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5W AC/DC模块电源

型号：HLK-5M12NBX 编号：C3345173

封装：DIP,38x23mm

品牌：NYBOXING(尼博星)

HLK-5M12NBX系列是尼博星提供的小体积高功率密度绿色模块电源，具有交直流两用、宽输入电压范围、高可靠性、低功耗和安全隔离等优点。广泛适用于工控和电力仪器仪表、智能家居、新能源等领域。

数据手册

1+
￥16.63
10+
￥14.07
36+
￥12.49

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3W AC/DC模块电源

型号：NG03-A12 编号：C479124

封装：插件

品牌：NYBOXING(尼博星)

NG03-Axx系列是尼博星为客户提供的小体积高功率密度绿色模块电源，具有交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。广泛适用于工控和电力仪器仪表、智能家居、新能源领域等对体积要求苛刻的场合。

数据手册

1+
￥16.65
10+
￥14.09
48+
￥12.49

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WiFi+BLE5.2低功耗WiFi串口模块

型号：E103-W14X 编号：C42464128

封装：SMD,10x10mm

品牌：EBYTE(亿佰特)

E103-W14X产品是亿佰特研发的一款低功耗、高性价比、IPEX天线方式的Wi-Fi+蓝牙模块，符合蓝牙BLE5.2和IEEE 802.11b/g/n标准协议规范。该WiFi模块集成完整的Wi-Fi和蓝牙应用所需要的硬件和软件资源，支持AP、STA、AP+STA 3种Wi-Fi工作模式和低功耗蓝牙，非常适合智能家居、工业控制等低速率应用和数据采集应用。

1+
￥16.79
10+
￥14.21
30+
￥12.59
100+
￥10.94

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5W超小型AC-DC模块电源

型号：HLK-5M15L 编号：C19632439

封装：DIP,36.2x20.8mm

品牌：HI-LINK(海凌科)

5W超小型系列模块电源是一款小体积、高效率的交直流电源模块。它具有全球输入电压范围、温升低、功耗低、效率高、可靠性高和安全隔离性好等优点。已广泛应用于智能家居、自动化控制、通信设备、仪器仪表等行业

1+
￥17.11
10+
￥14.7
30+
￥13.19

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650V 80A

型号：IGW50N60TP-HXY 编号：C49003466

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。内部续流二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备优良的热稳定性与动态响应特性。模块设计注重电气隔离与散热性能，适用于电力电子变换、智能能源管理及高效电源系统等场景，提供稳定可靠的开关控制能力。

1+
￥17.347 ￥18.26
10+
￥14.7725 ￥15.55
30+
￥13.167 ￥13.86
90+
￥11.514 ￥12.12
510+
￥10.7635 ￥11.33
990+
￥10.4405 ￥10.99

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5W AC/DC模块电源

型号：NF05-A05L 编号：C5187291

封装：SIP,26x24mm

品牌：NYBOXING(尼博星)

NF05-AXXH（L）经济型系列是尼博星为客户提供的小体积高效绿色模块电源，该系列电源具有交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。广泛适用于工控和电力仪器仪表、智能家居，新能源领域等对体积要求苛刻的场合。

数据手册

1+
￥17.77
10+
￥15.12
40+
￥12.93

有货

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5W AC/DC模块电源

型号：NF05-A15L 编号：C5187293

封装：SIP,26x24mm

品牌：NYBOXING(尼博星)

NF05-AXXH（L）经济型系列是尼博星为客户提供的小体积高效绿色模块电源，该系列电源具有交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。广泛适用于工控和电力仪器仪表、智能家居，新能源领域等对体积要求苛刻的场合。

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1+
￥17.82
10+
￥15.17
40+
￥12.99

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10W AC-DC模块电源

型号：LS10-13B15R3P 编号：C2684858

封装：SIP,28.8x14.1mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

LS10-13BxxR3P系列是金升阳提供的小型化裸板高效绿色模块电源，具有交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。适用于工控和电力仪器仪表、智能家居等场合。

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1+
￥18.08
10+
￥15.07
30+
￥13.19

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650V 70A

型号：FGH40T65SHD-F155-HXY 编号：C49003421

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电能转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的开关性能和热稳定性。该器件可广泛应用于电源变换、电机控制、储能系统及智能电力基础设施等领域，提供高效、可靠的半导体解决方案。

1+
￥18.1165 ￥19.07
10+
￥15.5705 ￥16.39
30+
￥14.0505 ￥14.79
90+
￥12.521 ￥13.18
510+
￥11.818 ￥12.44
990+
￥11.495 ￥12.1

有货

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1.2kV 80A

型号：IKW40N120CS6-HXY 编号：C49003307

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下，集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF)，其正向压降(Vf)为1.85V，可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计，如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。

1+
￥19.07
10+
￥16.39
30+
￥14.79

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650V 80A

型号：FGH50T65SQD-F155-HXY 编号：C49003308

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和高频响应能力。该模块适合用于高效电源转换、智能电网设备、新能源变换装置及精密电机控制等领域，满足对性能与可靠性有较高要求的设计需求。

