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特性:电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用:高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合
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  • 特性:电容器容量范围从 0.01uF 到 10.0uF。工作温度:-40°C ~ 125°C(+105°C 到 +125°C 每上升 1°C,降低 1.25% 倍电压)。储存温度:15°C ~ 35°C。容量范围宽,体积小。金属化聚酯膜,无感结构。自愈的性能好,寿命长。应用:旁路,隔直和耦合。滤波,低脉冲线路
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  • 特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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  • 特性:电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用:高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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  • 应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。可用于天线耦合跨接和旁路电路
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  • 特性:宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用:用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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  • 特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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  • 特性:电容器容量范围从 0.01μF 到 10.0μF。工作温度:-40°C ~ 125°C (+105°C 到 +125°C 每上升 1°C,降低 1.25% 倍电压)。储存温度:15°C ~ 35°C。容量范围宽,体积小。金属化聚酯膜,无感结构。自愈的性能好,寿命长。应用:旁路,隔直和耦合。滤波,低脉冲线路
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    • 10000+

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  • 有货
  • 特性:电容器容量范围从 0.01uF 到 10.0uF。工作温度:-40°C ~ 125°C(+105°C 到 +125°C 每上升 1°C,降低 1.25% 倍电压)。储存温度:15°C ~ 35°C。容量范围宽,体积小。金属化聚酯膜,无感结构。自愈的性能好,寿命长。应用:旁路,隔直和耦合。滤波,低脉冲线路
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  • 特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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    数据手册
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    • 10000+

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  • 有货
  • 特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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  • 特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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  • 特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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  • 特性:电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    • 10000+

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  • 特性:电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用:适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路
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