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1nF ±20% 2kV 直脚 长脚
型号：R06E1B102MN0B0S0N0 编号：C2914713
封装：插件,P=5mm
品牌：STE(松田)
特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    470pF ±10% 2kV 直脚 长脚
    型号：R06B1E471KN0B0S0N0 编号：C2914703
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    47pF ±10% 2kV 直脚 L=3.5 散件
    型号：R06S3B470KA5B0S0N0 编号：C2914725
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    2.2nF ±20% 2kV 外弯 L=3.5
    型号：R06F2E222MA5B0S0N0 编号：C2914722
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    1nF ±20% 500V 等级:Y1 材质:Y5V 外径:7mm，直脚
    型号：Q07F1D102MN0B0N0N0 编号：C22437623
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。可用于天线耦合跨接和旁路电路

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    470pF ±10% 500V 等级:Y1 材质:Y5U 外径:7mm，直脚L3.5
    型号：Q07E3D471KA5B2N0N0 编号：C22437621
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。可用于天线耦合跨接和旁路电路

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    1nF ±10% 100V L=20 12/7.5/4.5 CBB21
    型号：B22A102KN1B0120075045EOZ 编号：C2892991
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合
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    22nF ±10% 50V
    型号：05B223K500BF3C1H0R 编号：C409810
    封装：插件,P=5.08mm
    品牌：STE(松田)
    特性：小尺寸和大容量。高频下低ESR特性。符合无铅(LF)和无卤(HF)标准。环氧树脂涂层。应用：通用电子设备
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    2.2nF ±20% 2kV
    型号：R06F1B222MQ0T0S0N0 编号：C366825
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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    330pF ±10% 3kV
    型号：S07B1E331KN0B0S0N0 编号：C249174
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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    1nF ±10% 2kV 直脚 L=3.5
    型号：R08B3B102KA5B0S0N0 编号：C2914741
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    330pF ±10% 250V 等级:Y2 直脚 编带 P=7.5 Y5P
    型号：G07B1E331KQ0T0S0N0 编号：C2914499
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    4.7nF ±10% 50V
    型号：05B472K500BF3C1H0R 编号：C409808
    封装：插件,P=5.08mm
    品牌：STE(松田)
    特性：小尺寸和大容量。高频下低ESR特性。符合无铅(LF)和无卤(HF)标准。环氧树脂涂层。应用：通用电子设备
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    56pF ±10% 3kV
    型号：S08S1E560KN0B0S0N0 编号：C260737
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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    470pF ±10% 250V 等级:Y2
    型号：G07B1E471KN0B0S0N0 编号：C240872
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽工作电压范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。固定电容器Y2用于电磁干扰抑制和连接电源,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用：可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器
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    1nF ±20% 300V 等级:Y2 材质:Y5U 外径:7mm，直脚
    型号：G07E1E102MQ0T0H0N0 编号：C22437597
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    应用：电子设备的电源电路噪音压制电路。天线耦合跨接和旁路电路

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    30pF ±5% 3kV 直脚 L=3.5
    型号：S07S3E300JA5B0S0N0 编号：C2914852
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    1.5nF ±20% 250V 等级:Y2 直脚 L=3.5 P=7.5
    型号：G07F3E152MA5B0S0N0 编号：C2914529
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中
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    1nF ±20% 400V 等级:Y1
    型号：Q07F1D102MQ0T0S0N0 编号：C240894
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用：可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器
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    68nF ±5% 450V L=20 9.5/9.5/5.5 CBB21
    型号：B22S683JJ1B0095095055EOY 编号：C2893104
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合
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    330pF ±10% 400V 等级:Y1
    型号：Q08B1D331KN0B0S0N0 编号：C240805
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用：可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器
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    82nF ±5% 450V L=20 CBB21 12*9*4.5
    型号：B22S823JN1B0120090045EOZ 编号：C2893107
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合
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    22pF ±10% 3kV 直脚 长脚
    型号：S07S1E220KN0B0S0N0 编号：C2914839
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    100nF ±10% 63V
    型号：05B104K630BF3C1H0R 编号：C409816
    封装：插件,P=5.08mm
    品牌：STE(松田)
    特性：小尺寸和大容量。高频下低ESR特性。符合无铅(LF)和无卤(HF)标准。环氧树脂涂层。应用：通用电子设备
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    1.5nF ±20% 500V 等级:Y1 材质:Y5V 外径:8mm，直脚L3.0
    型号：Q08F3D152MA0B0N0N0 编号：C22437633
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。可用于天线耦合跨接和旁路电路

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    47pF ±5% 3kV 直脚 长脚
    型号：S07S1B470JN0B0S0N0 编号：C2914832
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    22pF ±10% 3kV 直脚 长脚 蓝色
    型号：S07S1B220KN0B0S0N0 编号：C2914829
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    150pF ±10% 3kV 直脚 长脚
    型号：S07B1E151KN0B0S0N0 编号：C2914817
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    100pF ±10% 400V 等级:Y1
    型号：Q07B1D101KN0B0S0N0 编号：C240802
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用：可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器
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    30pF ±10% 3kV 直脚 长脚
    型号：S07S1B300KN0B0S0N0 编号：C2914830
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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