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首页 > 热门关键词 > 瓷片电容1000
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
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  • 订货
  • 特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册
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  • 特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件
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  • 额定电压:250VAC
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    • 150+

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  • 有货
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    • 3000+

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      ¥0.5627
    • 2500+

      ¥0.5165
    • 5000+

      ¥0.4933
  • 订货
  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于对低损耗和高电容稳定性要求较高的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
    • 5+

      ¥2.2585
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      ¥1.7645
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      ¥1.5529
    • 500+

      ¥1.2887
    • 2500+

      ¥1.1711
    • 5000+

      ¥1.1006
  • 订货
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      ¥3.11
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    • 1000+

      ¥2.3
  • 订货
  • 特性:损耗低、容量稳定性高,电容量变化与温度呈线性关系。多种温度系数,适用于谐振回路及温度补偿效应的电路。使用温度范围:-30°C ~ +85°C
    数据手册
    • 50+

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      ¥0.04
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  • 特性:低损耗因子(低DF)。工作温度范围:-25°C至+125°C。电容变化率:±15%(-25°C至+85°C)。D.F. ≤0.2%。独特特性:介电陶瓷无铅。电容公差:±10%。环氧涂层:无卤和无铅环氧树脂
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1097
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      ¥0.0875
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    • 25000+

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  • 订货
  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于需要低损耗和高电容稳定性的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
    • 20+

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  • 订货
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    • 10000+

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    • 20000+

      ¥0.0686
  • 订货
  • 特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件
    • 20+

      ¥0.1604
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  • 订货
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      ¥0.071
  • 订货
  • 特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件
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    • 10000+

      ¥0.0862
    • 20000+

      ¥0.0805
  • 订货
  • 特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件
    • 20+

      ¥0.1692
    • 200+

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    • 1000+

      ¥0.1081
    • 2000+

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    • 10000+

      ¥0.0836
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      ¥0.0775
  • 订货
  • 适用于额定电压不超过直流 8kV 或最大标称电容量为 0.22uF 的电子设备。温度补偿型(1 类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数确定,如 NP0、N750、SL 等。高介电常数型(2 类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如 Y5P、Y5U、Y5V 等。可适用于自动化生产线,符合 RoHS 2.0、REACH 标准,无卤。
    • 20+

      ¥0.1699
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      ¥0.1348
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      ¥0.1153
    • 2000+

      ¥0.1036
    • 10000+

      ¥0.0935
    • 20000+

      ¥0.088
  • 订货
  • 特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件
    • 20+

      ¥0.1711
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  • 订货
    • 20+

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      ¥0.0837
    • 20000+

      ¥0.0781
  • 订货
  • 圆片陶介电容器是一种芯片介质主要为钛酸钡,并用烧渗法将金属镀在陶瓷上作为电极制成,有环氧树脂包封和酚醛树脂包封两种,按其介质特性可分为I类温度补偿型、II类高介电常数型;III类半导体型。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1757
    • 200+

      ¥0.139
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      ¥0.1186
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      ¥0.0897
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    • 20+

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      ¥0.1514
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    • 10000+

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