充电模块_厂家_价格_品牌_库存

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￥52.78 / 个

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型号：L18P015D15 编号：C6889548

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￥56.63 / 个

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型号：L18P005D15 编号：C6646605

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￥57.3 / 个

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型号：L03S100D15WM 编号：C6645781

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￥57.93 / 个

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型号：L03S300D15WM 编号：C6645800

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￥61.53 / 个

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型号：L03S400D15WM 编号：C6579054

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￥63.01 / 个

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型号：L03S600D15WM 编号：C6645802

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￥66.48 / 个

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型号：F02P006S05 编号：C6554464

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￥68.86 / 个

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型号：F01P006S05 编号：C6618391

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￥68.86 / 个

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型号：F02P050S05 编号：C6554466

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￥79.79 / 个

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型号：L03S500D15 编号：C6885483

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￥85.91 / 个

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型号：F01P050S05 编号：C6852889

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￥91.19 / 个

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型号：L03S400D15 编号：C6885481

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￥101.35 / 个

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型号：S25P100D15Y 编号：C6801594

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￥102.6 / 个

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型号：L03S300D15 编号：C6645785

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￥116.06 / 个

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型号：S26P200D15Y 编号：C6801615

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￥143.95 / 个

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型号：L34S400D15 编号：C6579555

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￥355.52 / 个

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型号：VBL165R06 编号：C42412743

封装：TO-263

TO263；N—Channel沟道,650V；6A；RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单极N型场效应晶体管，适用于电源模块、电动车充电器动领域和模块。

10+
￥2.295
100+
￥2.21
200+
￥2.04
1000+
￥1.955
2000+
￥1.904

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型号：VBN1101N 编号：C42412511

封装：TO-262

TO262；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于电动汽车充电桩，工业变频器等领域和模块。

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.968

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型号：VBM185R04 编号：C42412783

封装：TO-220AB

TO220；N—Channel沟道,850V；4.1A；RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单路N型MOSFET，适用于电源模块、电动车充电器等领域和模块。

10+
￥4.779
100+
￥4.602
200+
￥4.248
1000+
￥4.071
2000+
￥3.9648

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型号：VBGQA1603 编号：C42412491

封装：DFN-8(5x6)

DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；90A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款采用SGT技术单体N型MOSFET，应用于电源管理模块、工业控制模块、电动汽车充电桩等领域。

10+
￥4.968
100+
￥4.784
200+
￥4.416
1000+
￥4.232
2000+
￥4.1216

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型号：VBM165R22 编号：C42412753

封装：TO-220AB

TO220；N—Channel沟道,650V；22A；RDS(ON)=280mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；是一款采用Plannar技术单N沟道场效应晶体管，适用于电源模块、电动车充电器等领域和模块。

10+
￥5.724
100+
￥5.512
200+
￥5.088
1000+
￥4.876
2000+
￥4.7488

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型号：VBGE1256N 编号：C42412542

封装：TO-252

TO252；N—Channel沟道,250V；25A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SGT技术的单通道N型MOSFET，适用于电源模块、电动工具、充电器和逆变器等领域的各种模块。

10+
￥6.5475
100+
￥6.305
200+
￥5.82
1000+
￥5.5775
2000+
￥5.432

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型号：VBGL11505 编号：C42412659

封装：TO-263

TO263；N—Channel沟道,150V；140A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N型晶体管，采用SGT技术，适用于电动车电机控制器、太阳能充电控制器、工业电源模块等领域。

1+
￥7.644
50+
￥7.056
100+
￥6.9384
500+
￥6.7032
1000+
￥6.5856

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型号：VBL18R10S 编号：C42412774

封装：TO-263

TO263；N—Channel沟道,800V；10A；RDS(ON)=480mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型MOSFET，适用于电动车充电桩、工业电源系统等领域和模块。

1+
￥9.646
50+
￥8.904
100+
￥8.7556
500+
￥8.4588
1000+
￥8.3104

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型号：VBMB19R10S 编号：C42412801

封装：TO-220F

TO220F；N—Channel沟道,900V；10A；RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术高压功率 MOSFET，适用于工业高压电源模块、电动汽车充电桩等领域和模块。

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

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型号：VBMB185R10 编号：C42412784

封装：TO-220F

TO220F；N—Channel沟道,850V；10A；RDS(ON)=900mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单路N型MOSFET，适用于工业电源模块、电动汽车充电桩等领域和模块。

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

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型号：VBPB1102N 编号：C42412514

封装：TO-3P

TO3P；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Trench技术单通道N沟道场效应管，适用于电源模块、电动汽车充电桩等领域和模块。

1+
￥31.49
210+
￥12.57
510+
￥12.15
990+
￥11.94

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型号：VBP19R15S 编号：C42412794

封装：TO-247

TO247；N—Channel沟道,900V；15A；RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N型功率场效应晶体管，适用于工业电力系统、电动车充电桩等领域和模块。

1+
￥34.58
210+
￥13.8
510+
￥13.34
990+
￥13.11

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型号：VBP1202N 编号：C42412529

封装：TO-247AC