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特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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  • 特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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  • 特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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  • 特性:电容器容量范围从0.001uF到1.0uF。工作温度:-40°C至125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C至35°C。有自愈的性能。高阻抗。良好的可焊性。应用:旁路,隔直,耦合,退耦。脉冲,定时,振荡电路
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  • 特性:宽工作电压范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。固定电容器Y2用于电磁干扰抑制和连接电源,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用:可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容
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  • 特性:宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用:可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容
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  • 特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:电容器容量范围从0.001μF到0.033μF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜及铝箔组成,无感结构。可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:各种电子线路中的高脉冲线路、大电流。电子镇流器
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  • 特性:电容器容量范围从0.001μF到0.033μF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜及铝箔组成,无感结构。可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:各种电子线路中的高脉冲线路、大电流。电子镇流器
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  • 特性:电容器容量范围从0.001μF到0.033μF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜及铝箔组成,无感结构。可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:各种电子线路中的高脉冲线路、大电流。电子镇流器
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  • 特性:电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度: -40°C~105°C。储存温度: 15°C~35°C。高频损耗低。金属化聚丙烯膜材料,塑料外壳封装。容量,损耗稳定性高。应用:高频、直流、交流和脉冲电路。电视机、监视器的S矫正电路
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  • 特性:电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C到105°C。储存温度:15°C到35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合
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  • 特性:电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合
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  • 特性:电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合
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