1+
￥19.9215 ￥20.97
10+
￥17.119 ￥18.02
30+
￥15.4565 ￥16.27
90+
￥13.775 ￥14.5
510+
￥12.996 ￥13.68
990+
￥12.6445 ￥13.31

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1.2kV 80A

型号：NGTB40N120FL3WG-HXY 编号：C49003312

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率和高压场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和导通性能。该器件可广泛应用于能源管理、智能家电及精密电力控制设备中，实现高效、可靠的开关与能量转换功能。

1+
￥20.02
10+
￥17.2
30+
￥15.53

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5W AC/DC模块电源

型号：NL05-A05 编号：C479133

封装：DIP,39x25mm

品牌：NYBOXING(尼博星)

NL05-Axx经济型系列是尼博星为客户提供的小体积高功率密度绿色模块电源，具有交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。适用于工控和电力仪器仪表、智能家居，新能源领域等对体积要求苛刻的场合。

数据手册

1+
￥22.02
10+
￥18.94
36+
￥16.33

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1.2kV 80A

型号：RGS80TSX2HRC11-HXY 编号：C49003433

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的电流承载能力和能效表现。该器件适用于需要稳定开关性能和高效能管理的电力电子系统设计，如电源转换、智能电网设备及电机控制等领域，为复杂电路提供可靠支持。

1+
￥22.88
10+
￥19.66
30+
￥17.75

有货

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650V 70A

型号：IGW40N60H3-HXY 编号：C49003454

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合中高功率应用需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该器件适用于需要高效能开关操作与热稳定性的场合，可广泛用于电源转换、智能电网及高性能电子设备中。

1+
￥23.541 ￥24.78
10+
￥20.235 ￥21.3
30+
￥18.2685 ￥19.23
90+
￥16.283 ￥17.14
510+
￥15.3615 ￥16.17
990+
￥14.9435 ￥15.73

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650V 80A

型号：RGS00TS65HRC11-HXY 编号：C49003464

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），满足高耐压与大电流工作需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，显著降低功率损耗。内部集成续流二极管，支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效。适用于各类高效功率转换装置，如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备，提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。

1+
￥24.453 ￥25.74
10+
￥21.014 ￥22.12
30+
￥18.9715 ￥19.97
90+
￥16.9005 ￥17.79
510+
￥15.9505 ￥16.79
990+
￥15.523 ￥16.34

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1.2kV 80A

型号：SPT40N120T1B1T8TL-HXY 编号：C49003313

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可满足高功率场合下的开关需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管具备40A的正向电流(IF)能力，正向压降(Vf)为1.85V，提升了整体能效与稳定性。模块采用标准封装设计，适用于多种高电压、大电流应用场景，如智能电网设备、新能源变换系统及精密电源管理装置等。

1+
￥24.78
10+
￥21.3
30+
￥19.23

有货

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650V 80A

型号：IGW50N65F5-HXY 编号：C49003465

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠封装工艺，适用于电源变换、智能电网、新能源控制等领域，提供稳定高效的开关性能。

1+
￥25.3555 ￥26.69
10+
￥21.793 ￥22.94
30+
￥19.6745 ￥20.71
90+
￥17.5275 ￥18.45
510+
￥16.5395 ￥17.41
990+
￥16.093 ￥16.94

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650V 80A

型号：IGW50N60H3-HXY 编号：C49003467

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电子系统。其1.6V的饱和压降（VCE(sat)）可有效减少导通损耗，提升转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的导通特性和热稳定性。模块采用优化的封装结构，兼顾散热性能与电气隔离，适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等高性能场景，提供高效、可靠的开关解决方案。

1+
￥25.3555 ￥26.69
10+
￥21.793 ￥22.94
30+
￥19.6745 ￥20.71
90+
￥17.5275 ￥18.45
510+
￥16.5395 ￥17.41
990+
￥16.093 ￥16.94

有货

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650V 90A

型号：STGWA75M65DF2-HXY 编号：C49003316

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复性能与稳定性。模块采用通用封装设计，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、智能电网、精密电机控制等领域，满足多种高性能电力电子设备的技术需求。

1+
￥30.7895 ￥32.41
10+
￥26.4575 ￥27.85
30+
￥23.883 ￥25.14
90+
￥21.2895 ￥22.41
510+
￥20.083 ￥21.14
990+
￥19.5415 ￥20.57

有货

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10W AC-DC模块电源，超小体积，高效率

型号：ZPR10-S12 编号：C359085

封装：DIP,45x25.4mm

品牌：ZOEYGO(中逸光)

ZPR10系列是中逸光提供的一款超小体积模块式开关电源，输出功率为10W，具有极低的空载损耗（仅为0.1W），低漏电流仅0.1mA，小体积(45*25.40*15.50mm)，隔离耐压高达3KV。广泛应用于智能家居、医疗、工控、工业等行业。

