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±0.25pF 4.7pF 50V
型号：0805N4R7C500CT 编号：C296101
封装：0805
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.05pF 0.2pF 25V
    型号：RF03N0R2A250CT 编号：C2909403
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    2.2nF ±10% 630V
    型号：1206B222K631CT 编号：C77513
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的仅适用于回流焊接工艺。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    15nF ±10% 630V
    型号：1206B153K631CT 编号：C2991395
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下提供更高的电容值。X7R电介质电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    1.5nF ±10% 250V
    型号：1206B152K251CT 编号：C77507
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的仅适用于回流焊接工艺。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    2.2uF -20%~+80% 25V
    型号：0805F225Z250CT 编号：C123633
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    型号：0805F684Z500CT 编号：C152854
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10nF ±10% 100V
    型号：1210B103K101CT 编号：C3836065
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    330nF ±10% 25V
    型号：1206B334K250CT 编号：C458939
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1.5nF ±5% 630V
    型号：1206N152J631CT 编号：C384725
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    4.7uF ±10% 16V
    型号：TT21X475K160CT 编号：C384657
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。用于对厚度有要求的产品,通常具有高电容和更薄的产品厚度。该系列产品使用高介电常数材料X7R、X5R和Y5V。
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    2.2uF -20%~+80% 25V
    型号：1206F225Z250CT 编号：C152955
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    22uF -20%~+80% 6.3V
    型号：0805F226Z6R3CT 编号：C123635
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    150pF ±5% 2kV
    型号：1206N151J202CT 编号：C3861932
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    4.7uF ±10% 10V
    型号：0805B475K100CT 编号：C152867
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10uF ±10% 25V
    型号：1206B106K250 编号：C105196
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2uF -20%~+80% 16V
    型号：1206F225Z160 编号：C123662
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1.5nF ±10% 2kV
    型号：1808B152K202CT 编号：C3876898
    封装：1808
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    10uF -20%~+80% 10V
    型号：1206F106Z100CT 编号：C152957
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    老批次：批次号20+
    数据手册

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    3.3nF ±5% 500V
    型号：1206B332J501CT 编号：C303958
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    33pF ±5% 3kV
    型号：1808N330J302CT 编号：C509279
    封装：1808
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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      ￥0.240464
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    10nF ±10% 1kV
    型号：1812B103K102CT 编号：C3836561
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    22uF -20%~+80% 10V
    型号：1206F226Z100 编号：C152992
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2uF ±10% 50V
    型号：1206B225K500CT 编号：C396788
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    6.8nF ±10% 100V
    型号：1812B682K101CT 编号：C152993
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    3.3nF ±10% 2kV
    型号：1812B332K202CT 编号：C3887002
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    22uF ±20% 16V
    型号：1210X226M160CT 编号：C237196
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1nF ±10% 16V
    型号：0201B102K160CT 编号：C338142
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    33pF ±5% 50V
    型号：0402N330J500CT-C 编号：C2991421
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100pF ±5% 25V
    型号：0201N101J250CT 编号：C388112
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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