瓷片电容103_厂家_价格_品牌_库存

封装：1812

X7R电介质的高压贴片多层陶瓷片式电容器(SMD MLCC)具有最高125°C的工作温度,被认为是“温度稳定型”。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件是固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的频率鉴别电路。X7R在时间和电压方面表现出可预测的电容变化,并且相对于环境温度的电容变化极小

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型号：C1210C103J2GACAUTO 编号：C2175834

封装：1210

品牌：KEMET(基美)

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型号：C0603C103F4GACTU 编号：C2365133

封装：0603

品牌：KEMET(基美)

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型号：MKP1837310161G 编号：C3794598

封装：插件,P=5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：安装方式:径向。应用：振荡器、定时和LC/RC滤波电路。高频耦合/去耦

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型号：C1210C103KDRACAUTO 编号：C2171274

封装：1210

品牌：KEMET(基美)

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型号：C315C103K1R5TA 编号：C600202

封装：插件,P=2.54mm

品牌：KEMET(基美)

径向引线陶瓷电容器采用X7R电介质,最高工作温度为125°C。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质列为II类“温度稳定”材料。此类元件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R电容随时间和电压的变化具有可预测性,且相对于环境温度的变化极小。在-55°C至+125°C的温度范围内,电容变化限制在±15%。这些器件符合UL标准94V 0的阻燃测试要求。

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型号：C1210C103JBGACAUTO 编号：C3898479

封装：1210

品牌：KEMET(基美)

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型号：VJ1206Y103KXGAT5Z 编号：C2168838

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

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型号：BFC237051103 编号：C3767808

封装：-

品牌：VISHAY(威世)

特性：引脚间距:5.08mm。提供散装盒、带盘或卷带包装。通过AEC-Q200认证(修订版D)。材料分类:如需了解合规定义,请参阅相关文档。应用：阻隔和耦合。旁路和储能

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型号：C1210C103KFRACAUTO 编号：C2171653

封装：1210

品牌：KEMET(基美)

表面贴装多层陶瓷片式电容器(SMD MLCCs)采用X7R电介质,最大工作温度为125°C,被认为是“温度稳定”的。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用或频率鉴别电路,其中Q值和电容特性的稳定性并非关键因素。X7R电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小

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型号：C0805C103F3GECAUTO 编号：C1849648

封装：0805

品牌：KEMET(基美)

适用于各种应用场景,可防止组装或操作过程中的静电放电事件损坏电容器或电路。能根据人体模型(HBM)AEC Q200 002标准在给定的静电放电标准内进行设计。汽车级电容器还满足汽车电子委员会AEC Q200的其他严格认证要求。COG电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子工业联盟(EIA)将COG电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿特性,适用于谐振电路应用,以及需要Q值和电容特性稳定性的应用。COG电介质的电容随时间和电压无变化,与25°C时的值相比,电容变化可忽略不计,在 55°C至 + 125°C的温度范围内,电容变化限制在±30ppm/°C。

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型号：C2220C103KGRACAUTO 编号：C2175678

封装：2220

品牌：KEMET(基美)

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型号：125LS10-R 编号：C1621616

封装：插件,P=9.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 60384 14 标准。高可靠性。完整的电容值范围。径向引脚。单层交流圆盘安全电容器。材料分类:如需了解合规定义,请参阅相关文档。应用：根据 IEC 60384 14 标准的 X1、Y4 应用。跨线应用

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型号：C4CAYUB2100AA0J 编号：C3807599

封装：插件,D12xL33mm

品牌：KEMET(基美)

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型号：BFC233841103 编号：C3295414

封装：插件,P=15mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 60381-14: AMD1 THB 等级 IA。10μF 时最大 IRMS 为 7A。具有自恢复特性。应用：标准跨线应用(50Hz/60Hz)中的 X2 电磁干扰抑制,最大电源电压为 300VAC

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型号：0201B103K500NT 编号：C43380

封装：0201

品牌：FH(风华)

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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型号：FN15X103K500PNG 编号：C328912

封装：0402

品牌：PSA(信昌电陶)

多层陶瓷片式电容器采用散装或卷带包装,非常适合厚膜混合电路以及在任何印刷电路板上进行自动表面贴装。镍阻挡层端接由镀在银金属化层上的镍阻挡层组成,然后通过电镀焊料层进行表面处理,以确保端接具有良好的可焊性。端接中的镍阻挡层可防止在高温焊接时,端接长时间浸入熔融焊料中发生溶解。

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型号：FN03X103K100PLG 编号：C2929123

封装：0201

品牌：PSA(信昌电陶)

多层陶瓷片式电容器适用于厚膜混合电路和任何印刷电路板上的自动表面贴装。镍阻挡层终端由镀在银金属化层上的镍阻挡层组成,然后通过电镀焊料层完成,以确保终端具有良好的可焊性。终端中的镍阻挡层可防止在高温焊接温度下长时间浸入熔融焊料时终端溶解。

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型号：0402B103K250CT-C 编号：C2991451

封装：0402

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。

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型号：0402B103J250CT 编号：C387939

封装：0402

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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型号：FN15X103K160PNG 编号：C2875126

封装：0402

品牌：PSA(信昌电陶)

POSPERITY多层陶瓷片式电容器以散装或卷带包装形式供应,非常适合厚膜混合电路以及在任何印刷电路板上进行自动表面贴装。镍屏障端接由镀银金属化层上的镍屏障层组成,然后通过电镀焊料层进行表面处理,以确保端接具有良好的可焊性。端接中的镍屏障层可防止在高温焊接温度下长时间浸入熔融焊料时端接溶解。

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型号：MSASU105SB7103KFNA01 编号：C7307491

封装：0402

品牌：TAIYO YUDEN(太诱)

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型号：TCC0603X7R103K500CTS 编号：C880659

封装：0603

品牌：CCTC(三环)

特性：相对传统产品,三明治结构产品增加了高强度介质层。三明治结构产品强度更高。应用：用于替代低容值常规X7R产品,如节能灯、LED灯、通用电源、工业控制、家电等要求元件具有较好抗折强度以保证产品可靠性的领域。

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型号：0402B103J160CT 编号：C152817

封装：0402

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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型号：0603X7R103K160NT 编号：C49326602

封装：0603

品牌：AIDE(爱迪电容)

应用：开关电源。AC DC电源转换器。DC DC电源转换器。网络/通讯接口。LCD模组背光电源供应器。节能灯镇流器

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型号：0201X103K160NT 编号：C285074

封装：0201

品牌：FH(风华)

高频类:此类介质材料的电容器为I类电容器,包括通用型高频COG、COH电容器和温度补偿型高频HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器。其中COG、COH电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL电容器容量随温度变化而相应变化,适用于低损耗、温度补偿型电路中。X7R、X5R、X7S、X6S:此类介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

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