

      ¥0.035
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC817(NPN)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0874
    • 500+

      ¥0.0699
    • 3000+

      ¥0.0559
    • 6000+

      ¥0.0507
    • 24000+

      ¥0.05
    • 51000+

      ¥0.048
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.09082 ¥0.0956
    • 500+

      ¥0.070775 ¥0.0745
    • 3000+

      ¥0.05966 ¥0.0628
    • 6000+

      ¥0.05301 ¥0.0558
    • 24000+

      ¥0.047215 ¥0.0497
    • 51000+

      ¥0.044175 ¥0.0465
  • 有货
  • 晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW
    • 50+

      ¥0.1067
    • 500+

      ¥0.0823
    • 3000+

      ¥0.0687
    • 6000+

      ¥0.0606
    • 24000+

      ¥0.0535
    • 51000+

      ¥0.0497
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补
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    • 50+

      ¥0.1086
    • 500+

      ¥0.0876
    • 3000+

      ¥0.075
    • 6000+

      ¥0.068
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补NPN类型。 也有无铅版本
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    • 50+

      ¥0.1329
    • 500+

      ¥0.1069
    • 3000+

      ¥0.0887
    • 6000+

      ¥0.0801
  • 有货
  • 特性:湿度敏感度等级:1-ESD 等级。 人体模型:>4000V。 机器模型:>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1494
    • 200+

      ¥0.1154
    • 600+

      ¥0.0965
    • 3000+

      ¥0.082
    • 9000+

      ¥0.0721
    • 21000+

      ¥0.0668
  • 有货
  • 晶体管类型:2个NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 双NPN,40V,0.2A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.15534 ¥0.1726
    • 200+

      ¥0.12357 ¥0.1373
    • 600+

      ¥0.10593 ¥0.1177
    • 3000+

      ¥0.08892 ¥0.0988
    • 9000+

      ¥0.07974 ¥0.0886
    • 21000+

      ¥0.07479 ¥0.0831
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1636
    • 200+

      ¥0.1285
    • 1000+

      ¥0.0967
    • 2000+

      ¥0.085
    • 10000+

      ¥0.0748
    • 20000+

      ¥0.0694
  • 有货
  • 特性:一个封装内有两个晶体管。 减少组件数量和电路板空间。 晶体管之间无相互干扰
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1674 ¥0.186
    • 100+

      ¥0.13338 ¥0.1482
    • 300+

      ¥0.11448 ¥0.1272
    • 3000+

      ¥0.09369 ¥0.1041
    • 6000+

      ¥0.08379 ¥0.0931
    • 9000+

      ¥0.07848 ¥0.0872
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1716
    • 200+

      ¥0.1326
    • 600+

      ¥0.111
    • 3000+

      ¥0.0967
    • 9000+

      ¥0.0854
    • 21000+

      ¥0.0794
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2089
    • 200+

      ¥0.1684
    • 600+

      ¥0.1459
    • 3000+

      ¥0.1196
    • 9000+

      ¥0.1079
    • 21000+

      ¥0.1016
  • 有货
  • 此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.218
    • 200+

      ¥0.1694
    • 600+

      ¥0.1424
    • 3000+

      ¥0.118
    • 9000+

      ¥0.1039
    • 21000+

      ¥0.0963
  • 有货
  • 放大倍数100-200 400V电压
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2328
    • 200+

      ¥0.1815
    • 600+

      ¥0.153
    • 3000+

      ¥0.1236
    • 9000+

      ¥0.1087
    • 21000+

      ¥0.1008
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V GR档(200-400) NPN
    数据手册
    • 10+

      ¥0.310992 ¥0.3344
    • 100+

      ¥0.256401 ¥0.2757
    • 300+

      ¥0.229152 ¥0.2464
    • 1000+

      ¥0.167679 ¥0.1803
    • 5000+

      ¥0.151311 ¥0.1627
    • 10000+

      ¥0.143127 ¥0.1539
  • 有货
  • NPN高频低噪音晶体管 反向截止电压(Vrwm):10V 最大钳位电压:12.30V Ipp=35.3A 单向
    • 10+

      ¥0.327655 ¥0.3449
    • 100+

      ¥0.254695 ¥0.2681
    • 300+

      ¥0.218215 ¥0.2297
    • 3000+

      ¥0.195415 ¥0.2057
    • 6000+

      ¥0.17347 ¥0.1826
    • 9000+

      ¥0.162545 ¥0.1711
  • 有货
  • 特性:高击穿电压和电流。 出色的直流电流增益线性度。 与2SB1260互补。 低集电极-发射极饱和电压
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3889
    • 100+

      ¥0.3143
    • 300+

      ¥0.277
    • 1000+

      ¥0.249
    • 5000+

      ¥0.2266
    • 10000+

      ¥0.2154
  • 有货
  • NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4533
    • 100+

      ¥0.3658
    • 300+

      ¥0.322
    • 3000+

      ¥0.277032 ¥0.2856
    • 6000+

      ¥0.251521 ¥0.2593
    • 9000+

      ¥0.238814 ¥0.2462
  • 有货
  • 特性:高开关速度。低正向压降低。高效低功耗。大电流浪涌能力强。应用:电子镇流器。开关电源
    • 5+

      ¥0.4845 ¥0.51
    • 50+

      ¥0.38418 ¥0.4044
    • 150+

      ¥0.33402 ¥0.3516
    • 500+

      ¥0.2964 ¥0.312
    • 2500+

      ¥0.266285 ¥0.2803
    • 5000+

      ¥0.251275 ¥0.2645
  • 有货
  • 特性:集电极-发射极电压:VCEO = 150V。 集电极耗散功率:PC(max) = 625mW。 后缀 “-C” 表示反集电极
    数据手册
    • 5+

      ¥0.551
    • 50+

      ¥0.4422
    • 150+

      ¥0.3877
    • 1000+

      ¥0.3469
    • 2000+

      ¥0.2908
    • 5000+

      ¥0.2745
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-500V。 IC =-150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达-500mA 峰值脉冲电流。 高达 IC =-100mA 时具有出色的 hFE 特性。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.687
    • 50+

      ¥0.5517
    • 150+

      ¥0.4841
    • 500+

      ¥0.4334
    • 3000+

      ¥0.3698
    • 6000+

      ¥0.3495
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤模块中的高频放大器等产品。
    • 5+

      ¥0.73129 ¥1.0447
    • 50+

      ¥0.57253 ¥0.8179
    • 150+

      ¥0.50449 ¥0.7207
    • 500+

      ¥0.41965 ¥0.5995
    • 3000+

      ¥0.38185 ¥0.5455
    • 6000+

      ¥0.3591 ¥0.513
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A,高电流增益保持。应用:DC-DC / DC-AC 模块。 稳压器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7677
    • 50+

      ¥0.6829
    • 150+

      ¥0.6466
    • 500+

      ¥0.6013
    • 3000+

      ¥0.5209
    • 6000+

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