pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSM80100MT1G 编号：C889723

封装：SC-74-6

品牌：onsemi(安森美)

特性：这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准的。应用：LCD控制板。高速开关

数据手册

5+
￥0.9728
50+
￥0.7383
150+
￥0.6378
500+
￥0.5124
3000+
￥0.4566
6000+
￥0.423

有货

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型号：2SA1952 编号：C2910354

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：SA-60V 中功率晶体管。适用于中功率驱动器。互补 NPN 类型。低集电极-发射极饱和电压。应用：中功率驱动器。 LED 驱动器

数据手册

5+
￥1.072134 ￥1.6002
50+
￥0.722532 ￥1.2676
150+
￥0.52875 ￥1.125
500+
￥0.445137 ￥0.9471
2500+
￥0.407913 ￥0.8679
5000+
￥0.385588 ￥0.8204

有货

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型号：PBSS5160DS,115 编号：C551954

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP/PNP低VCEsat晶体管对。NPN互补型号：PBSS4160DS

数据手册

5+
￥1.2601
50+
￥0.9805
150+
￥0.8607
500+
￥0.7112
3000+
￥0.6446
6000+
￥0.6047

有货

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型号：BD682 编号：C50285117

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

特性：与BD679、681互补

5+
￥1.285
50+
￥1.0179
150+
￥0.9034

有货

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型号：DXT751-13 编号：C460068

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。提供互补 NPN 类型。非常适合自动化组装工艺。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅，符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.3724
50+
￥1.1204
150+
￥1.0124
500+
￥0.8777

有货

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型号：DPLS350E-13 编号：C460719

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.421691 ￥1.5287
50+
￥1.035923 ￥1.2481
150+
￥0.823367 ￥1.1279
500+
￥0.713867 ￥0.9779
2500+
￥0.665103 ￥0.9111
5000+
￥0.63583 ￥0.871

有货

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型号：NSS40200LT1G 编号：C232571

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.5795
50+
￥1.3023
150+
￥1.1835
500+
￥1.0353

有货

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型号：2SAR554RTL 编号：C962667

封装：SOT-346

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适用于中功率驱动器。低VCE(sat)：VCE(sat)= -400mV（最大值）（IC/IB = -500mA/-25mA）。应用：低频放大器。高速开关

数据手册

5+
￥1.5868
50+
￥1.2793
150+
￥1.1476
500+
￥0.9832

有货

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型号：2SA1736(TE12L,ZC) 编号：C5331486

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低饱和电压：VCE (sat) =-0.5V (最大值) (IC =-1.5A)。高速开关时间：tSTG = 0.2 μs (典型值)。小型扁平封装。 PC = 1.0 至 2.0 W (安装在陶瓷基板上)。与2SC4541互补。应用：功率放大器应用。功率开关应用

数据手册

5+
￥1.6854
50+
￥1.3326
150+
￥1.1814
1000+
￥0.9928

有货

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型号：DSS60600MZ4-13 编号：C154848

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动化装配工艺。超低集电极-发射极饱和电压。有互补NPN类型。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（单独的数据手册）

数据手册

5+
￥1.9519
50+
￥1.599
150+
￥1.4477
500+
￥1.259

有货

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型号：2SA1721-O(TE85L,F) 编号：C150150

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电压：VcBO = -300V。低饱和电压：VCE(sat) = -0.5V (max)。小集电极输出电容：Cob = 5.5 pF (typ.)。与2SC4497互补。应用：等离子显示器高压控制应用。数码管驱动应用

数据手册

5+
￥2.0066
50+
￥1.5559
150+
￥1.3628
500+
￥1.1218

有货

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型号：2SA2097(TE16L1,NQ) 编号：C2762673

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高 DC 电流增益：hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.27V (max)。高速开关：tf = 55 ns (typ.)。重量：0.36 g (typ.)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

数据手册

5+
￥2.1441
50+
￥1.6395
150+
￥1.4233
500+
￥1.1535

有货

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型号：FZT751QTA 编号：C526629

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥2.2062
50+
￥1.7516
150+
￥1.5567
1000+
￥1.3136

有货

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型号：MJD32C-13 编号：C460727

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -3A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥2.2793
50+
￥1.8237
150+
￥1.6284
500+
￥1.3848
2500+
￥1.2763

有货

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型号：MJE253G 编号：C127879

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.1
30+
￥1.86
100+
￥1.57
500+
￥1.27
1000+
￥1.19

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型号：MJD127G-HXY 编号：C50269812

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该达林顿晶体管由两只PNP型三极管复合构成，具备5A的集电极电流（IC）和100V的集电极-发射极耐压（VCEO），适用于高增益与高功率需求的电路设计。其电流放大倍数（HFE）可达2000至8000，显著提升输入阻抗与电流驱动能力，适合用于信号缓冲、高灵敏度开关及功率驱动电路。该器件可在低输入电流下控制较大负载，常用于电源管理模块、继电器驱动、LED控制及消费类电子设备中的精密模拟与数字接口电路。

1+
￥2.7645 ￥2.91
10+
￥2.1945 ￥2.31
30+
￥1.9475 ￥2.05
100+
￥1.6435 ￥1.73
500+
￥1.501 ￥1.58
1000+
￥1.425 ￥1.5

有货

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型号：FZT955TA 编号：C110508

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

数据手册

1+
￥3.04
10+
￥2.53
30+
￥2.31
100+
￥2.03
500+
￥1.91

有货

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型号：ZXTD720MCTA 编号：C155327

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压 (- 220mV @-1A)。 RSAT = 104mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，保持高增益。双 NPN 节省空间和元件数量。应用：DC-DC 转换器。充电电路

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.66
30+
￥2.36
100+
￥2.07
500+
￥1.9

有货

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型号：FZT757TA 编号：C526632

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。IC = -0.5A 持续电流。ICM = -1A 峰值脉冲电流。互补 NPN 类型：FZT657。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.63
30+
￥2.35
100+
￥2
500+
￥1.84

有货

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型号：FZT560TA 编号：C264100

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-500V。高连续电流：IC =-150mA。峰值脉冲电流：ICM =-500mA。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥3.3696
50+
￥2.7414
150+
￥2.4722
1000+
￥2.1363

有货

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型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.7
30+
￥2.41
100+
￥2.05
500+
￥1.88

有货

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型号：NJVMJD45H11RLG 编号：C231275

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥3.97
10+
￥3.29
30+
￥2.95
100+
￥2.61
500+
￥2.41

有货

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型号：ZXTP2012GTA 编号：C508267

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO-60V。 IC =-5.5A 连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-70mV 最大值 @-1A。 RSAT = 39mΩ @-5A，低等效导通电阻。 hFE 指定至-10A，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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