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首页 > 热门关键词 > 直插独石电容
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  • C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。
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      ¥1.0521
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      ¥1.0153
  • 有货
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    • 50+

      ¥1.0581
    • 150+

      ¥1.043
  • 有货
  • 特性:AEC Q200合格,可提供生产件批准程序(PPAP)。采用湿法工艺的高可靠性多层陶瓷电容器(MLCC)插入件。最高工作温度可达160°C。小尺寸大容量。轴向安装方式。符合报废电子电气设备指令(ELV)。应用:汽车
    • 5+

      ¥1.0857
    • 50+

      ¥1.0598
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      ¥1.0426
  • 有货
  • 径向引脚多层陶瓷电容器采用C0G电介质,最大工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将C0G电介质归类为I类“稳定”材料。此类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G的电容随时间和电压无变化,相对于环境温度的变化可忽略不计。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±30ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
    数据手册
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      ¥1.1065
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      ¥1.0678
  • 有货
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      ¥1.1784
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      ¥1.1372
  • 有货
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      ¥1.36
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  • Goldmax 符合 Z5U 电介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 85°C,被认为是“通用型”。电子工业联盟 (EIA) 将 Z5U 电介质归类为 III 类材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦或其他对介电损耗、高绝缘电阻和电容稳定性要求不高的应用。Z5U 电容随时间和电压的变化可预测,且随环境温度变化较大。在 +10°C 至 +85°C 范围内,电容变化限制在 +22% 56%。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.45
    • 10+

      ¥1.41
    • 30+

      ¥1.39
    • 100+

      ¥1.37
  • 有货
  • C0G 介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为 125°C。C0G 介质被电子工业联盟 (EIA) 归类为 I 类“稳定”材料,这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要 Q 值和电容特性稳定性的应用。C0G 电容在时间和电压方面无变化,在 -55°C 至 +125°C 的环境温度下,电容变化限制在 ±30ppm/°C。这些器件符合 UL 标准 94V 0 的阻燃测试要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.48
    • 10+

      ¥1.45
    • 30+

      ¥1.42
    • 100+

      ¥1.4
  • 有货
    • 1+

      ¥1.6
    • 10+

      ¥1.57
    • 30+

      ¥1.54
  • 有货
    • 1+

      ¥1.71
    • 10+

      ¥1.67
    • 30+

      ¥1.65
  • 有货
    • 5+

      ¥1.9106
    • 50+

      ¥1.6186
    • 150+

      ¥1.4935
  • 有货
  • Z5U介质的径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为85°C,被认为是“通用型”。电子工业联盟(EIA)将Z5U介质归类为III类材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦或其他对介电损耗、高绝缘电阻和电容稳定性要求不高的应用。Z5U电容随时间和电压呈现可预测的变化,且随环境温度有较大变化。在10°C至85°C范围内,电容变化限制在+22%至 56%。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.25
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥2.17
  • 有货
  • 多层陶瓷电容器有多种物理尺寸和配置,包括引脚式器件和表面贴装芯片。引脚式包括带有轴向和径向引线的模制和保形涂层部件。基本电容元件在所有样式中相似,称为芯片,由配制的介电材料组成,这些材料被浇铸成薄层,与金属电极交替排列,在层压结构的相对边缘交替暴露。整个结构在高温下烧制,以在小体积内提供高电容值。烧制后,导电端接应用于芯片的两端,以与暴露的电极接触。端接材料和方法根据预期用途而异。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.16
  • 有货
    • 1+

      ¥3.2
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥3.09
  • 有货
    • 1+

      ¥4.16
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

      ¥4.01
    • 100+

      ¥3.95
  • 有货
  • 轴向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.7
    • 10+

      ¥3.74
    • 30+

      ¥3.27
  • 有货
  • 径向引线多层陶瓷电容器采用X7R电介质,最大工作温度为125°C。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类“温度稳定”材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0规定的阻燃测试要求。
    • 1+

      ¥4.82
    • 10+

      ¥3.94
    • 30+

      ¥3.5
  • 有货
    • 1+

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    • 10+

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    • 30+

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    • 10+

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    • 30+

      ¥6.47
  • 有货
  • KEMET的C0G介质保形涂层径向引线陶瓷电容器,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将C0G介质归类为I类“稳定”材料。此类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路或需要Q值和电容特性稳定性的应用。C0G的电容随时间和电压无变化,相对于环境温度的变化也可忽略不计。从-55°C到+125°C,电容变化限制在±30 ppm/°C。这些器件符合UL标准94V 0的火焰测试要求以及汽车电子委员会严格的AEC Q200认证要求。
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

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      ¥11.9
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    • 10+

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    • 30+

      ¥12.18
  • 有货
  • 特性:小尺寸、高容值。低ESR/ESL型,适用于高频电路。符合AEC Q200, ISO7637 2(冲击试验)要求。满足LF(无铅)和HF(无卤)的要求。可采用波峰焊接和焊接 (不可采用回流焊接)。如果在焊接过程中必须使用铜线,则根据要求采用铜线
    数据手册
    • 1+

      ¥15.91
    • 10+

      ¥13.69
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    • 20000+

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