瓷片电容102_厂家_价格_品牌_库存

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型号：CC3A102KC1PEB45F31MF 编号：C19712504

封装：插件,P=5.08mm

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于需要低损耗和高电容稳定性的场合,或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

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型号：CT81N6Y5P1B102KSEAT0 编号：C7497301

封装：插件,P=5mm

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

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型号：CT81M5Y5U1B102MSEAT0 编号：C7497300

封装：插件,P=5mm

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

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型号：CT81M5Y5V1B102MSEAT0 编号：C7497297

封装：插件,P=5mm

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

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型号：CT81N6Y5P6B102KTE 编号：C441476

封装：插件,P=5mm

圆片陶介电容器是一种芯片介质主要为钛酸钡,并用烧渗法将金属镀在陶瓷上作为电极制成,有环氧树脂包封和酚醛树脂包封两种,按其介质特性可分为I类温度补偿型、II类高介电常数型;III类半导体型。

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型号：CT81-M5Y5U1B102MSEW 编号：C278058

封装：插件,P=5mm

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型号：CT81-N6Y5P6B102KTEW 编号：C278002

封装：插件,P=5mm

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型号：HGK3AB102KH2B3.6W 编号：C541278

封装：插件,P=5mm

品牌：WMEC(万明)

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型号：HGK3FB102KG3BW 编号：C2848163

封装：插件,P=7.5mm

品牌：WMEC(万明)

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型号：HGK3GE102MA3BW 编号：C2905809

封装：插件,P=7.5mm

品牌：WMEC(万明)

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型号：CT81-P5Y5U1E102MSEW 编号：C278085

封装：插件,P=10mm

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型号：CC2H102KC1FDB45F3100 编号：C19712499

封装：插件,P=5.08mm

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,特别设计用于谐振电路应用,在这些应用中,低损耗和高电容稳定性至关重要,或者需要精确定义的温度系数,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

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型号：3A102MC1G-B4-ZNR 编号：C3148291

封装：插件,P=5.08mm

特性：符合IEC60384 8标准。温度系数呈线性。电容量稳定性高。应用频率范围广,损耗低。符合RoHS2.0的要求。应用：谐振电路。高Q值需求电路

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型号：1H102MA1P-B4-ZNR 编号：C3148275

封装：插件,P=2.54mm

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型号：R06E1E102MN0B0S0N0 编号：C2914716

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S07F1B102ZN0B0S0N0 编号：C2914825

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S07E1B102ZN0B0S0N0 编号：C2914820

封装：插件,P=5mm

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型号：R08B1E102KQ0T0S0N0 编号：C2914740

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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￥0.3202
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型号：T07F3D102MA5B0S0N0 编号：C2914881

封装：插件,P=10mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：Z10B8E102KN0B0S0N0 编号：C2914917

封装：插件,P=7.5mm

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型号：Y12B1D102KN0B0S0N0 编号：C366717

封装：插件,P=10mm

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型号：S102M59Z5UU83L0R 编号：C1620009

封装：插件,P=10mm

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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￥6.94
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￥6.65
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型号：CT7-Y5Y5U6E102MTE 编号：C2991581

封装：插件,P=10mm

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￥0.3587
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型号：MB2047 编号：C782957

封装：插件,P=5mm

品牌：CRC(创容)

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￥0.2935
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￥0.2551
1000+
￥0.2226
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￥0.1996
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型号：D102K20Y5PH63L2R 编号：C1620357

封装：插件,P=2.5mm

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￥0.1426
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￥0.11
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￥0.0919
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￥0.081
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￥0.0716
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￥0.0665

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型号：D102K20Y5PH63J5R 编号：C1620355

封装：插件,P=5mm

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。压接和直插引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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￥0.1592
50+
￥0.1265
150+
￥0.1084
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￥0.0975
2000+
￥0.0881
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￥0.083

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型号：CT7-Y5Y5V1D102MSE 编号：C20627056

封装：插件,P=7.5mm

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￥0.2707
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￥0.2375
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￥0.2127
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￥0.1928
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￥0.1829

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型号：F102K53S3NR63K7R 编号：C1635581

封装：插件,P=7.5mm