数据手册

1+
￥32.38
10+
￥27.65
30+
￥24.77
100+
￥22.35

有货

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5W AC/DC模块电源

型号：HV05-A12 编号：C478972

封装：DIP,54x25mm

品牌：NYBOXING(尼博星)

HV05-Axx系列是尼博星为客户提供的小体积高功率密度绿色模块电源，具有交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。广泛适用于工控和电力仪器仪表、智能家居，新能源领域等对体积要求苛刻的场合。

数据手册

1+
￥36.13
10+
￥30.9
24+
￥27.8

有货

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1.2kV 80A

型号：GWA40MS120DF4AG-HXY 编号：C49003426

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率等级的电力转换应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗并提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于电源系统、电机驱动、智能电网及相关电子设备中，满足对高性能电力电子器件的技术需求。

1+
￥39.08
10+
￥33.78
30+
￥30.54

有货

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433MHz LORA无线扩频模块SX1276 SX1278远距离低功耗SPI 1W 30dbm

型号：E32-400M30S 编号：C2965515

封装：SMD,38.5x24mm

品牌：EBYTE(亿佰特)

基于美国Semtech生产的SX1278为核心自主研发最大发射功率为1W的433/470MHz贴片式LoRa无线模块。采用先进的LoRa调制技术，在抗干扰性能、通信距离都远超现在的FSK、GFSK调制方式的产品。该模块主要针对智能家庭、无线抄表、科研和医疗以及中远距离无线通信设备。由于射频性能与元器件选型均按照工业级标准，并且该产品已获得 FCC、CE、RoHS 等国际权威认证报告。

数据手册

1+
￥39.39
10+
￥38.37

有货

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CC2530 2.4GHz ZigBee3.0无线模块

型号：E18-MS1PA2-IPX 编号：C2927184

封装：-

品牌：EBYTE(亿佰特)

小体积2.4GHz频段的ZigBee无线模块，贴片型，IPEX接口，发射功率100mW，引脚间距1.27mm，适用于多种应用场景（尤其智能家居）。采用美国德州仪器（TI）公司原装进口CC2530射频芯片，芯片内部集成了8051单片机及无线收发器，并内置 PA+LNA，极大的扩展通信距离、提升通信稳定性。

数据手册

1+
￥40.78
10+
￥35.25
30+
￥30.43

有货

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lora模块 sx1278 带PA放大功率多倍超远距离抗干扰抗辐射强

型号：DL-SX1278PA 编号：C3345217

封装：SMD,37x25mm

品牌：DreamLNK(骏晔科技)

lora模块sx1278，带PA远多倍距离，放大功率，接收发射模块双向收发一体，频段范围410~510MHz,semtech,高灵敏度可达-149dBm,抗干扰性能强,远距离6km，速率：0.018~37.5Kbps@lora，1.2~300@FSK。专为远距离、低带宽、低功耗、大量连接、组网灵活的物联网应用而设计，因此被广泛部署在智慧安防、智能家居和楼宇、智能抄表、智慧农业、工业控制等多个垂直行业。LoRa的网络架构：常见的LoRa应用中使用的网络架构包括私有协议网络和 LoRaWAN网络。LoRa私有协议网络：星状网络、点对点最为常见，同时也有其他的形式网络结构比如LoRa电表应用采用LoRa Mesh树状结构，网状结构等，本模块都可以支持。

数据手册

1+
￥41.3
10+
￥40.25

有货

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1.2kV 80A

型号：IRG7PH46U-EP-HXY 编号：C49003435

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其1.7V的集射极饱和电压（VCE(sat)）有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和电流承载能力。该器件可广泛应用于电源转换、电机控制、智能电网及储能系统等领域，满足高效能、高可靠性电路设计需求。

1+
￥45.88
10+
￥39.65
30+
￥35.86

有货

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1.2kV 80A

型号：RGS80TSX2GC11-HXY 编号：C49003434

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与热稳定性。该器件适合应用于电源变换、电机驱动、智能电网及储能系统等场景，满足复杂电路对高效开关性能与可靠运行的严苛要求。

1+
￥47.58
10+
￥41.12
30+
￥37.18

有货

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1.2kV 80A

型号：IRG8P50N120KD-EPBF-HXY 编号：C49003396

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可适应较高功率密度的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有效减少导通状态下的功率损耗。内部二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，进一步提升系统整体效率。该模块适合应用于高效能电力转换系统，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度电源控制等领域。

1+
￥50.98
10+
￥44.06
30+
￥39.84

有货

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1.2kV 80A

型号：ITF48IF1200HR-HXY 编号：C49003393

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）高达1200V，具备较强的电压耐受能力，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于控制导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与反向恢复特性。该器件适合用于高效电源系统、储能设备及智能电网相关应用，满足对性能与可靠性要求较高的设计方案。

1+
￥56.08
10+
￥48.46
30+
￥43.82

有货

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