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TP4336是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为移动电源等锂电池电子设备提供完整的单芯片电源解决方案。 TP4336内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块和多种保护模块。TP4336内置充电与放电功率MOS，充电电流固定为1A。

5+
￥0.591
50+
￥0.515
150+
￥0.477
500+
￥0.4485
2500+
￥0.4371
4000+
￥0.4257

有货

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型号：TP4333 编号：C382128

封装：SOP-8

品牌：TPOWER(天源)

TP4333 是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案，内部集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与 LED 指示模块、保护模块。 TP4333 内置充电与放电功率 MOS，充电电流固定为 0.8A，同步升压支持 1A 输出电流。 TP4333 内部集成了温度补偿、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保护等多重安全保护功能以保证芯片和锂离子电池的安全，应用电路简单，只需很少元件便可实现充电管理与放电管理。

数据手册

5+
￥0.887205 ￥0.9339
50+
￥0.704805 ￥0.7419
150+
￥0.613605 ￥0.6459
500+
￥0.545205 ￥0.5739
2500+
￥0.43016 ￥0.4528
4000+
￥0.4028 ￥0.424

有货

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型号：TP4337 编号：C29075511

封装：ESOP-10L

品牌：TPOWER(天源)

TP4337是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为移动电源等锂电池电子设备提供完整的单芯片电源解决方案。 TP4337内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块和多种保护模块。TP4337内置充电与放电功率MOS，充电电流固定为1A。

5+
￥0.6355
50+
￥0.5473
150+
￥0.5095
500+
￥0.4623
2500+
￥0.4539
4000+
￥0.4413

有货

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型号：AEGW003 编号：C42414501

封装：-

品牌：MyAntenna(摩天射频)

安装接口M20，LoRa组网无线数传通讯模块智能水表天线，户外工业DTU/网关高增益防水天线，频率423-443MHz, 增益：0.11dBi,驻波<1.5，全向,效率：57.79%,天线接口形式：IPEX-1 电缆型号：φ1.13 电缆长度：Φ1.13*72mm ，GPS有源天线 GPS高增益导航定位天线，频率范围：1575.42MHz 工作电压:3.3V~4.6v 接口形式：IPEX-1 电缆型号：φ1.13 电缆长度：Φ1.13*72mm 储藏温度：-20℃~85℃，防水等级IP68

1+
￥61.08
10+
￥58.31
40+
￥56.62
100+
￥55.2

有货

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型号：BSS123NH6433XTMA1 编号：C41365203

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

有货

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型号：RX932TS 编号：C20625820

封装：SMD,27x14.1mm

品牌：VIBRATION(振浩微)

315/433接收解码芯片可输出 NEC 、Uart 、SPI 协议数据

1+
￥4.389 ￥4.62
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￥3.9615 ￥4.17
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￥3.7335 ￥3.93
192+
￥3.4675 ￥3.65
576+
￥3.344 ￥3.52
960+
￥3.2965 ￥3.47

有货

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型号：TLV74330PDBVR-MS 编号：C30197480

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压3V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

5+
￥0.53428 ￥0.5624
50+
￥0.42028 ￥0.4424
150+
￥0.36328 ￥0.3824
500+
￥0.32053 ￥0.3374
2500+
￥0.28633 ￥0.3014
5000+
￥0.26923 ￥0.2834

有货

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型号：TLV74333PDBVR-MS 编号：C30197481

封装：SOT-23-5

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款低压差线性稳压器LDO，它具有低噪声、低静态电流和低压差特性，具有低噪声、固定输出电压3.3V,被广泛应用于：便携式电子设备、无线通信模块、医疗设备、物联网（IoT）设备等

5+
￥0.577695 ￥0.6081
50+
￥0.463695 ￥0.4881
150+
￥0.406695 ￥0.4281
500+
￥0.363945 ￥0.3831
2500+
￥0.329745 ￥0.3471
5000+
￥0.31255 ￥0.329

有货

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型号：TT04-433 编号：C961609

封装：插件

品牌：蜂鸟无线

适用于遥控发射和接收模块，如远-T1/T2/T2L，远-R1/R3/R4，微-R1/R2等产品，特点是尺寸小、距离远、低成本。

数据手册

5+
￥0.6309
50+
￥0.5109
150+
￥0.4509
500+
￥0.3466
2500+
￥0.3106
5000+
￥0.2925

有货

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型号：VBQF4338 编号：C7541170

封装：DFN-8(3x3)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P+P型功率MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要高效功率控制的电路和模块。DFN8(3X3)；2个P—Channel沟道,-30V；-6.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.7215 ￥4.97
10+
￥3.8095 ￥4.01
30+
￥3.363 ￥3.54
100+
￥2.907 ￥3.06
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：ADUCM430BBCZ-RL7 编号：C49166370

封装：BGA-121

品牌：ADI(亚德诺)

