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  • 多层陶瓷片式电容器有 I 类和 II 类两种配方。温度补偿配方为 I 类,温度稳定和一般应用配方为 II 类。I 类多层陶瓷电容器为 COG,其电气性能与温度、电压、频率的相关性可忽略不计。最常用的 II 类电介质是 X7R、X5R 和 Y5V。X7R 在 -55°C 至 125°C 的温度范围内提供中间电容值,变化范围为 ±15%;X5R 在 -55°C 至 85°C 的温度范围内提供中间电容值,变化范围为 ±15%;Y5V 在 -30°C 至 85°C 的温度范围内提供最高电容值,变化范围为 22% 至 -82%。所有 II 类电容器的电容值都会受到温度、工作电压和频率的影响。
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  • X7R介质材料具有高介电常数,用这种材料制成的电容器被视为II类电容器,其电容高于I类电容器。这些电容器具有半稳定的温度特性,适用于宽温度范围,可用于隔直、去耦、旁路、鉴频等电路。
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  • X7R介质材料的电容器为II类电容器,具有较高的介电常数,容量比I类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。X7R材料具有高介电常数。用这种材料制成的电容器被认为是II类电容器,其电容高于I类电容器。这些电容器具有半稳定的温度特性,可在较宽的温度范围内使用,例如在隔直、去耦、旁路、鉴频等电路中。
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  • 电容材质特殊, M3L,可用于无线充电。低失真型电容器,此类产品电性能较稳定,几乎不随电压和时间变化,容量随温度变化率为-0.1%,适用于损耗低、要求较高的电路中。
    数据手册
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  • 多层陶瓷片式电容器有 I 类和 II 类两种配方。温度补偿配方为 I 类,温度稳定和通用配方为 II 类。I 类多层陶瓷电容器为 COG,其电气性能与温度、电压、频率的相关性可忽略不计。最常用的 II 类电介质是 X7R、X5R 和 Y5V
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