充电模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SK2414-Z-E2-VB 编号：C20755626

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥1.3905
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￥1.339
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￥1.236
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￥1.133

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型号：BUK9277-55A-VB 编号：C7525115

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：VBZE12N06 编号：C700622

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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型号：SPD09N05-VB 编号：C693256

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥1.133

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型号：RFD14N05LSM-VB 编号：C693365

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

10+
￥1.3905
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￥1.339
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￥1.1845
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￥1.133

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型号：APM3106NU-VB 编号：C20755468

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.187
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￥2.106
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￥1.944
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￥1.863
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￥1.782

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型号：VS3080AD-VB 编号：C19632048

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.187
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￥1.944
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￥1.863
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￥1.782

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型号：IRFR3709ZCTRPBF-VB 编号：C5438944

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥2.187
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￥2.106
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￥1.944
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￥1.863
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￥1.782

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型号：LR8103V-VB 编号：C710009

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

10+
￥2.187
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￥1.782

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型号：PSMN025-100D-VB 编号：C7494555

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
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￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.915

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型号：FDP060AN08A0-VB 编号：C19632110

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

10+
￥4.374
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￥4.212
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￥3.888
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￥3.726
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￥3.564

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型号：P0808ATG-VB 编号：C2680880

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

10+
￥4.374
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￥4.212
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￥3.888
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￥3.726
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￥3.564

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型号：VBMB1104N 编号：C481028

封装：TO-220F-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.266

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型号：IRF630MFP-VB 编号：C878780

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

10+
￥2.9835
100+
￥2.873
200+
￥2.652
1000+
￥2.5415
2000+
￥2.431

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型号：IXFP16N50P-VB 编号：C20417468

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

10+
￥5.724
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￥5.512
200+
￥5.088
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￥4.876
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￥4.664

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型号：BUK438-500B-VB 编号：C2680842

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

10+
￥5.724
100+
￥5.512
200+
￥5.088
1000+
￥4.876
2000+
￥4.664

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型号：WFP75N08-VB 编号：C20755409

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

10+
￥4.374
100+
￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.564

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型号：VBE1102N 编号：C480945

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

10+
￥4.374
100+
￥4.212
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￥3.888
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￥3.726
2000+
￥3.564

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型号：IRFP150PBF-VB 编号：C20755363

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥7.17
10+
￥7
30+
￥6.88
90+
￥6.77

订货

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型号：VBM1808 编号：C481023

封装：ITO-220AB-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

10+
￥4.374
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￥4.212
200+
￥3.888
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￥3.726
2000+
￥3.564

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型号：FDP047AN08A0-VB 编号：C7463577

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

10+
￥4.374
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￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.564

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型号：VBM165R18 编号：C481021

封装：ITO-220AB-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

数据手册

10+
￥5.724
100+
￥5.512
200+
￥5.088
1000+
￥4.876
2000+
￥4.664

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型号：STF40NF20-VB 编号：C7463507

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥9.555
50+
￥8.82
100+
￥8.4525
500+
￥8.232
1000+
￥8.085

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型号：SIHF18N50D-E3-VB 编号：C7494636

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥9.752
500+
￥9.4976
1000+
￥9.328

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型号：IKY50N120CH3 编号：C536224

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。充电器

数据手册

1+
￥71.38
10+
￥60.96
30+
￥54.6
100+
￥49.27

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型号：AQHV24-01LTG 编号：C1974440

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQHVxx - 01LTG系列旨在为快速响应、高性能的过压保护元件提供选择。该系列非常适合用于电源接口、乘客充电接口、LED照明模块以及低速I/O。它能保护敏感设备免受静电放电（ESD）和其他过压瞬变的损害。它可以安全地承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准最高等级（4级，±8KV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降，并能以极低的钳位电压安全传导高达10A（AQHV12）的感应浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5第2版，tp = 8/20μs）。

数据手册

1+
￥2.12
10+
￥2.08
30+
￥2.05
100+
￥2.02

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型号：F280037CPTRQ1 编号：C6852992

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000 实时微控制器系列的一员，该系列器件具有可扩展性、超低延迟，专为提高电力电子产品的效率而设计，包括但不限于：高功率密度、高开关频率以及对 GaN 和 SiC 技术的支持。这些应用包括：电机驱动、家电、混合动力、电动和动力系统、太阳能和电动汽车充电、数字电源、车身电子和照明、测试和测量。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于浮点单元 (FPU)、三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。CLA 允许将常见任务从主 C28x CPU 显著卸载。CLA 是一个独立的 32 位浮点数学加速器，可与 CPU 并行执行。此外，CLA 具有自己专用的存储器资源，可以直接访问典型的控制系统所需的关键外设。支持 ANSI C 的子集是标准配置，硬件断点和硬件任务切换等关键功能也是标配。F28003x 支持高达 384KB (192KW) 的闪存，分为三个 128KB (64KW) 存储块，从而实现并行编程和执行。此外，还提供高达 69KB (34.5KW) 的片上 SRAM，以补充闪存。F28003x 上的实时固件更新硬件增强功能允许从旧固件到新固件的快速上下文切换，从而在更新设备固件时最大限度地减少应用程序停机时间。高性能模拟模块集成在 F28003x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。所有支持频率无关分辨率模式的 16 个 PWM 通道，可控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和高级多电平功率拓扑。配置逻辑块 (CLB) 的包含允许用户添加自定义逻辑，并可能将 FPGA 类似的功能集成到 C2000 实时 MCU 中。通过各种行业标准通信端口（如 SPI、SCI、I2C、PMBus、LIN、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。快速串行接口 (FSI) 能够实现高达 200Mbps 的可靠通信，跨越隔离边界。C2000 平台的新增功能是主机接口控制器 (HIC)，这是一种高吞吐量接口，允许外部主机直接访问 TMS320F28003x 的资源。

1+
￥71.5
10+
￥68.03
30+
￥62.02
100+
￥56.77

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型号：IKQ50N120CH7XKSA1 编号：C20191013

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最高结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业不间断电源。电动汽车充电