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1G 光纤笼子 光纤屏蔽罩 SFP2x2连接器外壳 压接式 无月牙 内外导光柱 15U''
  • 1+

    ¥33.0125 ¥34.75
  • 10+

    ¥28.1865 ¥29.67
  • 36+

    ¥25.878 ¥27.24
  • 108+

    ¥23.408 ¥24.64
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.755 ¥2.9
    • 10+

      ¥2.6885 ¥2.83
    • 50+

      ¥2.6505 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.603 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    数据手册
    • 1+

      ¥4.573 ¥5.38
    • 10+

      ¥3.706 ¥4.36
    • 50+

      ¥3.1535 ¥3.71
    • 100+

      ¥2.72 ¥3.2
    • 500+

      ¥2.465 ¥2.9
    • 1000+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    数据手册
    • 1+

      ¥4.573 ¥5.38
    • 10+

      ¥3.706 ¥4.36
    • 50+

      ¥2.975 ¥3.5
    • 100+

      ¥2.55 ¥3
    • 500+

      ¥2.2865 ¥2.69
    • 1000+

      ¥2.159 ¥2.54
  • 有货
  • A2424S-2WR3型号是定电压输入,隔离非稳压双路输出的DC/DC模块电源产品;输入电压24V(21.6V~26.4V) 输出电压±24Vdc,输出电流±42mA,输出功率2W,输出可持续短路保护,自恢复;转换效率86%;低静态电流,低纹波系数和低噪音,超低功耗 ;最大容性负载110uF;用于纯数字电路,一般低频模拟电路,继电器驱动电路,数据交换电路等 ;输入输出隔离耐压1.5KVdc;尺寸:长19.65*高10.16*宽7.00mm
    • 1+

      ¥8.84 ¥11.05
    • 10+

      ¥7.296 ¥9.12
    • 30+

      ¥6.464 ¥8.08
    • 100+

      ¥5.616 ¥7.02
    • 500+

      ¥5.232 ¥6.54
    • 1000+

      ¥5.064 ¥6.33
  • 有货
  • A0524S-2WR3型号是定电压输入,隔离非稳压双路输出的DC/DC模块电源产品;输入电压5V(4.5V~5.5V) 输出电压±24Vdc,输出电流±42mA,输出功率2W,输出可持续短路保护,自恢复;转换效率86%;低静态电流,低纹波系数和低噪音,超低功耗 ;最大容性负载110uF;用于纯数字电路,一般低频模拟电路,继电器驱动电路,数据交换电路等 ;输入输出隔离耐压1.5KVdc;尺寸:长19.65*高10.16*宽7.00mm
    • 1+

      ¥8.84 ¥11.05
    • 10+

      ¥7.296 ¥9.12
    • 30+

      ¥6.464 ¥8.08
    • 100+

      ¥5.616 ¥7.02
    • 500+

      ¥5.232 ¥6.54
    • 1000+

      ¥5.064 ¥6.33
  • 有货
  • ZC1106国产433MHz双向收发模块
    • 1+

      ¥10.78
    • 10+

      ¥9.09
    • 30+

      ¥8.03
  • 有货
  • 支持100%全国产;QA123HCD2-1803R3型号产品是SiC MOSFET 驱动器专用DC/DC模块;转换类型:DC-DC;输入电压(DC):12V(10.8V~13.2V);双组输出:+18V/-3V,+110mA/-110mA;高转换效率;输出可持续短路保护,自恢复
    • 1+

      ¥25.3175 ¥26.65
    • 10+

      ¥21.4985 ¥22.63
    • 32+

      ¥19.228 ¥20.24
    • 96+

      ¥16.929 ¥17.82
    • 496+

      ¥15.8745 ¥16.71
    • 800+

      ¥15.39 ¥16.2
  • 有货
    • 1+

      ¥32.84
    • 10+

      ¥27.85
    • 28+

      ¥24.88
  • 有货
  • 便装式电源150W,输入直流60-160V,输出48V,低纹波噪声,高效率,铁路、轻便机器人、无人机,工业自动化等场合。
    数据手册
    • 1+

      ¥422.25
    • 30+

      ¥407.85
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.465 ¥2.9
    • 10+

      ¥2.4055 ¥2.83
    • 50+

      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.465 ¥2.9
    • 10+

      ¥2.4055 ¥2.83
    • 50+

      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.465 ¥2.9
    • 10+

      ¥2.4055 ¥2.83
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      ¥2.3715 ¥2.79
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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.465 ¥2.9
    • 10+

      ¥2.4055 ¥2.83
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      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

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    • 10+

      ¥2.4055 ¥2.83
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      ¥2.329 ¥2.74
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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.465 ¥2.9
    • 10+

