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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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型号：LP2305LT1G-VB 编号：C5179573

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
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型号：SQ2303ES-T1-GE3-VB 编号：C7463595

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：SPP2303W-VB 编号：C879153

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
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型号：IRFI1310NPBF-VB 编号：C18795085

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.266

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型号：IPD90N03S4L-03-VB 编号：C7463434

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥2.187
100+
￥2.106
200+
￥1.944
1000+
￥1.863
2000+
￥1.782

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型号：ATTINY26L-8MUR 编号：C111549

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATtiny26(L) 是一款基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATtiny26(L) 可以达到接近1 MIPS/MHz的吞吐量，使得系统设计者能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR内核结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在单个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，并且比传统的CISC微控制器快十倍。ATtiny26(L) 具有高精度ADC，支持多达11个单端通道和8个差分通道。七个差分通道具有可选的20倍增益。其中四个具有可选增益的差分通道可以同时使用。ATtiny26(L) 还具有一个带有两个独立输出的高频8位PWM模块。两个PWM输出具有反相非重叠输出引脚，适用于同步整流。ATtiny26(L) 的通用串行接口允许高效地实现TWI（两线串行接口）或SM-bus接口。这些特性使其非常适合高度集成的电池充电器、照明镇流器应用、低端恒温器以及火灾探测器等其他应用。ATtiny26(L) 提供2K字节的Flash、128字节EEPROM、128字节SRAM、最多16个通用I/O线、32个通用工作寄存器、两个8位定时器/计数器（其中一个带PWM输出）、内部和外部振荡器、内部和外部中断、可编程看门狗定时器、11通道10位模数转换器（带有两个差分电压输入增益级）以及四种软件可选的省电模式。空闲模式会停止CPU运行，但允许定时器/计数器和中断系统继续运行。ATtiny26(L) 还有一个专门用于降低ADC转换噪声的ADC降噪模式。在这种睡眠模式下，只有ADC在运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。待机模式与掉电模式相同，但启用外部振荡器。唤醒或引脚变化中断功能使ATtiny26(L) 能够对外部事件做出快速响应，即使在掉电模式下也能保持最低功耗。该设备采用Atmel的高密度非易失性存储技术制造。通过将增强型RISC 8位CPU与Flash集成在同一芯片上，ATtiny26(L) 成为一种强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。

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单价：
￥21.168 / 个

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型号：RV-3149-C3-32.768KHZ-6PPM-OPTION-A-TA-QC 编号：C5366554

封装：SMD

品牌：Micro Crystal(瑞士微晶)

高精度实时时钟。带温度补偿（TCXO）。 Tolerance 6ppm @-40°C ~ 85°C (factory calibrated).闹钟、定时器和中断功能。看门狗定时器。自动电池切换和电池充电。温度可读取内置32.768 kHz 晶体。

数据手册

1+
￥26.22
10+
￥22.55
30+
￥20.36
100+
￥18.16
500+
￥17.14
1000+
￥16.68

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型号：TSM2303CXRFG-VB 编号：C19190179

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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型号：SQ2315ES-T1-GE3-VB 编号：C7525009

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.2968

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型号：SPP2319S23RGB-VB 编号：C5355746

封装：TO-236(SOT-23)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.35775
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￥0.2968

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型号：SI2367DS-T1-GE3-VB 编号：C20626278

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
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型号：ST2341S23RG-VB 编号：C5444650

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
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￥0.2968

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型号：SSC8013GS6-VB 编号：C20755076

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
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10000+
￥0.2968

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型号：TSM2307CX RF-VB 编号：C19626671

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
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型号：RRR030P03TL-VB 编号：C45662590

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

100+
￥0.35775
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￥0.2968

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型号：2SJ557-T1B-A-VB 编号：C3040311

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
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型号：DMP2305UQ-7-VB 编号：C7568756

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
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￥0.3445
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￥0.33125
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10000+
￥0.2968

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型号：AO3407A-VB 编号：C5179536

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
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￥0.2968

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型号：VBZ3401 编号：C3040193

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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型号：2SK2503-VB 编号：C3040294

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

10+
￥1.3905
100+
￥1.339
200+
￥1.236
1000+
￥1.1845
2000+
￥1.133

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型号：P75N02LDG-VB 编号：C20755568

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥2.187
100+
￥2.106
200+
￥1.944
1000+
￥1.863
2000+
￥1.782

我要订货

型号：AM60N10-70PCFM-VB 编号：C5438924

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.266

我要订货

型号：IRFS630B-VB 编号：C20417549

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

10+
￥2.9835
100+
￥2.873
200+
￥2.652
1000+
￥2.5415
2000+
￥2.431

我要订货

型号：IPD180N10N3G-VB 编号：C7568803

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.915

我要订货

型号：IRFR4510PBF-VB 编号：C7429046

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.915

我要订货

型号：SUP75N08-10-VB 编号：C878835

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

10+
￥4.374
100+
￥4.212
200+
￥3.888
1000+
￥3.726
2000+
￥3.564

我要订货

型号：FDP18N50-VB 编号：C20626307

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥11.024
50+
￥10.176
100+
￥9.752
500+
￥9.4976
1000+
￥9.328

我要订货

型号：FN1-12S15AN 编号：C18723889

封装：SIP,11.5x6mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥10.46
10+
￥8.67
34+
￥7.58
102+
￥6.47

订货

我要订货

型号：ATTINY26L-8MU 编号：C1337579

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATtiny26(L) 是一款基于增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATtiny26(L) 可实现接近每 MHz 1 MIPS 的吞吐量，使系统设计者能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR 核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现了比传统 CISC 微控制器快十倍的吞吐量。ATtiny26(L) 具有高精度模数转换器（ADC），最多支持 11 个单端通道和 8 个差分通道。七个差分通道具有可选的 20 倍增益。其中四个具有可选增益的差分通道可以同时使用。ATtiny26(L) 还具有一个高频 8 位 PWM 模块，带有两个独立输出。两个 PWM 输出具有反相非重叠输出引脚，适用于同步整流。ATtiny26(L) 的通用串行接口允许高效地软件实现 TWI（双线串行接口）或 SM 总线接口。这些特性使其适用于高度集成的电池充电器、照明镇流器应用、低端恒温器和火灾探测器等应用。ATtiny26(L) 提供 2K 字节的 Flash、128 字节 EEPROM、128 字节 SRAM、最多 16 个通用 I/O 线、32 个通用工作寄存器、两个 8 位定时器/计数器（其中一个具有 PWM 输出）、内部和外部振荡器、内部和外部中断、可编程看门狗定时器、11 通道 10 位模数转换器（具有两个差分电压输入增益级），以及四种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU，但允许定时器/计数器和中断系统继续运行。ATtiny26(L) 还具有专门的 ADC 降噪模式，用于降低 ADC 转换中的噪声。在这种睡眠模式下，只有 ADC 在运行。电源关闭模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。备用模式与电源关闭模式相同，但启用了外部振荡器。引脚变化唤醒或中断功能使 ATtiny26(L) 能够对外部事件作出快速响应，同时在电源关闭模式下仍保持最低功耗。该设备采用 Atmel 的高密度非易失性存储器技术制造。通过将增强型 RISC 8 位 CPU 与 Flash 结合在单片上，ATtiny26(L) 成为一款功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATtiny26(L) AVR 得到了一整套程序和系统开发工具的支持，包括：宏汇编器、程序调试器/仿真器、在线仿真器和评估套件。

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单价：
￥20.4984 / 个

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