瓷片电容20_厂家_价格_品牌_库存

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：CK45-E3DD103ZYNNAC L=3.5MM 编号：C880715

封装：插件,P=7.5mm

品牌：TDK

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型号：AY2472M49Y5US6TL0 编号：C22463888

封装：插件,P=10mm

特性：AEC-Q200合格。能承受85/85/1000h测试。能通过3000次温度循环(从 -55°C到 +125°C)。符合IEC 60384 14。高可靠性。垂直(直插)弯折或直引脚。应用：X1, Y2,根据IEC 60384 14。作为Y电容用于PHEV/EV电池充电器的EMI抑制和初次级耦合

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型号：564R30GAT10 编号：C1621679

封装：插件,P=6.4mm

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型号：564R60GAD10 编号：C1620349

封装：插件,P=9.5mm

特性：低损耗。小尺寸下高电容。高稳定性。径向引线。应用：照明镇流器。开关电源

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型号：HVCC153Y6P202MEAX 编号：C1623632

封装：插件,P=12.5mm

特性：陶瓷单层直流圆盘/交流圆盘电容器。高可靠性。高电容值可达2 nF。小尺寸,符合RoHS标准。低损耗。径向引线。应用：用于X射线源和脉冲激光器的高压电源。行李扫描仪

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型号：CC1H104ZA1PD3F5O3100 编号：C5442938

封装：插件,P=2.54mm

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

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型号：CC1H104ZC74D3F5O30MN 编号：C254094

封装：插件,P=5.08mm

半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。

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型号：R06E1B102MQ0T0S0N0 编号：C2914714

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S07E3B102MA5B0S0N0 编号：C2914823

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：CC3F472MD1IEF48F6100 编号：C48587142

封装：插件,P=7.5mm

4.7nF +80-20% 3KV Y5U

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型号：R11F3B103MA5B0S0N0 编号：C2914784

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S10F1E472MQ0T0S0N0 编号：C366841

封装：插件,P=7.5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：CC3D223ZE1IEF4DG70MF 编号：C48587136

封装：插件,P=10mm

高压旁路和藕合电路

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￥0.48868 ￥0.5144
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型号：DCH472M46Y5UP6FL5A0 编号：C2896559

封装：插件,P=5mm

品牌：SHM(南方宏明)

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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￥0.57931 ￥0.6098
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￥0.468065 ￥0.4927
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￥0.412395 ￥0.4341
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￥0.32243 ￥0.3394
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￥0.289085 ￥0.3043
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型号：CGP1C682MKWDAAWL25 编号：C19872345

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品牌：KEMET(基美)

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型号：615R100GAD47 编号：C6402854

封装：插件

特性：可按需提供20 kV额定电压。低损耗。小尺寸下实现高电容。高稳定性。径向引脚。陶瓷单层电容器。应用：高压电源。直流和脉冲高压

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型号：CC1H102MC1PDB44B3100 编号：C20754723

封装：插件,P=5.08mm

特性：适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22μF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤

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￥0.04797 ￥0.0533
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￥0.02988 ￥0.0332

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型号：CC1H223ZC1FD3F4D1000 编号：C377845

封装：插件,P=5.08mm

半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。

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￥0.066595 ￥0.0701
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￥0.05244 ￥0.0552
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￥0.04142 ￥0.0436
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￥0.032585 ￥0.0343
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￥0.0304 ￥0.032

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型号：CC1H103ZC1ED3F4D1100 编号：C2761727

封装：插件,P=5.08mm

適用於額定電壓不超過直流8kV或最大標稱電容量為0.22uF的電子設備。溫度補償型(1類瓷)電容器專門設計用於低損耗、電容量穩定性高或要求溫度系數有明確規定的諧振電路,可在電路中作溫度補償。高介電常數型(2類瓷)電容器適用於旁路、耦合或對損耗和電容量穩定性要求不高的電路。可適用於自動化生產線。符合RoHS 2.0、REACH標準,無鹵。

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￥0.071535 ￥0.0753
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￥0.057095 ￥0.0601
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￥0.044555 ￥0.0469
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￥0.039805 ￥0.0419
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￥0.035625 ￥0.0375
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￥0.033345 ￥0.0351

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型号：CC1H104ZA1PD3F5P3003 编号：C353903

封装：插件,P=2.54mm

50V/104/Z/F2.54/直腳/TB/酚醛(黃)/Y5V(III)/5P。本规格书适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1类瓷)电容器是专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器,例如,在电路中作温度补偿之用。该类陶瓷介质是由标称温度系数(alpha)来确定,如NPO、N750、SL等等。高介电常数型(2类瓷)电容器是适用于作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器

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￥0.0919
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￥0.0721
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型号：CC1H333ZA1PD3F4D3100 编号：C20754726

封装：插件,P=2.54mm