      ¥2.4055 ¥2.83
    • 50+

      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.771 ¥3.26
    • 10+

      ¥2.7115 ¥3.19
    • 50+

      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.771 ¥3.26
    • 10+

      ¥2.7115 ¥3.19
    • 50+

      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.771 ¥3.26
    • 10+

      ¥2.7115 ¥3.19
    • 50+

      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥2.771 ¥3.26
    • 10+

      ¥2.7115 ¥3.19
    • 50+

      ¥2.3715 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.329 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥3.097 ¥3.26
    • 10+

      ¥3.0305 ¥3.19
    • 50+

      ¥2.6505 ¥2.79
    • 100+

      ¥2.603 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    • 1+

      ¥4.978 ¥5.24
    • 10+

      ¥4.009 ¥4.22
    • 50+

      ¥3.5245 ¥3.71
    • 100+

      ¥3.04 ¥3.2
    • 500+

      ¥2.755 ¥2.9
    • 1000+

      ¥2.603 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
    数据手册
    • 1+

      ¥5.1965 ¥5.47
    • 10+

      ¥4.2275 ¥4.45
    • 50+

      ¥3.5245 ¥3.71
    • 100+

      ¥3.04 ¥3.2
    • 500+

      ¥2.755 ¥2.9
    • 1000+

      ¥2.603 ¥2.74
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于DC-DC转换器、电源开关模块等领域。TO263;P—Channel沟道,-60V;-110A;RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
    • 1+

      ¥5.966 ¥6.28
    • 10+

      ¥5.8235 ¥6.13
    • 50+

      ¥5.7285 ¥6.03
    • 100+

      ¥5.6335 ¥5.93
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于DC-DC转换器、电源开关模块等领域。TO263;P—Channel沟道,-60V;-110A;RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
    • 1+

      ¥6.251 ¥6.58
    • 10+

      ¥6.1085 ¥6.43
    • 50+

      ¥6.023 ¥6.34
    • 100+

      ¥5.928 ¥6.24
  • 有货
  • 采用SOT78(TO - 220AB)塑料封装的平面钝化可控硅整流器(SCR),适用于需要极高双向阻断电压能力、高结温能力和高热循环性能的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.61
    • 10+

      ¥5.22
    • 50+

      ¥4.53
  • 有货
  • E0524S-2WR3型号是定电压输入,隔离非稳压双路输出的DC/DC模块电源产品;输入电压5V(4.5V~5.5V),输出电压±24Vdc,输出电流±42mA,输出功率2W;输出可持续短路保护,自恢复;转换效率86%;低静态电流,低纹波系数和低噪音,超低功耗;最大容性负载110uF;适用于低频模拟电路,数据交换电路等;输入输出隔离耐压3KVdc ;尺寸:长19.50*高10.16*宽7.00mm
    • 1+

      ¥9.045 ¥10.05
    • 10+

      ¥7.461 ¥8.29
    • 30+

      ¥6.615 ¥7.35
    • 100+

      ¥5.742 ¥6.38
    • 500+

      ¥5.355 ¥5.95
    • 1000+

      ¥5.184 ¥5.76
  • 有货
  • 该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至110mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-4V至+18V,确保了器件在复杂工况下的稳定驱动与安全工作。采用宽禁带半导体材料,具有优异的开关特性与高温工作能力,可有效降低系统热耗散负担。典型应用包括高密度电源转换、高频DC-DC变换器及高性能逆变模块,适合对功率密度与能效有严苛要求的电力电子系统。
    • 1+

      ¥9.652 ¥10.16
    • 10+

      ¥9.4335 ¥9.93
    • 50+

      ¥9.291 ¥9.78
    • 100+

      ¥9.1485 ¥9.63
  • 有货
  • 本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压(VDSS)和24A连续漏极电流(ID),导通电阻低至110mΩ,可有效减少导通损耗,提升系统能效。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定栅极控制,增强开关可靠性。基于碳化硅材料特性,器件具有优异的高温工作性能、耐高压能力和快速开关响应,适用于高频率、高功率密度的电路设计。广泛用于高效电源转换系统、可再生能源逆变装置、高压直流变换模块及高性能电力电子设备中,满足对热管理与能效表现要求较高的应用场景。
    • 1+

      ¥16.7485 ¥17.63
    • 10+

      ¥16.359 ¥17.22
    • 50+

      ¥16.112 ¥16.96
    • 100+

      ¥15.8555 ¥16.69
  • 有货
  • MT110C16T1-A1-0000
    数据手册
    • 1+

      ¥138.06
    • 10+

      ¥129.95
  • 有货
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