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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：LP3443LT1G-VB 编号：C20755204

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
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￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CES2323-VB 编号：C5179511

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：VBZ3407 编号：C3040336

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个N沟道耐压:60V

型号：MTD3055VLT4G-VB 编号：C879110

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

10+
￥1.3905
100+
￥1.339
200+
￥1.236
1000+
￥1.1845
2000+
￥1.1536

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：VBE1303 编号：C416251

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

10+
￥2.187
100+
￥2.106
200+
￥1.944
1000+
￥1.863
2000+
￥1.8144

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1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：AOTF2916L-VB 编号：C20417513

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.3072

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1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：SQD50N10-8M9L-GE3-VB 编号：C7569099

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.968

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高性能低功耗AVR 8位微控制器

型号：ATTINY26L-8MUR 编号：C111549

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATtiny26(L) 是一款基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATtiny26(L) 可以达到接近1 MIPS/MHz的吞吐量，使得系统设计者能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR内核结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在单个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，并且比传统的CISC微控制器快十倍。ATtiny26(L) 具有高精度ADC，支持多达11个单端通道和8个差分通道。七个差分通道具有可选的20倍增益。其中四个具有可选增益的差分通道可以同时使用。ATtiny26(L) 还具有一个带有两个独立输出的高频8位PWM模块。两个PWM输出具有反相非重叠输出引脚，适用于同步整流。ATtiny26(L) 的通用串行接口允许高效地实现TWI（两线串行接口）或SM-bus接口。这些特性使其非常适合高度集成的电池充电器、照明镇流器应用、低端恒温器以及火灾探测器等其他应用。ATtiny26(L) 提供2K字节的Flash、128字节EEPROM、128字节SRAM、最多16个通用I/O线、32个通用工作寄存器、两个8位定时器/计数器（其中一个带PWM输出）、内部和外部振荡器、内部和外部中断、可编程看门狗定时器、11通道10位模数转换器（带有两个差分电压输入增益级）以及四种软件可选的省电模式。空闲模式会停止CPU运行，但允许定时器/计数器和中断系统继续运行。ATtiny26(L) 还有一个专门用于降低ADC转换噪声的ADC降噪模式。在这种睡眠模式下，只有ADC在运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。待机模式与掉电模式相同，但启用外部振荡器。唤醒或引脚变化中断功能使ATtiny26(L) 能够对外部事件做出快速响应，即使在掉电模式下也能保持最低功耗。该设备采用Atmel的高密度非易失性存储技术制造。通过将增强型RISC 8位CPU与Flash集成在同一芯片上，ATtiny26(L) 成为一种强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。

数据手册

100+
￥21.4256
200+
￥21.043
500+
￥20.6604

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N沟道耐压:800V 电流:20A

型号：IXFH20N85X-VB 编号：C45662521

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,800V；20A；RDS(ON)=205mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于工业电源模块、电动汽车充电桩等领域和模块。

1+
￥18.31
10+
￥17.9
30+
￥17.63
90+
￥17.36

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35V, 3A, 三相功率级

型号：MP6540AGU-Z 编号：C7231733

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

是三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。可提供高达10A的峰值电流持续1秒和3A的连续电流（取决于散热和PCB条件），使用内部电荷泵为高端MOSFET产生栅极驱动电源电压，并使用涓流充电电路保持足够的栅极驱动电压以实现100%占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定（UVLO）和过流保护（OCP）。采用QFN-26（5.0mmx5.0mm）封装。

1+
￥46.6782
50+
￥40.9625
100+
￥38.259
500+
￥33.4527
1000+
￥28.6738
3000+
￥27.4954

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：TSM2303CXRFG-VB 编号：C19190179

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AP2303N-VB 编号：C20755460

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SQ2315ES-T1-GE3-VB 编号：C7525009

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.35775
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10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2341S23RG-VB 编号：C5444650

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
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3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2367DS-T1-GE3-VB 编号：C20626278

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.35775
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￥0.33125
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￥0.30475
10000+
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SPP2319S23RGB-VB 编号：C5355746

封装：TO-236(SOT-23)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
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￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSC8013GS6-VB 编号：C20755076

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
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3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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-30V沟槽型单P沟道，SOT23-3封装MOSFET

型号：PMV50EPEAR-VB 编号：C45662586

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

100+
￥0.35775
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￥0.2968

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P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：RRR030P03TL-VB 编号：C45662590

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

100+
￥0.35775
1000+
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3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：2SJ557-T1B-A-VB 编号：C3040311

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：NVTR4502PT1G-VB 编号：C7429095

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
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10000+
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP2305UQ-7-VB 编号：C7568756

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.35775
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￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2323DS-T1-GE3-VB 编号：C6705309

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM2305PE-T1-PF-VB 编号：C5878777

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3407A-VB 编号：C5179536

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：RDN050N20-VB 编号：C20417552

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

10+
￥2.9835
100+
￥2.873
200+
￥2.652
1000+
￥2.5415
2000+
￥2.4752

我要订货

1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：2N08L21-VB 编号：C20755635

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.968

我要订货

1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：FDP22N50N-VB 编号：C20755352

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥11.024
50+
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￥9.6672
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电源模块

型号：NN1-05S05ANT 编号：C18723729

封装：SMD-6

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥12.82
10+
￥10.82
30+
￥9.58
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DC-DC模块电源

型号：GSA24300HS-8 编号：C441471

封装：插件,50.8x25.4mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

8W,输入24V,隔离升压,高压输出300VDC,适用于仪器仪表、高压电解电容充电

数据手册

1+
￥184.9
40+
￥175.6

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