瓷片电容102_厂家_价格_品牌_库存

C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将C0G电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压无变化,在 -55°C至 +125°C的环境温度下,电容变化限制在±30ppm/°C。

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型号：C0603C102J2GECAUTO 编号：C2169812

封装：0603

表面贴装多层陶瓷片式电容器(SMD MLCCs)采用COG电介质,适用于各种可能在组装或操作过程中发生静电放电(ESD)事件的应用场景,这种事件可能会损坏电容器或电路。这些经ESD评级的电容器能够根据人体模型(HBM)AEC Q200 002标准进行设计。汽车级系列电容器还满足汽车电子委员会AEC Q200的其他严格要求。COG电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”

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型号：CC1812JKNPODBN102 编号：C577320

封装：1812

特性：RoHS合规。无卤合规。MSL等级为MSL I。焊接符合J-STD-020D标准。由陶瓷介质矩形块组成,内部包含多个交错的金属电极,单位体积电容高。内部电极连接到两个端部终端,终端覆盖一层镀锡(NiSn),终端无铅。应用：个人电脑。硬盘

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型号：1812CG102J101NT 编号：C3037691

封装：1812

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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型号：04025A102FAT2A 编号：C6354588

封装：0402

品牌：Kyocera AVX

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型号：C1812N102J202T 编号：C106132

封装：1812

品牌：IHHEC(禾伸堂)

产品设计和制造符合国际标准的一般要求,适用于商业和工业应用,包括NP0 (C0G) 和X7R特性,尺寸从0603到2225,工作电压可达8KV。

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型号：CS65ZU2GA102MANKA 编号：C2680664

封装：插件,P=7.5mm

品牌：TDK

特性：AEC-Q200 合规。1000 次热冲击测试保证,温度范围为 -55°C 至 +125°C。符合 IEC 和各国安全标准。耐受电压为 2600V AC。引线和内部焊接材料无铅,符合 RoHS 指令。兼容无卤外部树脂涂层。应用：汽车电池充电器或空调的 Y 电容

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型号：C1206A102J500NT 编号：C17702786

封装：1206

品牌：TORCH(火炬)

特性：容量范围:100pF~22μF。电压范围:25V~100V。外形尺寸:0402~1210。符合欧盟RoHS法规要求。温度特性:X7R(-55°C~+125°C)。可选精度:K=±10%、M=±20%。应用：消费电子。汽车电子

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型号：C0805C102F5GACTU 编号：C2179373

封装：0805

C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将C0G电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压无变化,且在环境温度变化时电容变化可忽略不计。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±30ppm/°C。

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型号：BFC233860102 编号：C511438

封装：插件,P=7.5mm

特性：AEC-Q200合格(修订版C),最高温度可达105°C。符合THB IIB等级(间距≥15mm):85°C,85%相对湿度,在额定交流电压下持续500小时。高温性能良好,最高温度可达125°C。应用：标准线路旁路(线路与地之间)Y2应用。连续运行的线路旁路应用

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型号：C1206C102KFRACTU 编号：C2172094

封装：1206

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型号：C1206C102JGRACTU 编号：C2167697

封装：1206

X7R电介质的高压贴片多层陶瓷片式电容器(SMD MLCC)具有最高125°C的工作温度,被认为是“温度稳定型”。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的频率鉴别电路。X7R在时间和电压方面表现出可预测的电容变化,并且相对于环境温度的电容变化极小

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型号：BFC238560102 编号：C3793796

封装：插件,P=10mm

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型号：VJ1111D102KXDAT 编号：C2167967

封装：1111

特性：外壳尺寸:0505、1111、2525和3838。超稳定、高Q值介电材料。无铅端接代码“X”。锡/铅端接代码“L”。非磁性铜端接代码“C”。可靠的贵金属电极(NME)系统。应用：MRI线圈和发生器。RF仪器

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型号：VJ1206A102JXGAT5Z 编号：C2171257

封装：1206

特性：适用于高压应用,符合RoHS标准。多层陶瓷片式电容器(MLCC),防止表面电弧放电。出色的高压性能。无卤。与标准高压MLCC相比,具有更高的电容和更小的尺寸,节省电路板空间。电压击穿能力是竞争对手产品的两倍。应用：电源。DC/DC转换器(降压和升压)

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型号：HV1812Y102KXHATHV 编号：C2171173

封装：1812

特性：优异的可靠性和热冲击性能。与RoHS标准设计相比,具有高电压击穿能力。高可靠的串联电极设计。可能需要保护性表面涂层以防止表面电弧。提供聚合物端接,以满足电路板弯曲的要求。湿法制造工艺。应用：输入滤波电容。输出滤波电容

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型号：0201B102K250NT 编号：C285176

封装：0201

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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型号：CC0402MRX7R9BB102 编号：C527029

封装：0402

特性：以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:一级。应用：个人电脑、硬盘、游戏电脑。 DVD、摄像机

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型号：CC0201KRX7R5BB102 编号：C541214

封装：0201

特性：以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:一级。应用：个人电脑、硬盘、游戏电脑。 DVD、摄像机

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型号：0201B102J250NT 编号：C43283837

封装：0201

特性：叠层独石结构,具有高可靠性能。具有优良的焊接与耐焊性能,适用于回流焊接与波峰焊接。具有较高的容量且容量性能稳定。应用：应用于各种滤波、耦合、谐振、旁路、高频电子线路

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型号：CC0201KRX5R6BB102 编号：C541212

封装：0201

特性：以卷带形式供应。镍屏障端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。应用：PCs、硬盘、游戏PC。电源

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型号：CC0201KRX5R9BB102 编号：C2935228

封装：0201

特性：以卷带形式供应。镍屏障端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。应用：PCs、硬盘、游戏PC。电源

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型号：0402B102J500NT 编号：C574056

封装：0402

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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型号：AC0201KRX7R9BB102 编号：C3843341

封装：0201