pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：STR2550 编号：C377933

封装：SOT-23

品牌：ST(意法半导体)

高压快速切换PNP功率晶体管

数据手册

5+
￥0.6716
50+
￥0.6557
150+
￥0.6451
500+
￥0.6345

有货

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型号：BRMJE172D 编号：C358472

封装：TO-252

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

TO-252 塑封封装 PNP 半导体三极管。

数据手册

5+
￥0.6795
50+
￥0.5934
150+
￥0.5565
500+
￥0.5105
2500+
￥0.49

有货

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型号：2SB1386(RANGE:180-390) 编号：C108182

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低集电极饱和电压。出色的电流增益特性

数据手册

5+
￥0.7604
50+
￥0.6068
150+
￥0.53
1000+
￥0.4724

有货

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型号：BD140 编号：C20604

封装：TO-126

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电流：与 BD135、BD137 和 BD139 互补

数据手册

5+
￥0.7932
50+
￥0.646
200+
￥0.5723
400+
￥0.5171

有货

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型号：DSS5140U-7 编号：C2760656

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流 IC = -1A。峰值脉冲电流 ICM = -2A。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ IC = -1A。超小型表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.80976 ￥0.8435
50+
￥0.607332 ￥0.7062
150+
￥0.484576 ￥0.6376
500+
￥0.445436 ￥0.5861
3000+
￥0.315628 ￥0.4153
6000+
￥0.299972 ￥0.3947

有货

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型号：2SB1184 编号：C45131717

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低VCE(sat)：VCE(sat) = -0.5V（典型值） (IC / IB = -2A / -0.2A)。与2SD1760 / 2SD1864互补

5+
￥0.8758
50+
￥0.7603
150+
￥0.7108
500+
￥0.649

有货

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型号：2SA1362-GR,LF 编号：C258011

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于低频功率放大器应用和功率开关应用。

数据手册

5+
￥0.9429
50+
￥0.7377
150+
￥0.6497
500+
￥0.54

有货

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型号：SS8550DTA 编号：C903228

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

PNP外延硅晶体管

数据手册

5+
￥0.956
50+
￥0.7777
150+
￥0.6886
500+
￥0.6217
2000+
￥0.5683

有货

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型号：2SA940 编号：C2900595

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

用于功率放大和帧频输出

数据手册

5+
￥1.0931
50+
￥0.8112
150+
￥0.714
500+
￥0.5927
2000+
￥0.5387
5000+
￥0.5063

有货

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型号：ZX5T955GTA 编号：C177097

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -140V。 IC = -4A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 -10A 高增益保持。应用：电机驱动。线路开关

数据手册

5+
￥1.1293
50+
￥0.9967
150+
￥0.9399
1000+
￥0.869

有货

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型号：NST857BDP6T5G 编号：C232622

封装：SOT-963-6

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用放大器应用，采用SOT-963六引脚表面贴装封装。通过将两个分立器件封装在一个封装中，适用于对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.1656
50+
￥0.9036
150+
￥0.7912
500+
￥0.6511
2500+
￥0.5887
5000+
￥0.5512

有货

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型号：ZXTP25020BFHTA 编号：C672075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

1+
￥1.272 ￥2.12
10+
￥0.935 ￥1.87
30+
￥0.704 ￥1.76
100+
￥0.652 ￥1.63
500+
￥0.628 ￥1.57
1000+
￥0.616 ￥1.54

有货

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型号：TIP42C-HXY 编号：C7469126

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款TO-220封装PNP型三极管，具备100V高耐压VCEO及6A大电流集电极能力，放大倍数在15至75范围内，适用于大功率开关电路与中等放大需求，是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

5+
￥1.411275 ￥1.5175
50+
￥1.062339 ￥1.1423
150+
￥0.945903 ￥1.0171
500+
￥0.800544 ￥0.8608
2500+
￥0.735816 ￥0.7912
5000+
￥0.696942 ￥0.7494

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型号：PBSS304PX 编号：C5155529

封装：SOT-89

品牌：Slkor(萨科微)

特性：BVCEO > -60V。IC = -4.3A 高连续电流。RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < -65mV @ IC = -1A。hFE 指定高达 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型：PBSS304NX。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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