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型号：QA152D 编号：C6705151

封装：DIP,31.6x20.3mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：高效率可达 87%。 DIP 封装。 I/O 隔离测试电压 4kVAC。隔离电容：3pF。工作环境温度范围：-40℃ 至 +85℃。输入欠压保护。应用：通用逆变器。交流伺服驱动系统

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￥45.65
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￥44.57
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￥43.85

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型号：SD15M60AC 编号：C5221002

封装：DIP-27H

品牌：SILAN(士兰微)

SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器，适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作

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￥45.96
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￥43.24
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￥42.15

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型号：MGJ2D151515SC 编号：C2935506

封装：插件

品牌：muRata(村田)

适用于为桥式电路中的 IGBT 和 Mosfet 的“高端”和“低端”栅极驱动电路供电。不对称输出电压的选择可实现最佳驱动水平，以获得最佳系统效率和 EMI。具有高隔离和 dv/dt 特性，适用于电机驱动器和逆变器中常用的桥式电路，工业级温度额定值和结构保证了长使用寿命和可靠性。

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￥73.8
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￥71.22

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型号：FSBB15CH120D 编号：C606134

封装：SPM-MF-027

品牌：onsemi(安森美)

提供用于交流感应、无刷直流和永磁同步电机的全功能、高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动，以最大限度地减少电磁干扰和损耗，同时还提供多种模块级保护功能，包括欠压锁定、过流关断、驱动IC的热监测和故障报告。内置的高速高压集成电路仅需单电源电压，并将输入的逻辑电平栅极输入转换为正确驱动模块内部IGBT所需的高压、大电流驱动信号。每个相位都有单独的负IGBT端子，以支持各种控制算法。

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￥185.98
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￥177.06

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型号：QA053C-1505R3 编号：C6705144

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：加强绝缘。I/O隔离测试电压：5.0kVAC。局部放电1700V。共模瞬态抗扰度（CMTI）特性 > 200kV/μs。最大电容负载：2200μF。超低隔离电容：3.5pF（典型值）。应用：通用转换器。交流伺服驱动系统

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￥20.69
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￥18.33
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￥16.93

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型号：MPM6010GQV-AEC1-Z 编号：C17344284

封装：QFN-17(3x5)

品牌：MPS(芯源)

是一款同步整流降压 LED 驱动器，内置功率 MOSFET、电感和两个电容。提供了一种非常紧凑的解决方案，仅需四个外部组件，就能在很宽的输入电源范围内实现 1.5A 的连续输出电流，并具有出色的负载和线性调节能力。采用同步模式操作以实现高效率。消除了设计和制造风险，同时显著缩短了产品上市时间。具备完整的保护功能，包括过流保护 (OCP) 和热关断。采用节省空间的 QFN-17 (3mmx5mmx1.6mm) 封装。

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￥52.5959
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￥49.6566
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￥43.2564
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￥36.8663
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￥30.301

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型号：FNB34060T 编号：C606127

封装：SPM-27-RA

品牌：onsemi(安森美)

FNB34060T 是一款 Motion SPM 3 模块，为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 IGBT 的优化门极驱动，可最大程度减少 EMI 和损耗，同时还提供多个模块上保护功能，包括欠压锁定、过电流关断、驱动集成电路的高温监控和故障报告。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压，会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 IGBT 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的负 IGBT 端子，可支持最广泛的控制算法。

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￥151.46
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￥143.82
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￥136.18

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型号：4in1-ESC-LDO 编号：C22392163

封装：SMD,44x43.5mm

品牌：EXTREME POWER(瑞杰创新)

双孔距电流持续45A，瞬时55A

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￥201.6
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￥191.47

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型号：4in1-ESC-DA0 编号：C22392162

封装：SMD,44x43.5mm

品牌：EXTREME POWER(瑞杰创新)

30.5x30.5孔径，持续45A，瞬时55A

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￥213.36
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￥202.02

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型号：ESJL2302B 编号：C42420857

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V

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￥0.0576
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￥0.0545

