pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PBSS5140U,115 编号：C551952

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

PNP低VcEsat晶体管，采用SOT323 (SC-70)塑料封装。

数据手册

5+
￥0.529
50+
￥0.4206
150+
￥0.3664
500+
￥0.3257
3000+
￥0.2796
6000+
￥0.2633

有货

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型号：2SB772 编号：C3008133

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1W 集电极截止电流(Icbo

数据手册

5+
￥0.599545 ￥0.6311
50+
￥0.485545 ￥0.5111
150+
￥0.428545 ￥0.4511
500+
￥0.385795 ￥0.4061
2500+
￥0.30647 ￥0.3226
5000+
￥0.289275 ￥0.3045

有货

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型号：BCP51-16 编号：C2909823

封装：SOT-223

品牌：Slkor(萨科微)

特性：用于音频驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。

数据手册

5+
￥0.6573
50+
￥0.5565
150+
￥0.5061
500+
￥0.4683
2500+
￥0.4087
5000+
￥0.3936

有货

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型号：FZT955-MS 编号：C3008135

封装：SOT-223

品牌：MSKSEMI(美森科)

集射极击穿电压(Vceo)：-140V 集电极电流(Ic)：-4A 功率(Pd)：3W 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：370mV@3A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@1A

数据手册

5+
￥0.78705 ￥0.8745
50+
￥0.69255 ￥0.7695
150+
￥0.65205 ￥0.7245
1000+
￥0.56025 ￥0.6225
2000+
￥0.53775 ￥0.5975
5000+
￥0.52425 ￥0.5825

有货

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型号：PBSS5330X,115 编号：C282551

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

PNP低饱和电压（VCEsat）晶体管，采用SOT89塑料封装。

数据手册

5+
￥0.8632
50+
￥0.6952
150+
￥0.6112
1000+
￥0.5482
2000+
￥0.4978
5000+
￥0.4725

有货

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型号：FMMT591ATA 编号：C460079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

5+
￥1.0599
50+
￥0.848
150+
￥0.7571
500+
￥0.6438
3000+
￥0.5933

有货

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型号：BCM53DSF 编号：C549552

封装：TSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管，采用小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.328
50+
￥1.0456
150+
￥0.9246
500+
￥0.7736
2500+
￥0.7063
5000+
￥0.666

有货

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型号：BD138 编号：C283423

封装：SOT-32-3

品牌：ST(意法半导体)

是硅外延平面PNP晶体管，安装在Jedec SOT-32塑料封装中，适用于采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器。互补NPN类型为BD135、BD137和BD139。

数据手册

5+
￥1.34984 ￥1.436
50+
￥1.06386 ￥1.2665
150+
￥0.883412 ￥1.1938
500+
￥0.816294 ￥1.1031
2500+
￥0.786398 ￥1.0627
5000+
￥0.76849 ￥1.0385

有货

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型号：FMMT558TA 编号：C74606

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。高连续集电极电流 IC = -150mA。峰值脉冲电流 ICM = -500mA。功耗 500mW。高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT458。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（FMMT558Q）

数据手册

5+
￥1.3968
50+
￥1.1196
150+
￥1.0008
500+
￥0.8525

有货

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型号：MJD45H11 编号：C48580717

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

PNP (hFE):60

5+
￥1.4184 ￥1.576
50+
￥1.12356 ￥1.2484
150+
￥0.9972 ￥1.108
500+
￥0.83952 ￥0.9328
2500+
￥0.76932 ￥0.8548
5000+
￥0.7272 ￥0.808

有货

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型号：FMMT717TA 编号：C500779

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -2.5A。峰值脉冲电流 IcM = -10A。低饱和电压，例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ，等效导通电阻低。功率耗散 625mW。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

5+
￥1.4301
50+
￥1.1086
150+
￥0.9708
500+
￥0.7988
3000+
￥0.7223

有货

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型号：MJD127T4G(MS) 编号：C22365382

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD127T4G，采用表面贴装TO-252(DPAK)，由于其稳定的电流驱动能力，MJD127T4G适用于多种功率驱动场合，包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。

5+
￥1.494 ￥1.66
50+
￥1.305 ￥1.45
150+
￥1.224 ￥1.36
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

有货

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型号：BD140 编号：C38652

封装：TO-126

品牌：ST(意法半导体)

PNP硅晶体管

数据手册

5+
￥1.5982
50+
￥1.2389
150+
￥1.0849
500+
￥0.8927
2400+
￥0.8072

有货

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型号：FMMT596TA 编号：C150439

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

数据手册

3+
￥1.7439
30+
￥1.442
90+
￥1.3127
300+
￥1.1512
1500+
￥1.0794
3000+
￥1.0362

有货

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型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.8599
50+
￥1.4926
150+
￥1.3351
1000+
￥1.093

有货

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型号：MJD2955 编号：C2992046

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：设计用于通用放大器和低速开关应用。电气特性与MJD3055相似。直流电流增益指定为10安培

数据手册

5+
￥2.3374
50+
￥1.8586
150+
￥1.6534
500+
￥1.3974

有货

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型号：NSS60600MZ4T1G 编号：C235754

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

数据手册

5+
￥2.4493
50+
￥1.8949
150+
￥1.6573
1000+
￥1.3608
2000+
￥1.2288
5000+
￥1.1496

有货

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型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.48
50+
￥1.9578
150+
￥1.734
500+
￥1.2971
2500+
￥1.1728
5000+
￥1.0982

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型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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