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首页 > 热门关键词 > 瓷片电容1000
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  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路
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  • 半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于对低损耗和高电容稳定性至关重要的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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  • 特性:容量范围:1pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:调谐回路。需要补偿温度效应的电路
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  • 特性:符合IEC60384 8标准。温度系数呈线性。电容量稳定性高。应用频率范围广,损耗低。符合RoHS2.0的要求。工作温度范围:-25°C~+125°C。应用:谐振电路。高Q值需求电路
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      ¥0.13737 ¥0.1446
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      ¥0.06365 ¥0.067
  • 订货
  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
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      ¥0.1394
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  • 订货
  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
    数据手册
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      ¥0.0729
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      ¥0.0681
  • 订货
  • 特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册
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      ¥0.1
    • 2000+

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  • 订货
  • C/C 103M/2KV/P=7.5/L=3.8 9580 Y5V
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      ¥0.1467
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    • 1000+

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  • 订货
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      ¥0.0786
    • 20000+

      ¥0.0734
  • 订货
  • 特性:电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.159
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      ¥0.1266
    • 600+

      ¥0.1086
    • 2000+

      ¥0.0869
    • 10000+

      ¥0.0776
    • 20000+

      ¥0.0725
  • 订货
  • 特性:符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用:用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件
    • 20+

      ¥0.16128 ¥0.1792
    • 200+

      ¥0.13059 ¥0.1451
    • 1000+

      ¥0.11358 ¥0.1262
    • 2000+

      ¥0.10341 ¥0.1149
    • 10000+

      ¥0.09459 ¥0.1051
    • 20000+

      ¥0.08982 ¥0.0998
  • 有货
  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:旁路电路。耦合电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1616
    • 200+

      ¥0.1259
    • 600+

      ¥0.106
  • 有货
  • 特性:符合IEC60384 8标准。温度系数呈线性。电容量稳定性高。应用频率范围广,损耗低。符合RoHS2.0的要求。应用:谐振电路。高Q值需求电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.162355 ¥0.1709
    • 200+

      ¥0.126445 ¥0.1331
    • 1000+

      ¥0.106495 ¥0.1121
    • 2000+

      ¥0.094525 ¥0.0995
    • 10000+

      ¥0.084075 ¥0.0885
    • 20000+

      ¥0.07847 ¥0.0826
  • 有货
    • 20+

      ¥0.17271 ¥0.1919
    • 200+

      ¥0.14355 ¥0.1595
    • 1000+

      ¥0.11358 ¥0.1262
    • 2000+

      ¥0.10386 ¥0.1154
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      ¥0.0954 ¥0.106
    • 20000+

      ¥0.09081 ¥0.1009
  • 有货
  • 1类温度补偿型瓷介电容器的电容量随温度改变呈线性变化,适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1747
    • 200+

      ¥0.1382
    • 600+

      ¥0.1179
  • 有货
  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:旁路电路。耦合电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1777
    • 200+

      ¥0.142
    • 600+

      ¥0.1222
  • 有货
  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:旁路电路。耦合电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1794
    • 200+

      ¥0.1437
    • 600+

      ¥0.1238
  • 有货
  • 特性:容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用:旁路电路。耦合电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.194
    • 200+

      ¥0.155
    • 600+

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