瓷片电容103_厂家_价格_品牌_库存

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11F1D103MN0B0S0N0 编号：C2914776

封装：插件,P=10mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11F2E103MA5B0S0N0 编号：C2914781

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11F2E103MN0B0S0N0 编号：C2914782

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11F1E103ZN0B0S0N0 编号：C2914780

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：CT81-M12Y5V1E103MSE 编号：C20627031

封装：插件,P=10mm

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型号：R11F1D103MQ0T0S0N0 编号：C2914777

封装：插件,P=10mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：DCH103M46Y5VP6BL7A0 编号：C968823

封装：插件,P=7.5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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型号：CK45-E3DD103ZYVNA 编号：C340628

封装：插件,P=7.5mm

品牌：TDK

特性：符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：DC镇流器

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￥0.83125 ￥0.875
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型号：R15E1E103MN0B0S0N0 编号：C2914798

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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￥0.8654
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￥0.695
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￥0.4083

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型号：S14F2D103MA5B0S0N0 编号：C2914872

封装：插件,P=10mm

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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￥0.8812
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￥0.706
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型号：C14F1D103MQ0T0S0N0 编号：C366778

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:100pF至100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机的行扫描等电路

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￥0.9147
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型号：CT81M10Y5V1E103MSEAT0 编号：C7497308

封装：插件,P=10mm

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

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￥0.43344 ￥0.4816
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￥0.35568 ￥0.3952
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￥0.3168 ￥0.352
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￥0.28764 ￥0.3196
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￥0.26433 ￥0.2937
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型号：S103Z43Y5VN6TJ5R 编号：C2231306

封装：插件,P=5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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￥1.4907
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￥1.1505
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￥1.0047

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型号：DCT103M22Y5UF6FJ5A0 编号：C2896035

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：旁路电路。耦合电路

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20+
￥0.1996
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￥0.1595
600+
￥0.1372

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型号：DCH103M36Y5VN6WL7A0 编号：C2896266

封装：插件,P=7.5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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￥0.2712
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型号：CT81P12Y5V1D103MSEAT0 编号：C7497310

封装：插件,P=7.5mm

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

5+
￥0.752
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￥0.6176
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￥0.5504
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￥0.5

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型号：CT7-X12Y5V1D103MSE 编号：C20627042

封装：插件,P=7.5mm

5+
￥0.9096
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￥0.719
150+
￥0.6237

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型号：DCH103M56Y5VR6BL0A0 编号：C2896285

封装：插件,P=10mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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￥1.0841
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￥0.8605
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￥0.7647

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型号：DCM103Z30Y5VL6BL5A0 编号：C2896090

封装：插件,P=5mm

1类温度补偿型瓷介电容器的电容量随温度改变呈线性变化,适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中

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20+
￥0.2306
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型号：DCH103M36Y5V16FJ5A0 编号：C2896252

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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￥0.3192
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￥0.2566
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型号：CT81-N9Y5V1E103MSEW 编号：C278025

封装：插件,P=10mm

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￥0.31977 ￥0.3553
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￥0.26793 ￥0.2977
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￥0.21294 ￥0.2366
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￥0.1935 ￥0.215
5000+
￥0.17793 ￥0.1977
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￥0.17019 ￥0.1891

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型号：DCT103Z22Y5VF6FJ5A0 编号：C2896037

封装：插件,P=5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：旁路电路。耦合电路

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￥0.1747
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￥0.1363
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型号：DCH103M36Y5VN6FL5BU 编号：C2896263

封装：插件,P=5mm