直插瓷片电容_厂家_价格_品牌_库存

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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￥0.31749 ￥0.3342
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型号：S07S1E470KQ0T0S0P0 编号：C2914845

封装：插件,P=7.5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：CC3J100JE1IESL4G71MF 编号：C20754737

封装：插件,P=10mm

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

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￥0.258115 ￥0.2717
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型号：W08B1D331KN0B0S0N0 编号：C249238

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：W09F1D222MN0B0S0N0 编号：C249241

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：DCH472Z39Y5VR6BL0A0 编号：C2896565

封装：插件,P=10mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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型号：DCH102K36Y5PR6VK7EE 编号：C2896231

封装：插件,P=7.5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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型号：DCH680K36SL R6VK7C8 编号：C2896581

封装：插件,P=7.5mm

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收机的行扫描电路

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型号：Y11B1D331KN0B0S0N0 编号：C2914912

封装：插件,P=10mm

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型号：T10F1D472MN0B0S0N0 编号：C249235

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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￥0.4928
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型号：Y08E1D102MN0B0S0N0 编号：C366718

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:100pF至100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机的行扫描等电路

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型号：A09F1D222MQ0T0S0N0 编号：C366872

封装：插件,P=10mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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￥0.6204
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￥0.4354
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￥0.3205
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￥0.302

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型号：DCH103M46Y5VP6WL7A0 编号：C7545218

封装：插件,P=7.5mm

Y5V；D=12.3max；CP线 0.55mm；引脚长3.5mm；直脚/直引线；引线间距7.5mm

5+
￥0.6527
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￥0.516
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￥0.4476

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型号：CS14-F2GA103MYGKA 编号：C342779

封装：插件

品牌：TDK

特性：符合 IEC 和各国安全标准。额定耐受电压为 AC 2600V。阻燃增强外绝缘,可防止火灾、触电等潜在危险。兼容无卤外部树脂涂层

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￥0.8154 ￥0.906
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￥0.65772 ￥0.7308
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￥0.57888 ￥0.6432
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￥0.51975 ￥0.5775
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￥0.47241 ￥0.5249
5000+
￥0.44883 ￥0.4987

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型号：CT81-P12Y5V1D103MSE 编号：C2961304

封装：插件,P=7.5mm

品牌：FH(风华)

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￥0.9586
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￥0.7714
150+
￥0.6778
500+
￥0.6076

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型号：R13B1B332KN0B0S0N0 编号：C2914790

封装：插件,P=5mm

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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5+
￥0.9708
50+
￥0.7855
150+
￥0.6928
500+
￥0.537
2500+
￥0.4814
5000+
￥0.4536

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型号：S201K33S3NN63L6R 编号：C1620516

封装：插件,P=6.4mm

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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5+
￥1.8606
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￥1.4324
150+
￥1.249

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型号：S301K25X5FN63L6R 编号：C1633232

封装：插件

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

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5+
￥2.0847
50+
￥1.6159
150+
￥1.4151

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型号：564R30TSD22 编号：C6694716

封装：插件

特性：低损耗。小尺寸下具有高电容。高稳定性。径向引线。应用：照明镇流器。开关电源

1+
￥6.2
10+
￥6.06
30+
￥5.96

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型号：564R30GAD22 编号：C1641657

封装：插件,P=6.4mm

特性：低损耗。小尺寸下高电容。高稳定性。径向引线。应用：照明镇流器。开关电源

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1+
￥8.27
10+
￥8.1
30+
￥7.98

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型号：HVC-20KV-DL21-F12.5-102K 编号：C36498935

封装：插件,P=12.5mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,20KV 1000PF ±10% ，本体直径21mm

1+
￥18.89
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￥15.99
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￥14.17
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￥12.31

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型号：CC1H271KC1EDB44B1100 编号：C2832513

封装：插件,P=5.08mm

特性：可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤

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50+
￥0.03618 ￥0.0402
500+
￥0.03546 ￥0.0394
2000+
￥0.03159 ￥0.0351
5000+
￥0.03105 ￥0.0345

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型号：CC1H300KA1IDSL4B3100 编号：C42382255

封装：插件,P=2.54mm

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

50+
￥0.0375
500+
￥0.0366
2000+
￥0.036

有货

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型号：1H223ZC4P-3F-ZNR 编号：C3148282

封装：插件,P=5.08mm

数据手册

50+
￥0.04064 ￥0.0508
500+
￥0.032 ￥0.04
2000+
￥0.0252 ￥0.0315
4000+
￥0.02232 ￥0.0279
24000+
￥0.01984 ￥0.0248
50000+
￥0.01848 ￥0.0231

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型号：CC2H471KC1FDB45F3100 编号：C19712502

封装：插件,P=5.08mm

适用于额定电压不超过直流8kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿(1类)陶瓷电容器,专为谐振电路应用而设计,适用于对低损耗和高电容稳定性有要求或需要精确定义温度系数的场合,例如用于补偿电路中的温度影响。可适用于自动化生产线。

50+
￥0.04482 ￥0.0498
500+
￥0.04383 ￥0.0487
2000+
￥0.04311 ￥0.0479
5000+
￥0.04239 ￥0.0471

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型号：L06B1B221KN0B0S0N0 编号：C249138

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

数据手册

50+
￥0.0476
500+
￥0.0465
2000+
￥0.0457
5000+
￥0.045

有货

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型号：L06S1B470KN0B0S0N0 编号：C260723

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

数据手册

50+
￥0.0526
500+
￥0.0514
2000+
￥0.0506
5000+
￥0.0497

有货

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型号：L06B1B471KN0B0S0N0 编号：C249140

封装：插件,P=5mm

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

数据手册

50+
￥0.0549
500+
￥0.0538
2000+
￥0.0481
5000+
￥0.0473

有货

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型号：CC3A222MC1HEE45H30M2 编号：C42382256

封装：插件,P=5.08mm

特性：适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤

50+
￥0.05634 ￥0.0626
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￥0.05499 ￥0.0611
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￥0.05418 ￥0.0602
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￥0.05328 ￥0.0592

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型号：L06S1B270KN0B0S0N0 编号：C260721

封装：插件,P=5mm