pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SB772L-P-T60-K 编号：C73308

封装：TO-126

品牌：UTC(友顺)

是一款中功率低压晶体管，适用于音频功率放大器、DC-DC 转换器和电压调节器。

数据手册

5+
￥0.8
50+
￥0.6543
200+
￥0.5451
400+
￥0.4905
2400+
￥0.4468

有货

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型号：BC53-16PA,115 编号：C549343

封装：DFN-3(2x2)

品牌：Nexperia(安世)

PNP中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.9094
50+
￥0.7393
150+
￥0.6543
500+
￥0.56688 ￥0.5905
3000+
￥0.51792 ￥0.5395
6000+
￥0.493344 ￥0.5139

有货

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型号：2DB1182Q-13 编号：C176911

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电压。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.018065 ￥1.5195
50+
￥0.7638 ￥1.34
150+
￥0.593657 ￥1.2631
500+
￥0.548584 ￥1.1672
2500+
￥0.528515 ￥1.1245
5000+
￥0.516436 ￥1.0988

有货

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型号：PBSS4032PT,215 编号：C2908841

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23（TO - 236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat小信号突破性（BISS）晶体管。互补NPN型晶体管：PBSS4032NT。

数据手册

5+
￥1.0767
50+
￥0.8751
150+
￥0.7887
500+
￥0.653664 ￥0.6809
3000+
￥0.584544 ￥0.6089
6000+
￥0.5568 ￥0.58

有货

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型号：PBSS5230T,215 编号：C551964

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4230T。

数据手册

5+
￥1.1603
50+
￥0.9198
150+
￥0.8167
500+
￥0.674338 ￥0.6881
3000+
￥0.618282 ￥0.6309
6000+
￥0.58457 ￥0.5965

有货

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型号：TIP32C 编号：C2927632

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

中功率线性及开关应用

数据手册

5+
￥1.18104 ￥1.2432
50+
￥0.85386 ￥0.8988
150+
￥0.75126 ￥0.7908
500+
￥0.623295 ￥0.6561
2000+
￥0.566295 ￥0.5961
5000+
￥0.532 ￥0.56

有货

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型号：DXT751 编号：C49236793

封装：SOT-89-3L

品牌：SPTECH(深圳质超)

特性：小尺寸封装：SOT89-3L。大最大电流：IC =-1 A。低集电极到发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.3 V max.（在IC / IB =-0.5 A /-0.05 A时）。高功率耗散：PC = 1 W。与DXT651互补配对

5+
￥1.19776 ￥1.2608
50+
￥0.948765 ￥0.9987
150+
￥0.84208 ￥0.8864
1000+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
5000+
￥0.61408 ￥0.6464

有货

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型号：PZTA92T1G 编号：C152480

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.6409
50+
￥1.2503
150+
￥1.0829
1000+
￥0.8741
2000+
￥0.7811

有货

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型号：2SA2097(TE16L1,NQ) 编号：C2762673

封装：TO-252

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高 DC 电流增益：hFE = 200 至 500 (IC =-0.5A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.27V (max)。高速开关：tf = 55 ns (typ.)。重量：0.36 g (typ.)。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

数据手册

5+
￥2.0172
50+
￥1.5687
150+
￥1.3764
500+
￥1.1366

有货

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型号：FMMT560QTA 编号：C526620

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥2.0857
50+
￥1.6808
150+
￥1.5073
500+
￥1.2909

有货

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型号：ZXTP720MATA 编号：C508271

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压（- 220mV 最大 @-1A）。 RSAT = 104mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，高电流增益保持。低轮廓 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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5+
￥2.5542
50+
￥2.0527
150+
￥1.8378
500+
￥1.5696

有货

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型号：STN951 编号：C133360

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换PNP功率晶体管

数据手册

1+
￥2.7
10+
￥2.14
30+
￥1.89
100+
￥1.59
500+
￥1.46

有货

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型号：STN9360 编号：C155571

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

高压快速切换PNP功率晶体管

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5+
￥2.9814
50+
￥2.5429
150+
￥2.355

有货

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型号：FZT955TA 编号：C110508

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

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1+
￥3.1
10+
￥2.59
30+
￥2.37
100+
￥2.09
500+
￥1.97

有货

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型号：FZT757TA 编号：C526632

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -300V。IC = -0.5A 持续电流。ICM = -1A 峰值脉冲电流。互补 NPN 类型：FZT657。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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1+
￥3.5
10+
￥2.84
30+
￥2.56
100+
￥2.21
500+
￥2.05

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型号：MJD2955T4G 编号：C150055

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为通用放大器和低速开关应用而设计。

数据手册

1+
￥3.72
10+
￥3.02
30+
￥2.68
100+
￥2.33
500+
￥1.82
1000+
￥1.72

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型号：ZXTP2012GTA 编号：C508267

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO-60V。 IC =-5.5A 连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-70mV 最大值 @-1A。 RSAT = 39mΩ @-5A，低等效导通电阻。 hFE 指定至-10A，高增益保持。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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