pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBT4403-7-F 编号：C85183

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。互补NPN类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保产品

数据手册

20+
￥0.2465
200+
￥0.1978
600+
￥0.1707
3000+
￥0.1407
9000+
￥0.1266

有货

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型号：MMBTA94 编号：C305468

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。

数据手册

10+
￥0.2698
100+
￥0.2397
300+
￥0.2247
3000+
￥0.2134
6000+
￥0.2044

有货

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型号：FMMT718 编号：C5277995

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：极低的饱和电压。互补NPN类型：FMMT618。应用：栅极驱动MOSFET和IGBT。 DC-DC转换器

数据手册

10+
￥0.275145 ￥0.3237
100+
￥0.21794 ￥0.2564
300+
￥0.189295 ￥0.2227
3000+
￥0.16065 ￥0.189
6000+
￥0.14348 ￥0.1688
9000+
￥0.134895 ￥0.1587

有货

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型号：MMBT4403LT3G 编号：C154584

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2799
100+
￥0.2222
300+
￥0.1933
1000+
￥0.1716
5000+
￥0.1543

有货

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型号：2SA1013Y 编号：C962715

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：高电压。大连续集电极电流能力

10+
￥0.385985 ￥0.4063
100+
￥0.31084 ￥0.3272
300+
￥0.27322 ￥0.2876
1000+
￥0.23427 ￥0.2466
5000+
￥0.211755 ￥0.2229
10000+
￥0.20045 ￥0.211

有货

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型号：BSS63LT1G 编号：C232542

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.4079
100+
￥0.318
300+
￥0.273
3000+
￥0.2392

有货

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型号：NSVMMBT5401LT3G 编号：C896839

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.416409 ￥0.5271
50+
￥0.369009 ￥0.4671
150+
￥0.345309 ￥0.4371
500+
￥0.327534 ￥0.4146
2500+
￥0.313314 ￥0.3966
5000+
￥0.306125 ￥0.3875

有货

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型号：EMT1T2R 编号：C507458

封装：SOT-563(SOT-666)

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个2SA1037AK芯片封装在EMT、UMT或SMT中。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将安装成本和面积减半。应用：通用小信号放大器

数据手册

10+
￥0.4435
100+
￥0.3564
300+
￥0.3129
1000+
￥0.2802
5000+
￥0.2541

有货

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型号：2SA1012B(RANGE:120-270) 编号：C190606

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：2A, 50V中功率晶体管。适用于中功率驱动器。低集电极-发射极饱和电压。应用：中功率驱动器。 LED驱动器

数据手册

5+
￥0.8861
50+
￥0.7119
150+
￥0.6248
500+
￥0.5594
2500+
￥0.5072

有货

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型号：FMMT591ATA 编号：C460079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

5+
￥0.9967
50+
￥0.7875
150+
￥0.6979
500+
￥0.586
3000+
￥0.5362

有货

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型号：FMMT593TA 编号：C500774

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压。高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型。应用：高端驱动器。负载断开开关

数据手册

5+
￥1.1319
50+
￥0.8874
150+
￥0.7651
500+
￥0.6733

有货

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型号：2SB1561 编号：C49236588

封装：SOT-89-3L

品牌：SPTECH(深圳质超)

特性：小尺寸封装：SOT89-3L。大最大电流：IC = -1 A。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = -0.15V 最大（在 IC / IB = -0.5A / -0.05A 时）。高功率耗散：PC = 2W。与 2SD2391 互补配对

5+
￥1.19776 ￥1.2608
50+
￥0.948765 ￥0.9987
150+
￥0.84208 ￥0.8864
1000+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
5000+
￥0.61408 ￥0.6464

有货

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型号：MJD45H11T4G-DW 编号：C49195054

封装：TO-252

品牌：DOWO(东沃)

特性：低集电极-发射极饱和电压。快速开关速度。互补型号为MJD44H11。标记：MJD45H11。应用：功率放大器。开关电路

5+
￥1.382
50+
￥1.0947
150+
￥0.9716
500+
￥0.818
2500+
￥0.7496

有货

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型号：ZXTP25020BFHTA 编号：C672075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

1+
￥1.484 ￥2.12
10+
￥1.309 ￥1.87
30+
￥1.232 ￥1.76
100+
￥1.141 ￥1.63
500+
￥1.099 ￥1.57
1000+
￥1.078 ￥1.54

有货

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型号：2SAR554RTL 编号：C962667

封装：SOT-346

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适用于中功率驱动器。低VCE(sat)：VCE(sat)= -400mV（最大值）（IC/IB = -500mA/-25mA）。应用：低频放大器。高速开关

数据手册

5+
￥1.5603
50+
￥1.2528
150+
￥1.121
500+
￥0.9566
3000+
￥0.7882

有货

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型号：MJD32CQ 编号：C20602014

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级为1。应用：通用放大器和低速开关应用

1+
￥1.73
10+
￥1.52
30+
￥1.43
100+
￥1.31
500+
￥1.26
1000+
￥1.23

有货

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型号：PBSS5540Z,115 编号：C426845

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4540Z。

数据手册

5+
￥1.951
50+
￥1.6123
150+
￥1.4672
1000+
￥1.09858 ￥1.1564
2000+
￥1.02201 ￥1.0758
5000+
￥0.97603 ￥1.0274

有货

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型号：BF723,115 编号：C70014

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP 高压晶体管，采用 SOT223 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。NPN 互补型号：BF722

5+
￥2.0097
50+
￥1.6248
150+
￥1.4599
1000+
￥1.203936 ￥1.2541
2000+
￥1.115904 ￥1.1624
5000+
￥1.063104 ￥1.1074

有货

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型号：FMMT723TA 编号：C211389

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A，高连续集电极电流。 ICM =-2.5A，峰值脉冲电流。低饱和电压VCE(sat) <-330mV @-1A。 RCE(sat) = 210mΩ，低等效导通电阻。 625mW功率耗散。应用：高端驱动器。负载断开开关

数据手册

5+
￥2.0594
50+
￥1.6445
150+
￥1.4667
500+
￥1.2448

有货

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型号：PMP5201Y,115 编号：C553005

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。SOT666 和 SOT363 (SC-88) 封装中的晶体管内部完全隔离。

数据手册

1+
￥2.59
10+
￥2.07
30+
￥1.85
100+
￥1.5326 ￥1.58
500+
￥1.4065 ￥1.45
1000+
￥1.3386 ￥1.38

有货

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型号：2STF2360 编号：C128669

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换PNP功率晶体管

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.28
30+
￥2.05
100+
￥1.75
500+
￥1.63
1000+
￥1.55

有货

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.45
30+
￥3.09
100+
￥2.74
500+
￥2.53
1000+
￥2.42

有货

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型号：PHPT60410PYX 编号：C6147419

封装：SC-100(SOT-669)

品牌：Nexperia(安世)

PNP 高功率双极晶体管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑料封装。NPN 互补型号为 PHPT60410NY。

1+
￥5.52
10+
￥5.42
30+
￥5.35
100+
￥5.0688 ￥5.28

有货

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型号：FZT956TA 编号：C144161

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.56
30+
￥4.04
100+
￥3.53
500+
￥3.22
1000+
￥3.06

有货

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型号：FZT951QTA 编号：C460221

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 IC =-5A 高连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-140 mV @-1 A。 RCE(SAT) = 55 mΩ 低等效导通电阻。 hFE 规定至-10A 以实现高增益保持。互补 NPN 类型：FZT851。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

数据手册