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型号：ADPD2140WBCPZN-R7 编号：C659447

封装：LFCSP-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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单价：
￥31.2336 / 个

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型号：ADPD2140WBCPZN-RL 编号：C659448

封装：LFCSP-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥28.32
200+
￥10.96
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￥10.58
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￥10.39

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型号：BCS5030G1 编号：C19384864

封装：SMD,2x1.5mm

品牌：TDK

1+
￥130.82
200+
￥52.2
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￥50.46
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￥49.6

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型号：MICROFC-30050-SMT-TR 编号：C891565

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥140.12
200+
￥54.23
500+
￥52.32
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￥51.38

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型号：MICROFC-10020-SMT-TR 编号：C891562

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥154.88
200+
￥59.94
500+
￥57.83
1000+
￥56.79

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型号：MICROFC-10010-SMT-TR 编号：C891561

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥154.88
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￥59.94
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￥57.83
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型号：MICROFC-30020-SMT-TR 编号：C891564

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥217.08
200+
￥84.01
500+
￥81.06
1000+
￥79.6

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型号：MICROFC-30050-SMT-TR1 编号：C905853

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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￥283.38
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￥109.67
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￥103.91

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型号：MICROFC-10035-SMT-TR1 编号：C905850

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥293.05
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￥113.41
500+
￥109.42
1000+
￥107.45

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型号：SRP00244H 编号：C3210993

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥349.86
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￥135.4
500+
￥130.64
1000+
￥128.29

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型号：MICROFJ-40035-TSV-TR1 编号：C603294

封装：WBGA-14

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥368.38
200+
￥142.56
500+
￥137.55
1000+
￥135.07

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型号：02A4A-148-XMD 编号：C3211144

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥415.9
200+
￥160.95
500+
￥155.3
1000+
￥152.5

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型号：MICROFJ-30020-TSV-TR1 编号：C905869

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥673.68
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￥260.71
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￥251.55
1000+
￥247.02

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型号：MICROFJ-30035-TSV-TR1 编号：C905870

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥717.24
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￥277.56
500+
￥267.81
1000+
￥262.99

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型号：MICROFJ-60035-TSV-TR1 编号：C603296

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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