特性：模拟输入和输出：多通道，12位，2 MSPS ADC，最多16个外部通道，电源、VDAC、IDAC和温度监控内部通道，单端和差分模式，0V至VREF模拟输入范围，包含输入缓冲器。数字比较器：最多9个，12位电压输出VDAC。 VDAC：4通道，可选输出范围0V至2.5V或AVDDx-0.1V（ADuCM430/ADuCM431/ADuCM432为4通道，ADuCM433为3通道）；AVDDNEG +0.2V至0V或-2.5V至0V（ADuCM430为4通道，ADuCM433为1通道）；4通道，0V至2.5V或AVDDx-0.2V；1通道，0V至2.5V（ADuCM430/ADuCM431/ADuCM432）。 IDAC：最多4个低噪声，12位，4通道，可配置输出范围：50 mA、100 mA或150 mA（ADuCM430）；1通道，可配置输出范围：50 mA、100 mA或150 mA（ADuCM433）。电压比较器：最多4个，带可调滞后电压。 TEC控制器（ADuCM430/ADuCM432/ADuCM433）。应用：光网络-100G/200G/400G及更高频率模块

1+
￥113.9
10+
￥108.8
30+
￥99.96

有货

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型号：HTLV70433DBVR 编号：C41381688

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款线性稳压器（LDO）设计紧凑，具有出色的稳定性能，能够在输入电压高达30V的情况下，提供稳定的3.3V输出电压，最大输出电流可达150mA。该LDO的静态电流极低，仅为1.8μA，这使得它在电池供电的应用中能够显著延长设备的工作时间。凭借其宽泛的输入电压范围和低噪声特性，此LDO非常适合用于便携式电子设备、通信模块及其他对功耗和噪声敏感的应用中，确保了电路的可靠性和效率。

5+
￥0.456417 ￥0.5499
50+
￥0.360801 ￥0.4347
150+
￥0.312993 ￥0.3771
500+
￥0.277137 ￥0.3339
3000+
￥0.248419 ￥0.2993
6000+
￥0.23406 ￥0.282

有货

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型号：NTGS3433T1G-VB 编号：C20755063

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.2019 ￥1.414
50+
￥0.94911 ￥1.1166
150+
￥0.84082 ￥0.9892
500+
￥0.70567 ￥0.8302
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

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型号：SI3433CDV-T1-GE3-VB 编号：C18212519

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.972315 ￥1.1439
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：SI9433DY-T1-E3-VB 编号：C7463633

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

5+
￥2.0723 ￥2.438
50+
￥1.660985 ￥1.9541
150+
￥1.48478 ￥1.7468
500+
￥1.15549 ￥1.3594
2500+
￥1.05757 ￥1.2442
4000+
￥0.998835 ￥1.1751

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型号：SI9433BDY-T1-E3-VB 编号：C7463672

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

5+
￥2.0723 ￥2.438
50+
￥1.660985 ￥1.9541
150+
￥1.48478 ￥1.7468
500+
￥1.15549 ￥1.3594
2500+
￥1.05757 ￥1.2442
4000+
￥0.998835 ￥1.1751

有货

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型号：AELW007 编号：C42414500

封装：-

品牌：MyAntenna(摩天射频)

安装接口M20，LoRa组网无线数传通讯模块智能水表天线，户外工业DTU/网关高增益防水天线，频率423-443MHz, 增益：0.11dBi,驻波<1.5，全向,效率：57.79%,天线接口形式：IPEX-1 电缆型号：φ1.13 电缆长度：Φ1.13*72mm 储藏温度：-20℃~85℃，防水等级IP68

1+
￥48.45
10+
￥47.3
40+
￥46.53

有货

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型号：FDS9433A-NL-VB 编号：C20755498

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

5+
￥1.99342 ￥2.3452
50+
￥1.582105 ￥1.8613
150+
￥1.4059 ￥1.654
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￥1.18592 ￥1.3952
2500+
￥1.088 ￥1.28
4000+
￥1.029265 ￥1.2109

有货

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型号：SI4330DY-T1-E3-VB 编号：C2680881

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥2.108 ￥2.48
10+
￥1.666 ￥1.96
30+
￥1.479 ￥1.74
100+
￥1.241 ￥1.46
500+
￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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型号：SDM9433-VB 编号：C725150

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

数据手册

5+
￥2.140065 ￥2.2527
50+
￥1.680455 ￥1.7689
150+
￥1.483425 ￥1.5615
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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型号：SI4433DY-T1-E3-VB 编号：C19711278

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

5+
￥2.140065 ￥2.2527
50+
￥1.680455 ￥1.7689
150+
￥1.483425 ￥1.5615
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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型号：APM4330KC-TRL-VB 编号：C5441220

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.5585 ￥3.01
10+
￥2.023 ￥2.38
30+
￥1.7935 ￥2.11
100+
￥1.513 ￥1.78
500+
￥1.3855 ￥1.63
1000+
￥1.3005 ￥1.53

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