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  • X5R介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。X5R材料具有高介电常数。由这种材料制成的电容器被视为II类电容器,其电容高于I类电容器。这些电容器具有半稳定的温度特性,可在较宽的温度范围内使用,例如在隔直、去耦、旁路、鉴频等电路中。
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  • COG 介质材料的电容器为 I 类电容器,包括常规、中高压 COG 产品。此类产品电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。适用于低损耗,稳定性要求高的电路中,如滤波器、谐振器和计时电路中。X7R、X7S、X7T、X6R、X6S、X6T、X5R 介质材料的电容器为 II 类电容器,具有较高的介电常数,容量比 I 类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
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  • 降低厚度并节省空间。更能抵抗电路板弯曲引起的应力。有效降低可听噪声的解决方案。节省空间和高速能量传输,低等效串联电感 (ESL)。高性能且节省空间
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  • 特性:陶瓷电容器:厚度更低,节省空间。高弯曲强度电容器:更能抵抗电路板弯曲引起的应力。低声学噪声电容器:有效降低可听噪声,低ESL。阵列式电容器:降低安装成本和纹波电压
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  • 普通陶瓷电容器:更低的厚度和节省空间。高抗弯强度电容器:更能抵抗电路板弯曲引起的应力。低声学噪声电容器:有效降低可听噪声的解决方案。低ESL电容器:节省空间和高速能量传输。阵列型电容器:降低安装成本和纹波电压
    数据手册
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