瓷片电容102_厂家_价格_品牌_库存

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型号：562R10TSD10 编号：C3000871

封装：插件,P=6.4mm

特性：低损耗。高稳定性。小尺寸大容量。完整的电容值范围。径向引线。陶瓷单层电容器。应用：旁路、耦合和解耦。直流阻断

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￥7.52
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￥5.59

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型号：CGP5C102KUYDAA7301 编号：C19872352

封装：-

品牌：KEMET(基美)

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型号：CT1-L5Y5P1B102KSPW 编号：C277987

封装：插件,P=5mm

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￥0.0545
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￥0.0443
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型号：CT81N6Y5P1B102KSEAT0 编号：C7497301

封装：插件,P=5mm

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

20+
￥0.155
200+
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￥0.0998
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￥0.088
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型号：CT81M5Y5U1B102MSEAT0 编号：C7497300

封装：插件,P=5mm

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

20+
￥0.1662
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￥0.1295
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￥0.1091
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￥0.0968
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型号：CT81N6Y5P6B102KTE 编号：C441476

封装：插件,P=5mm

圆片陶介电容器是一种芯片介质主要为钛酸钡,并用烧渗法将金属镀在陶瓷上作为电极制成,有环氧树脂包封和酚醛树脂包封两种,按其介质特性可分为I类温度补偿型、II类高介电常数型;III类半导体型。

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20+
￥0.1757
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￥0.139
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10000+
￥0.0791
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型号：CT81-M5Y5U1B102MSEW 编号：C278058

封装：插件,P=5mm

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20+
￥0.217
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￥0.1717
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￥0.1239
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￥0.0957
20000+
￥0.0886

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型号：HGK3AB102KH2B3.6W 编号：C541278

封装：插件,P=5mm

品牌：WMEC(万明)

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10+
￥0.3529
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￥0.2859
300+
￥0.2524
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10000+
￥0.164

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型号：D102K20Y5PH6TJ5R 编号：C2202266

封装：插件,P=5mm

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。压接和直插引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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5+
￥0.5375
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￥0.4299
150+
￥0.3762

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型号：HGK3FB102KG3BW 编号：C2848163

封装：插件,P=7.5mm

品牌：WMEC(万明)

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5+
￥0.7315
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￥0.5887
150+
￥0.5173
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型号：S102K43Y5PR63K7R 编号：C5904789

封装：插件

特性：小尺寸,高电容。高稳定性。有压接和直引脚样式。符合RoHS标准,无卤。应用：温度补偿。耦合和去耦

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￥1.38
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￥1.35
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￥1.33

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型号：S102K33Y5PP63K5R 编号：C1620863

封装：插件,P=5mm

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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5+
￥1.4394
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￥1.4106
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型号：HVCC153Y6P102KEAX 编号：C7205256

封装：插件

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￥15.16
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￥14.78
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型号：CT81-10KV-2D4-102K 编号：C412321

封装：插件,P=13mm

品牌：LY(鲁颖)

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￥1.989 ￥6.63
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￥1.084 ￥5.42
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￥0.482 ￥4.82
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型号：3A102MC1G-B4-ZNR 编号：C3148291

封装：插件,P=5.08mm

品牌：Dersonic(德尔创)

特性：符合IEC60384 8标准。温度系数呈线性。电容量稳定性高。应用频率范围广,损耗低。符合RoHS2.0的要求。应用：谐振电路。高Q值需求电路

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50+
￥0.0471
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￥0.0461
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￥0.0404

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型号：1H102MA1P-B4-ZNR 编号：C3148275

封装：插件,P=2.54mm

品牌：Dersonic(德尔创)

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50+
￥0.071
500+
￥0.0559
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￥0.044
4000+
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24000+
￥0.0346
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型号：R06E1E102MN0B0S0N0 编号：C2914716

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2242
200+
￥0.1781
1000+
￥0.1369
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￥0.1215
10000+
￥0.1082
20000+
￥0.101

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型号：S07F1B102ZN0B0S0N0 编号：C2914825

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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10+
￥0.2789
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￥0.2237
300+
￥0.1961
1000+
￥0.1571
5000+
￥0.1406
10000+
￥0.1323

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型号：S07E1B102ZN0B0S0N0 编号：C2914820

封装：插件,P=5mm

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10+
￥0.2987
100+
￥0.2387
300+
￥0.2087
1000+
￥0.1708
5000+
￥0.1528
10000+
￥0.1438

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型号：R08B1E102KQ0T0S0N0 编号：C2914740

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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10+
￥0.3202
100+
￥0.2578
300+
￥0.2266
1000+
￥0.1809
5000+
￥0.1622
10000+
￥0.1528

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型号：T07F3D102MA5B0S0N0 编号：C2914881

封装：插件,P=10mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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10+
￥0.3395
100+
￥0.2747
300+
￥0.2423
1000+
￥0.1878
5000+
￥0.1684
10000+
￥0.1587

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型号：Z10B8E102KN0B0S0N0 编号：C2914917

封装：插件,P=7.5mm

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10+
￥0.4749
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￥0.3837
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￥0.2985
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￥0.2643
5000+
￥0.237
10000+
￥0.2233

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型号：Y12B1D102KN0B0S0N0 编号：C366717

封装：插件,P=10mm

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5+
￥0.5782
50+
￥0.462
150+
￥0.4039
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￥0.3306
2500+
￥0.2958
5000+
￥0.2783

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型号：HVCC103Y6P102MEAX 编号：C1623648

封装：插件,P=12.5mm

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1+
￥20.7
10+
￥18.02
30+
￥16.42
250+
￥14.81
500+
￥14.07
1000+
￥13.73

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型号：MB2047 编号：C782957

封装：插件,P=5mm

品牌：CRC(创容)

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10+
￥0.3703
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￥0.2935
300+
￥0.2551
1000+
￥0.2226
5000+
￥0.1996
10000+
￥0.188

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型号：CK45-R3AD102K-PRY 编号：C340599

封装：插件,P=5mm

特性：符合AEC Q200。保证能在 -55°C~ +125°C热冲击试验中经受1000个循环。在高频,高电压时的介电质损失很小,自我发热小。由于导线及内部焊锡的无铅化,符合RoHS指令。采用无卤的外包封装树脂。应用：车载用充电器的缓冲电路保护

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20+
￥0.2089
200+
￥0.1692
1000+
￥0.1471
2000+
￥0.1338
10000+
￥0.1223
20000+
￥0.1161

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型号：CK45-R3AD102K-VRY 编号：C342349

封装：插件

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20+
￥0.2095
200+
￥0.1664
1000+
￥0.1165
2000+
￥0.1021
10000+
￥0.0897
20000+
￥0.083

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型号：CK45-R3AD102K-NRY 编号：C342348

封装：插件

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20+
￥0.2144
200+
￥0.1714
1000+
￥0.1474
2000+
￥0.1331
10000+
￥0.1206
20000+
￥0.1139

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型号：CK45-R3AD102K-NRYC 编号：C508868

封装：插件,P=5mm