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型号：ESJ2303 编号：C42420763

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-1.5A 功率(Pd)：0.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：155mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.75V@250uA,-30V,-1.5A,155mΩ@10V

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￥0.0688
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￥0.0651

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型号：SI2308A(ES) 编号：C42434101

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)

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￥0.2003
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￥0.1062
21000+
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型号：ESE01P30K 编号：C42434097

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE01P30K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥2.59
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￥2.04
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￥1.8
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￥1.51
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￥1.37
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￥1.3

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型号：TPN2R703NL,L1Q(ES) 编号：C49108772

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，80A，2.4mΩ@10V,20A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥6.41
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￥5.2
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￥4.6
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￥4
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￥3.64
1000+
￥3.45

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型号：QA123C-1502R3 编号：C6705147

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：加强绝缘。I/O隔离测试电压：5.0kVAC。局部放电1700V。共模瞬态抗扰度（CMTI）特性 > 200kV/μs。最大电容负载：2200μF。超低隔离电容：3.5pF（典型值）。应用：通用转换器。交流伺服驱动系统

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￥22
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￥19.49
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￥17.99

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型号：MGJ1D051505MPC-R7 编号：C6903628

封装：SMD-8P

品牌：muRata(村田)

适用于为桥接电路中的IGBT/SiC和MOSFET的“高端”和“低端”栅极驱动电路供电。不对称输出电压的选择可实现最佳驱动水平，以获得最佳系统效率。适用于电机驱动器和逆变器中桥接电路常见的高隔离要求，工业级温度额定值和结构可提供长使用寿命和可靠性。

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￥64.24
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￥62

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型号：DRV3255EPAPRQ1 编号：C6832464

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3255-Q1 栅极驱动峰值灌电流为 4.5A 的集成式三相 48V 汽车栅极驱动器单元 (GDU)

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￥73.1
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￥70.88

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型号：ESBSS123LT1G 编号：C42420862

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：0.29A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V

50+
￥0.0626
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￥0.0611
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￥0.0592

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型号：ESJ3402 编号：C42420875

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V

20+
￥0.0751
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￥0.071

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型号：ESJ2312 编号：C42420866

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,4.5A,23mΩ@10V

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型号：SI2319(ES) 编号：C42434110

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA

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型号：DMN6075S-7(ES) 编号：C49108758

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，60V，3.2A，58mΩ@10V,3A，1.35V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥0.3539
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￥0.2819
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￥0.2459
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￥0.2189
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￥0.1973
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￥0.1865

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型号：ESE4060K 编号：C42420753

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,40V,80A,4.2mΩ@10V

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￥1.1733
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￥0.8133
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￥0.6786
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￥0.6186
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￥0.5825

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型号：NTMFS5C628NLT1G(ES) 编号：C49108756

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，60V，190A，1.9mΩ@10V,30A，1.6V@250uA；应用领域：LED调光、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥1.95
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￥1.91
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￥1.88
100+
￥1.85

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型号：SPE05M50B-C 编号：C51037302

封装：SOP-12B-FP

品牌：SPEIPM(吉林华微斯帕克)

·信号高电平有效，兼容3.3V和5V的MCU ·下臂MOSFET源极输出 ·内置自举二极管 ·内置防直通保护 ·内置欠压保护 ·内部集成温度检测输出 ·绝缘耐压1500V

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￥5.18
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￥4.14
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￥3.63
100+
￥3.11
500+
￥2.8
1000+
￥2.64

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型号：QA01C 编号：C7428398

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

QA01C是专为需要两组隔离电源的SiC驱动器而设计的DC-DC模块电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为SiC的开通与关断提供能量。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于：1.通用变频器2.交流伺服驱动系统3.电焊机4.不间断电源(UPS),可持续短路保护,效率高达82%,超小隔离电容隔离电压 3500VAC/6000VDC,SIP国际标准引脚,工作温度范围：-40℃ ~+105℃