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  • 特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦
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  • 特性:小尺寸、高容值。低ESR/ESL型,适用于高频电路。符合AEC Q200, ISO7637 2(冲击试验)要求。满足LF(无铅)和HF(无卤)的要求。可采用波峰焊接和焊接 (不可采用回流焊接)。如果在焊接过程中必须使用铜线,则根据要求采用铜线
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  • X7R电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
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  • 特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦
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  • 径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
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  • C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。
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  • 径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
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  • 轴向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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  • 轴向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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  • 有货
  • 特性:小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用:温度补偿。耦合和去耦
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    • 150+

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  • 有货
  • 径向引线陶瓷电容器采用C0G电介质,最大工作温度为125°C。C0G电介质被电子工业联盟(EIA)归类为I类“稳定”材料,具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G电容在时间和电压方面无变化,在-55°C至+125°C的环境温度下电容变化可忽略不计,电容变化限制在±30ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
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