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型号：FDMF5820TDC 编号：C891006

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥10.95
200+
￥4.24
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￥4.09
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￥4.02

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型号：FDMF5822DC 编号：C891009

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

FDMF5822DC 将一个驱动器集成电路以及一个自举肖特基二极管、两个功率 MOSFET 和一个温度监控器集成到耐热增强、超紧凑型 5 mm x 5 mm 封装中。该 SPS 开关功率级采用集成方式，针对驱动器和 MOSFET 动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行优化。SPS 系列采用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术，减少了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动器集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。如果发生超温情况，高温关断功能将关断该驱动器。FDMF5822DC 结合了自动 DCM 模式 (ZCD#)，从而提高轻负载效率。FDMF5822DC 还提供了一个 3 态 3.3 V PWM 输入，实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。

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1+
￥15.28
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￥5.92
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￥5.71
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￥5.61

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型号：FDMF5821DC 编号：C891008

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

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35+
￥51.251358
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￥47.375205
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￥43.606723

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型号：FDMF5826DC 编号：C891011

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

FDMF5826DC 采用热管理增强的、超紧凑型 5 mm x 5 mm 封装，集成了一个驱动器集成电路以及一个自举肖特基二极管、两个功率 MOSFET 和一个温度监控器。该 SPS 开关功率级采用集成方式，针对驱动器和 MOSFET 动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。SPS 系列采用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术，减少了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动器集成电路进一步增强了性能。温度监控器功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF5826DC 结合了自动 DCM 模式 (ZCD#)，从而提高光负载效率。FDMF5826DC 还提供 3 态 5 V PWM 输入，从而与多种 PWM 控制器兼容。

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￥20.28
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￥7.85
500+
￥7.57
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型号：FDMF6821A 编号：C891022

封装：PQFN-40(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

FDMF6821A 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6 mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式，该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术，大幅降低了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6821A 结合了跳过模式 (SMOD#)，可提高轻负载下的能效。FDMF6821A 也提供 3 态 3.3 V PWM 输入，从而与多种 PWM 控制器兼容。

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￥23.26
200+
￥9
500+
￥8.69
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￥8.53

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型号：FSB70625 编号：C3615442

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥31.7
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￥12.27
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￥11.84
1000+
￥11.63

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型号：FDMF6820C 编号：C891021

封装：PQFN-40(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

FDMF6820C 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式，该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术，大幅降低了开关振铃，不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6820A 结合了跳过模式 (SMOD#)，可提高轻负载下的能效。FDMF6820C 也提供 3 态 3.3V PWM 输入，从而与多种 PWM 控制器兼容。

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