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特性:低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的组件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用:电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块(VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。汽车发动机控制。磁盘驱动器
数据手册
  • 1+

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  • 10+

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  • 30+

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    ¥0.3255
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  • FUSB3307是一款高度集成的USB Power Delivery (PD)电源控制器,可控制AC-DC适配器二次侧的DC-DC端口电源调节器或光耦。它实现了USB Power Delivery 3.0 (PD 3.0)和Type-C的源有限状态机,包括可编程电源(PPS)。为了满足PPS规范,FUSB3307支持最小3.3V和最大21V输出电压控制。它包括恒压(CV)和恒流限值(CL)控制模块。参考值由内部D/A转换器支持。FUSB3307支持各种保护,包括欠压保护(UVP),过压保护(OVP),过流保护(OCP),CC1和CC2过压保护(CC_OVP),VCONN过流保护(VCONN_OCP)以及内部和外部过温保护(I_OTP和E_OTP)。通过10位A/D转换器,可以监测输出电压、输出电流、IC内部温度以及通过NTC电阻器的外部温度。FUSB3307能够控制单个或背靠背的N沟道MOSFET作为负载开关,从而实现更低的成本和更简单的设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.85
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      ¥7.65
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  • TO263;N—Channel沟道,650V;6A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款采用Plannar技术单极N型场效应晶体管,适用于电源模块、电动车充电器动领域和模块
    • 10+

      ¥3.4425
    • 100+

      ¥3.315
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    • 1000+

      ¥2.9325
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      ¥2.805
    TO262;N—Channel沟道,100V;100A;RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管,适用于电动汽车充电桩,工业变频器等领域和模块
    • 10+

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      ¥3.822
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    • 2000+

      ¥3.234
    TO220;N—Channel沟道,850V;4.1A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;是一款采用Plannar技术单路N型MOSFET,适用于电源模块、电动车充电器等领域和模块
    • 10+

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      ¥4.071
    • 2000+

      ¥3.894
    DFN8(5X6);N—Channel沟道,60V;90A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款采用SGT技术单体N型MOSFET,应用于电源管理模块、工业控制模块、电动汽车充电桩等领域。
    • 10+

      ¥4.968
    • 100+

      ¥4.784
    • 200+

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    • 1000+

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    • 2000+

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