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首页 > 热门关键词 > 101瓷片电容
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  • C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将C0G电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压无变化,且在环境温度变化时电容变化可忽略不计。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±30ppm/°C。
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  • MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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  • 特性:符合IEC和各国安全标准。耐受电压为2600V AC。阻燃增强外绝缘,可防止火灾、触电等潜在危险。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。兼容无卤外部树脂涂层。应用:AC适配器、充电器、电源的Y电容
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  • 高温应用的多层陶瓷片式电容器,最高工作温度为150°C,电容范围可达22μF。
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  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:电子设备的电源电路噪声抑制电路。天线耦合跨接和旁路电路
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  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:瓷介电容器适用于电子设备的电源电路噪声抑制电路中,也可用于天线耦合跨接和旁路电路中。
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  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:瓷介电容器适用于电子设备的电源电路噪声抑制电路中,也可用于天线耦合跨接和旁路电路中。
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  • COG介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将COG介质归类为I类材料。这类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。COG的电容随时间和电压无变化,相对于环境温度的电容变化可忽略不计。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±30ppm/°C。
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  • COG电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会 (EIA) 将COG电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的应用。COG的电容随时间和电压无变化,在-55°C至+125°C的环境温度下,电容变化可忽略不计,电容变化限制在±30ppm/°C。
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  • X7R电介质的最高工作温度为125°C,被认为是温度稳定的。电子元件、组件和材料协会 (EIA) 将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于去耦和旁路应用,或适用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,并且相对于环境温度的电容变化极小。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±15%。
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  • 表面贴装多层陶瓷片式电容器(SMD MLCCs)C0G电介质适用于各种需要在恶劣环境中提供可靠性能的应用。无论是在发动机舱内还是车内,这些器件都突出了关键和安全关键汽车电路所需电容器的重要性和稳固性。针对汽车级产品制定了更严格的测试协议和检验标准,以应对潜在的恶劣环境条件。C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”
    数据手册
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  • X7R电介质的高压贴片多层陶瓷片式电容器(SMD MLCC)具有最高125°C的工作温度,被认为是“温度稳定型”。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的频率鉴别电路。X7R在时间和电压方面表现出可预测的电容变化,并且相对于环境温度的电容变化极小
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  • 订货
  • C系列,多层陶瓷片式电容器的商用级产品,最大工作温度下电容范围可达22μF。
    数据手册
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  • 产品将导电树脂层结合到终端电极中。树脂层可保护陶瓷体免受热冲击和电路板弯曲的影响。
    数据手册
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  • 通用型C系列是表面贴装元件,多层电介质和内部电极交替堆叠。整体结构确保了出色的机械强度和高可靠性。此外,由于其结构比其他电容器更简单,因此具有出色的频率特性,如低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)。电容范围高达100μF,产品线已扩展到薄膜电容器和电解电容器的范围。
    • 1+

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      ¥0.7379
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      ¥0.6984
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