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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：2SK2414-Z-E2-VB 编号：C20755626

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥1.1536

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：BUK9277-55A-VB 编号：C7525115

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

10+
￥1.3905
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￥1.339
200+
￥1.236
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￥1.1845
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￥1.1536

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：2SK2503-VB 编号：C3040294

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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1个N沟道耐压:60V 电流:16A

型号：VBZE12N06 编号：C700622

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥1.3905
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1个N沟道耐压:60V 电流:16.9A

型号：SPD09N05-VB 编号：C693256

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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1个N沟道耐压:60V 电流:16.9A

型号：RFD14N05LSM-VB 编号：C693365

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥1.3905
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￥1.1845
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￥1.1536

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：APM3106NU-VB 编号：C20755468

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥2.187
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￥2.106
200+
￥1.944
1000+
￥1.863
2000+
￥1.8144

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：VS3080AD-VB 编号：C19632048

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.187
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￥2.106
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￥1.944
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￥1.863
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￥1.8144

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：IRFR3709ZCTRPBF-VB 编号：C5438944

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥2.187
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￥2.106
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￥1.944
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￥1.863
2000+
￥1.8144

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：LR8103V-VB 编号：C710009

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥2.106
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￥1.944
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￥1.863
2000+
￥1.8144

我要订货

1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：AM60N10-70PCFM-VB 编号：C5438924

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥2.781
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￥2.678
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￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.3072

我要订货

1个N沟道耐压:200V 电流:6.5A

型号：IRFS630B-VB 编号：C20417549

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

10+
￥2.9835
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￥2.873
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￥2.652
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￥2.5415
2000+
￥2.4752

我要订货

1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：PSMN025-100D-VB 编号：C7494555

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.968

我要订货

1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：IPD180N10N3G-VB 编号：C7568803

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.968

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AOD438-VB 编号：C693174

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

10+
￥2.187
100+
￥2.106
200+
￥1.944
1000+
￥1.863
2000+
￥1.8144

我要订货

1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：FDP75N08A-VB 编号：C20754944

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

10+
￥4.374
100+
￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.6288

我要订货

1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：FDP060AN08A0-VB 编号：C19632110

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥4.374
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￥3.6288

我要订货

N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：P0808ATG-VB 编号：C2680880

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

10+
￥4.374
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￥4.212
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￥3.726
2000+
￥3.6288

我要订货

1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：SUP75N08-10-VB 编号：C878835

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

10+
￥4.374
100+
￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.6288

我要订货

1个N沟道耐压:100V

型号：IRLI540NPBF-VB 编号：C7569031

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.3072

我要订货

1个N沟道耐压:100V 电流:18A

型号：VBMB1104N 编号：C481028

封装：TO-220F-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.3072

我要订货

1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：IRF630MFP-VB 编号：C878780

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

10+
￥2.9835
100+
￥2.873
200+
￥2.652
1000+
￥2.5415
2000+
￥2.4752

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:18A

型号：IXFP16N50P-VB 编号：C20417468

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

10+
￥5.724
100+
￥5.512
200+
￥5.088
1000+
￥4.876
2000+
￥4.7488

我要订货

N沟道耐压:650V 电流:18A

型号：BUK438-500B-VB 编号：C2680842

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

10+
￥5.724
100+
￥5.512
200+
￥5.088
1000+
￥4.876
2000+
￥4.7488

我要订货

1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：WFP75N08-VB 编号：C20755409

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

10+
￥4.374
100+
￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.6288

我要订货

1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：VBE1102N 编号：C480945

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.968

我要订货

1个N沟道耐压:80V 电流:28.6A

型号：VBM1808 编号：C481023

封装：ITO-220AB-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

10+
￥4.374
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￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.6288

我要订货

1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：FDP047AN08A0-VB 编号：C7463577

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

10+
￥4.374
100+
￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.6288

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:16A

型号：VBM165R18 编号：C481021

封装：ITO-220AB-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

数据手册

10+
￥5.724
100+
￥5.512
200+
￥5.088
1000+
￥4.876
2000+
￥4.7488

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：FDP18N50-VB 编号：C20626307

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥10.0064
500+
￥9.6672
1000+
￥9.4976

我要订货

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